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最小化氮化镓功率HEMT的输出电容损耗
Minimizing Output Capacitance Loss in GaN Power HEMT
| 作者 | Qihao Song · Adam Briga · Valery Veprinsky · Roman Volkov · Qiang Li · Yuhao Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN 功率 HEMT 输出电容 COSS 损耗 EDISS 宽禁带器件 软开关 电力电子 |
语言:
中文摘要
输出电容（COSS）损耗（EDISS）源于功率器件在充放电循环中的非理想特性。尽管理想状态下该过程应无损耗，但研究表明，对于高频软开关应用中的宽禁带半导体器件，该损耗已成为关键的效率瓶颈。本文探讨了其物理起源及降低该损耗的优化策略。
English Abstract
Output capacitance (COSS) loss (EDISS) is produced when the COSS of a power device undergoes a cycle of charging and discharging, which ideally should be a lossless process. This nonideal phenomenon has been recently revealed to be a critical loss for wide-bandgap devices in high-frequency, soft-switching applications. Despite many studies on its characterizations and physical origins, the reducti...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度和高效率的追求，GaN器件的应用已成为技术迭代的关键。该研究针对GaN器件在高频软开关下的COSS损耗优化，直接关系到逆变器在轻载及高频工作模式下的转换效率提升。建议研发团队在下一代高频组串式逆变器及微型逆变器设计中，引入该损耗模型进行电路参数优化，以进一步减小散热器体积，实现产品的小型化与高功率密度化，保持在户用及工商业光伏市场的技术领先优势。