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具有增强电源抑制比(PSR)和低交叉调节的高效全集成多电压域电源管理
Highly Efficient Fully Integrated Multivoltage-Domain Power Management With Enhanced PSR and Low Cross-Regulation
Zhuoqi Guo · Dan Li · Bing Zhang · Zhongming Xue 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月
现代片上系统（SoC）迫切需要多电压域供电。现有方案如开关DC-DC变换器、开关电容变换器及低压差线性稳压器（LDO）在成本和便捷性上存在局限。本文提出了一种高效的全集成电源管理策略，旨在为多电压域提供紧凑且低成本的解决方案。
解读: 该研究聚焦于芯片级电源管理集成，主要应用于消费电子或高性能计算的SoC供电。对于阳光电源而言，该技术与光伏逆变器、储能PCS或充电桩的核心功率变换电路（通常为大功率电力电子变换）关联度较低。但该研究中关于LDO与DC-DC集成、提升电源抑制比（PSR）的设计思路，可为iSolarCloud智能运维平...
无线电能传输系统中主动整流器多脉冲现象的机理分析与消除
Mechanism Analysis and Elimination of Multiple Pulse Phenomenon of Active Rectifier in Wireless Power Transfer Systems
Zhongming Xue · Wenxing Cao · Yuhao Xiong · Xihao Liu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
主动整流器在无线电能传输系统中应用广泛。为提升效率，常采用开关延迟补偿技术，但这会引发多脉冲（MP）问题，严重降低系统效率并影响可靠性。本文深入分析了MP产生的机理，并提出了相应的消除方案。
解读: 该研究关注主动整流器在开关延迟补偿下的多脉冲现象，对提升电力电子变换效率及可靠性具有参考意义。阳光电源的储能变流器（PCS）及电动汽车充电桩产品线中，广泛应用了高性能整流/逆变拓扑。虽然无线电能传输与当前主流光储产品应用场景不同，但该文关于开关死区控制、延迟补偿及驱动逻辑优化的分析，可为阳光电源在提...
更正：综合分析与优化集成太阳能热能及储热的冷热电联产系统
Comprehensive analysis and optimization of combined cooling heating and power system integrated with solar thermal energy and thermal energy storage）［Energy Conv. Manag. 275 (2022) 116464］
Lanhua Liu · Ruilin Wang · Yuhao Wang · Wenjia Li 等9人 · Energy Conversion and Management · 2025年2月 · Vol.325
作者对原文致谢部分出现的错误表示歉意。致谢部分中提到的第一个国家自然科学基金委员会（NSFC）资助项目的编号应为“52106014”，而非“5210060338”。作者对由此造成的任何不便深表歉意。
解读: 该CCHP系统与太阳能热能及储能集成研究虽为勘误说明,但原文涉及的冷热电联供与储能优化技术对阳光电源ST系列储能变流器及PowerTitan系统具有重要参考价值。多能互补系统的能量管理策略可启发我们优化储能系统在工商业场景的冷热电协同控制算法,提升iSolarCloud平台对综合能源系统的智能调度能...
一种基于单片GaN集成电路的电源电压不敏感双晶体管PTAT/CTAT温度传感器
A Supply Voltage Insensitive Two-Transistor Temperature Sensor With PTAT/CTAT Outputs Based on Monolithic GaN Integrated Circuits
Ang Li · Fan Li · Kaiwen Chen · Yuhao Zhu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月
本文提出了一种基于氮化镓（GaN）MIS-HEMT的单片集成双晶体管（2T）温度传感器。通过调节耗尽型（D-mode）和增强型（E-mode）器件的栅极尺寸比，实现了传感器输出在PTAT（与绝对温度成正比）和CTAT（与绝对温度成反比）模式间的转换，且具备良好的电源电压不敏感特性。
解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和储能系统（如PowerTitan系列）中对功率密度和效率要求的不断提升，GaN等宽禁带半导体技术的应用前景广阔。该研究提出的单片集成温度传感器方案，有助于实现GaN功率模块内部的高精度实时热监测。对于阳光电源而言，该技术可集成至下一代高频、高功率密度逆变器或充电桩的驱动电路...
兆赫兹高频开关下p-Gate GaN HEMT的过压鲁棒性研究
Overvoltage Robustness of p-Gate GaN HEMTs in High Frequency Switching up to Megahertz
Ruizhe Zhang · Qihao Song · Qiang Li · Yuhao Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月
本文研究了无雪崩能力的GaN HEMT功率器件在连续高频过压开关下的鲁棒性。通过开发基于有源钳位电路的零电压开关转换器测试平台，实现了千伏级过压和兆赫兹频率下的稳定开关测试，揭示了GaN器件在极端工况下的失效边界与可靠性机理。
解读: GaN作为第三代半导体，在提升阳光电源组串式逆变器及户用储能系统功率密度方面具有巨大潜力。该研究针对GaN器件在高频过压下的失效机理分析，为公司在开发下一代高频、高效率功率模块时，优化驱动电路设计、改进有源钳位保护策略提供了关键理论支撑。建议研发团队关注该测试方法，以提升公司在极端工况下对宽禁带半导...
