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GaN HEMT稳态开关过程中的输出电容损耗
Output Capacitance Loss of GaN HEMTs in Steady-State Switching
| 作者 | Qihao Song · Ruizhe Zhang · Qiang Li · Yuhao Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMTs 输出电容 C_OSS损耗 开关损耗 高频应用 电力电子 表征方法 |
语言:
中文摘要
本文针对高频应用中GaN HEMT输出电容（C_OSS）充放电产生的损耗问题，提出了一种基于非钳位电感开关（UIS）测试平台的简便损耗表征方法，为高频功率变换器的效率评估提供了新手段。
English Abstract
The output capacitance (${C}_{\text{OSS}}$) loss, a loss produced when the device's output capacitor is charged and discharged, has become a concern for GaN high electron mobility transistors (HEMTs) in high-frequency applications. This work presents a new, easy-to-implement method for the ${C}_{\text{OSS}}$ loss characterization based on the unclamped inductive switching setup. As compared with p...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型储能系统（如PowerStack）中对高功率密度和高效率的追求，GaN器件的应用趋势日益明显。该研究提出的C_OSS损耗表征方法，能够帮助研发团队更精准地评估GaN器件在高频开关下的损耗特性，从而优化逆变器及DC-DC变换器的磁性元件设计与驱动电路参数。建议在下一代高频化、小型化产品研发中引入该测试方法，以提升整机效率并优化热管理设计，进一步巩固阳光电源在电力电子变换技术领域的领先地位。