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| 作者 | Matthias Kasper · Ralph Burkat · Ferald Deboy · Johann Kolar |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 DC-DC变换器 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 功率MOSFET ZVS Qoss 开关损耗 功率密度 变换器拓扑 软开关 |
语言:
中文摘要
本文针对高效率、高功率密度变换器对零电压开关（ZVS）的需求，指出判断ZVS实现的关键在于考虑MOSFET内部存储电荷。文中提出了LI²≥2Qoss的判定条件，并分析了软开关不完全时的损耗情况，为功率变换器的设计提供了理论依据。
English Abstract
Aiming for converters with high efficiency and high power density demands converter topologies with zero-voltage switching (ZVS) capabilities. This letter shows that in order to determine whether ZVS is provided at a given operating point, the stored charge within the mosfets has to be considered and the condition LI2≥2Qoss has to be fulfilled. In the case of incomplete soft switching, nonzero los...
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SunView 深度解读
该研究直接关系到阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及DC-DC变换模块）的效率提升与功率密度优化。随着SiC等宽禁带半导体在阳光电源产品中的广泛应用，准确评估Qoss对实现ZVS至关重要。建议研发团队在设计高频DC-DC变换级（如储能PCS的升压电路）时，严格遵循LI²≥2Qoss判定准则，以降低开关损耗，提升整机效率，从而在激烈的市场竞争中保持高功率密度优势。