具有开关桥低电压尖峰的高效率T型源逆变器
High-Efficiency T-Source Inverter With Low Voltage Spikes Across the Switch Bridge
Hongpeng Liu · Bing Zhou · Yuhao Li · Jikai Chen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月
基于耦合电感的阻抗源逆变器能提升电压增益，但漏感会导致开关桥产生电压尖峰，迫使选用高耐压器件，从而降低效率。本文提出一种高效率T型源逆变器，旨在有效抑制电压尖峰，降低对开关管耐压等级的要求，提升整体转换效率。
解读: 该拓扑通过优化耦合电感结构抑制电压尖峰，对于阳光电源的组串式逆变器（String Inverter）产品线具有重要的参考价值。当前光伏系统向高电压、高功率密度方向发展，该技术方案有助于降低开关管的电压应力，从而选用更低导通电阻的功率器件，显著提升逆变器在宽输入电压范围下的转换效率。建议研发团队评估该...
共源共栅GaN HEMT在非钳位感性开关下的鲁棒性
Robustness of Cascode GaN HEMTs in Unclamped Inductive Switching
Qihao Song · Ruizhe Zhang · Joseph Kozak · Jingcun Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月
浪涌能量鲁棒性对汽车动力总成和电网等应用至关重要。与Si和SiC MOSFET不同，GaN HEMT缺乏雪崩能力，主要依靠过压能力承受浪涌能量。本文对共源共栅GaN HEMT在非钳位感性开关（UIS）条件下的浪涌能量鲁棒性进行了全面研究。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及电动汽车充电桩领域对高功率密度和高效率的需求日益增长，GaN器件的应用潜力巨大。本文针对GaN HEMT在UIS条件下的鲁棒性研究，为阳光电源在设计高频、紧凑型功率变换模块时提供了关键的可靠性评估依据。建议研发团队在引入GaN器件时，重点关注其过压耐受特性，并优化驱动电...
一种具有更少元件和宽增益范围的L2C2谐振变换器
An L2C2 Resonant Converter With Reduced Components and Wide Gain Range
Jianglin Nie · Jiajin Li · Georgios Konstantinou · Yuhao Deng 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
本文提出了一种L2C2谐振变换器，旨在解决传统LLC变换器增益范围受限的问题。相比其他宽增益范围拓扑，该方案仅在LLC基础上增加一个谐振电容，在降低成本、提升可靠性与效率方面具有显著优势。
解读: 该拓扑对阳光电源的储能变流器（PCS）及电动汽车充电桩产品线具有重要参考价值。目前PowerTitan和PowerStack等储能系统对宽电压范围下的高效率转换需求迫切，该L2C2结构通过极简的元件增加实现了增益范围的扩展，有助于提升系统功率密度并降低BOM成本。建议研发团队评估其在宽电压输出场景下...
双并联交错三相整流器的容错SVPWM方案
Fault-Tolerant SVPWM Scheme for Two Parallel Interleaved Three-Phase Rectifiers
Yuhao Yao · Wentao Huang · Moduo Yu · Jie Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
针对高功率场景下双并联交错三相整流器易受开关开路故障影响，导致电流不平衡及过载的问题，本文提出了一种容错空间矢量脉宽调制（SVPWM）方案，旨在提升电力转换系统的稳定性和运行可靠性。
解读: 该研究针对多模块并联系统的容错控制，对阳光电源的集中式光伏逆变器及大功率储能变流器（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。在大功率并联系统中，单点故障往往会导致连锁反应，该容错SVPWM方案能有效提升系统在极端工况下的鲁棒性，降低因功率器件开路故障导致的停机风险。建议研发团队将其应用于iSo...
基于虚拟阻抗控制的电机模拟器带宽提升
Bandwidth Enhancement of Electric Machine Emulator With Virtual-Impedance Control
Shihao Xia · Ke Ma · Yuhao Qi · Xu Cai 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
电机模拟器（EME）是验证电力电子变换器在复杂任务剖面下性能的关键测试手段。闭环电流控制器（CLCC）是其核心，但受限于系统带宽，难以模拟高频动态特性。本文提出一种虚拟阻抗控制策略，旨在提升EME的控制带宽，从而更精确地模拟电机行为，为电力电子设备的研发与测试提供高保真环境。
解读: 该技术对阳光电源的研发测试平台具有重要价值。在储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及风电变流器的研发过程中，利用高带宽电机模拟器可更精准地复现电网或负载的动态特性，缩短产品开发周期并提升系统可靠性。此外，该技术可优化充电桩测试系统的动态响应，提升对电动汽车动力系统兼容性的验证能力...
