Matthias Kasper · Ralph Burkat · Ferald Deboy · Johann Kolar · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年1月

本文针对高效率、高功率密度变换器对零电压开关（ZVS）的需求，指出判断ZVS实现的关键在于考虑MOSFET内部存储电荷。文中提出了LI²≥2Qoss的判定条件，并分析了软开关不完全时的损耗情况，为功率变换器的设计提供了理论依据。

解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及DC-DC变换模块）的效率提升与功率密度优化。随着SiC等宽禁带半导体在阳光电源产品中的广泛应用，准确评估Qoss对实现ZVS至关重要。建议研发团队在设计高频DC-DC变换级（如储能PCS的升压电路）时，严格遵循LI²≥...

Marcello Cioni · Alessandro Chini · Giacomo Cappellini · Giovanni Giorgino 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月

在本简报中，我们研究了650 V封装的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的动态 $Q_{\text {OSS}}$ 与动态 $R_{\text {ON}}$ 之间的相关性。为此，我们提出了一种新颖的测量装置，用于评估传统开关模式操作期间这两个参数的实时演变。在 $V_{\text {DS}} = 200$ V 下进行的测量表明，动态 $R_{\text {ON}}$ 和动态 $Q_{\text {OSS}}$ 呈现出相似的指数瞬态和时间常数，这可能是由GaN缓冲层中与碳相关的受主电...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于GaN HEMT器件动态特性关联性的研究具有重要的工程应用价值。GaN功率器件凭借其高开关频率、低导通损耗等优势，已成为我司新一代光伏逆变器和储能变流器的核心技术路线。 该研究揭示了动态导通电阻（Dynamic-RON）与动态输出电荷（Dynamic-QOSS）之...