针对车辆阴影干扰的路面光伏三层分级功率平抑控制策略
A Three-Level Hierarchical Power Smoothing Control Strategy for Pavement Photovoltaics Under Vehicle Shadow Disturbance
Mingxuan Mao · Yuhao Tang · Fuping Ma · Haojin Sun 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月
本文提出了一种针对路面光伏在车辆阴影干扰下功率波动的三层分级平抑控制策略。通过在逆变器控制环节应用虚拟阻抗电流-电压下垂控制，并对逆变器支路与混合储能支路进行阻抗整形，实现了三层交叉控制机制，有效平抑了光伏输出功率波动，提升了系统稳定性。
解读: 该研究提出的分级功率平抑策略对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要参考价值。在分布式光伏与储能协同应用场景中，车辆阴影造成的快速功率波动是影响电能质量的关键挑战。通过引入虚拟阻抗下垂控制与阻抗整形技术，可优化阳光电源iSolarCloud智能运维平台下的...
多芯片功率模块的频域热耦合模型
Frequency-Domain Thermal Coupling Model of Multi-Chip Power Module
Mengqi Xu · Ke Ma · Yuhao Qi · Xu Cai 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月
针对高功率密度IGBT模块中复杂的热耦合效应，本文提出了一种频域热耦合建模方法。该方法克服了传统热模型仅简单叠加侧向热传导的局限性，能够更精确地描述多芯片间的动态热相互作用，为功率模块的热设计与可靠性评估提供了理论支撑。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率电子技术。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）向更高功率密度演进的过程中，IGBT模块的热管理是制约可靠性的关键。该频域热耦合模型能显著提升热仿真精度，帮助研发团队在设计阶段更准确地预测多芯片模块在复杂工况下的温度分布，...
GaN HEMT稳态开关过程中的输出电容损耗
Output Capacitance Loss of GaN HEMTs in Steady-State Switching
Qihao Song · Ruizhe Zhang · Qiang Li · Yuhao Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月
本文针对高频应用中GaN HEMT输出电容（C_OSS）充放电产生的损耗问题，提出了一种基于非钳位电感开关（UIS）测试平台的简便损耗表征方法，为高频功率变换器的效率评估提供了新手段。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型储能系统（如PowerStack）中对高功率密度和高效率的追求，GaN器件的应用趋势日益明显。该研究提出的C_OSS损耗表征方法，能够帮助研发团队更精准地评估GaN器件在高频开关下的损耗特性，从而优化逆变器及DC-DC变换器的磁性元件设计与驱动电路参数。建议在下一代...
基于参数优化嵌入式离散时间重复ADRC的IPMSM驱动多扰动抑制
Multiple Disturbance Suppression of IPMSM Drives Based on Embedded Discrete-Time Repetitive ADRC With Optimized Parameter Selection
Cheng Luo · Zhijie Xu · Kai Yang · Wei Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月
针对内置式永磁同步电机（IPMSM）驱动系统中电流环存在的周期性扰动及ADRC参数整定困难问题，本文提出了一种嵌入式离散时间重复ADRC控制策略。该方法通过引入重复控制增强了对特定频率扰动的抑制能力，并优化了控制器参数，有效提升了系统的动态性能与鲁棒性。
解读: 该技术主要针对电机驱动控制，与阳光电源的电动汽车充电桩（电机驱动相关控制）及风电变流器产品线具有技术同源性。ADRC（自抗扰控制）结合重复控制策略在处理周期性扰动方面表现优异，可提升变流器在复杂电网环境下的电流控制精度和抗干扰能力。建议研发团队关注该算法在风电变流器侧网侧电流环的应用，以优化弱电网下...
最小化氮化镓功率HEMT的输出电容损耗
Minimizing Output Capacitance Loss in GaN Power HEMT
Qihao Song · Adam Briga · Valery Veprinsky · Roman Volkov 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
输出电容（COSS）损耗（EDISS）源于功率器件在充放电循环中的非理想特性。尽管理想状态下该过程应无损耗，但研究表明，对于高频软开关应用中的宽禁带半导体器件，该损耗已成为关键的效率瓶颈。本文探讨了其物理起源及降低该损耗的优化策略。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度和高效率的追求，GaN器件的应用已成为技术迭代的关键。该研究针对GaN器件在高频软开关下的COSS损耗优化，直接关系到逆变器在轻载及高频工作模式下的转换效率提升。建议研发团队在下一代高频组串式逆变器及微型逆变器设计中，引入该损耗模型进行电路参...
垂直结构氮化镓鳍式结型场效应管
Fin JFET）短路鲁棒性的突破
Ruizhe Zhang · Jingcun Liu · Qiang Li · Subhash Pidaparthi 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月
当前商用氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）短路鲁棒性不足，在400V总线电压下短路耐受时间通常小于1μs，远低于汽车动力总成要求的10μs以上。本文展示了一种垂直结构GaN Fin JFET，通过器件结构创新显著提升了短路耐受能力，为GaN器件在高性能电力电子系统中的应用提供了新路径。
解读: 该研究针对GaN器件短路耐受力弱这一行业痛点，提出了垂直结构GaN Fin JFET方案。对于阳光电源而言，该技术若实现商业化，将极大提升公司在电动汽车充电桩及高功率密度光伏逆变器中的竞争力。特别是在户用光伏逆变器和充电桩产品线中，利用高鲁棒性的GaN器件可进一步减小磁性元件体积，提升整机效率与可靠...
通过多功能单片保护电路提高GaN功率HEMT的稳定性
Stability Improvement of GaN Power HEMT by a Multifunctional Monolithic Protection Circuit
Qihao Song · Xin Yang · Bixuan Wang · Everest Litchford 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月
本文提出了一种与GaN功率HEMT单片集成的栅极静电放电（ESD）保护电路。该多功能电路不仅增强了栅极的ESD鲁棒性，还在功率HEMT正常开关操作期间提高了导通电阻（RON）和阈值电压（VTH）的稳定性。
解读: GaN作为宽禁带半导体，在提升功率密度和开关频率方面具有显著优势。该研究提出的单片集成保护电路有效解决了GaN器件在实际应用中常见的ESD脆弱性及动态导通电阻漂移问题，这对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要参考价值。通过提升器件级的可靠性，可进一步缩小逆变器体积并提升转换效率。建议研...
共源共栅GaN HEMT在高频软开关应用中输出电容损耗的起源
Origin of Soft-Switching Output Capacitance Loss in Cascode GaN HEMTs at High Frequencies
Qihao Song · Ruizhe Zhang · Qiang Li · Yuhao Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月
本文研究了GaN HEMT在高频软开关应用中输出电容（COSS）损耗（EDISS）的物理机制。研究指出，共源共栅（Cascode）结构的GaN器件在充放电过程中存在非理想损耗，这成为限制高频功率变换效率的关键瓶颈。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩领域对功率密度要求的不断提升，高频化已成为核心技术趋势。GaN器件凭借优异的开关特性成为提升效率的关键，但共源共栅GaN在高频软开关下的损耗问题直接影响整机效率与热设计。建议研发团队在开发下一代高频紧凑型逆变器或充电模块时，重点评估该损耗机制对系统效率的影响...
接近击穿电压下GaN HEMT在过压硬开关中的退化与恢复
Degradation and Recovery of GaN HEMTs in Overvoltage Hard Switching Near Breakdown Voltage
Joseph P. Kozak · Qihao Song · Ruizhe Zhang · Yunwei Ma 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月
GaN HEMT器件雪崩能力有限，在接近动态击穿电压（BVdyn）的过压硬开关条件下易发生灾难性失效。本文首次对比研究了三种主流GaN HEMT在重复过压开关过程中的参数漂移与恢复特性，揭示了其在极限工况下的可靠性演变规律。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用日益广泛。该研究揭示了GaN在极限过压工况下的退化机制，对于优化逆变器及充电桩的驱动电路设计、过压保护策略及器件选型具有重要指导意义。建议研发团队在设计高频功率模块时，充分考虑动态击穿电压限制，并利用文中提到的恢...
具有有源自举和无限CMTI电平移位器的双NMOS氮化镓栅极驱动器，用于可配置dV/dt和MHz级运行
Dual-NMOS GaN Gate Driver With Active Bootstrap and Infinite-CMTI Level Shifter for Configurable dV/dt and MHz Operation
Yuhao Xiong · Xihao Liu · Wenxing Cao · Zhuoqi Guo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
本文提出了一种新型双NMOS氮化镓（GaN）栅极驱动器，集成了有源自举（BST）电路和高共模瞬态抗扰度（CMTI）电容式电平移位器（LS）。该设计利用双向NMOS BST开关对及专用控制电路，替代了传统PMOS方案，实现了更可靠的浮动栅极电压控制，支持MHz级高频开关及可配置的dV/dt，提升了功率变换器的效率与功率密度。
解读: 该技术对阳光电源的高频化、高功率密度产品研发具有重要意义。随着光伏逆变器（尤其是组串式逆变器）和储能PCS向更高功率密度演进，GaN器件的应用已成趋势。该驱动器方案通过提升CMTI和实现MHz级开关，能有效解决高频切换下的电磁干扰和驱动可靠性问题，有助于优化阳光电源下一代小型化、高效率逆变器及储能变...
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