← 返回
避免硅MOSFET雪崩并实现级联GaN器件的零电压开关
Avoiding Si MOSFET Avalanche and Achieving Zero-Voltage Switching for Cascode GaN Devices
| 作者 | Xiucheng Huang · Weijing Du · Fred C. Lee · Qiang Li · Zhengyang Liu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | Cascode GaN Si MOSFET 雪崩 零电压开关 (ZVS) 宽禁带器件 关断过程 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文探讨了高压常开型宽禁带器件与低压常关型硅MOSFET组成的级联结构。分析了关断过程中的电压分布原理及开通时的零电压开关（ZVS）机制，旨在解决级联结构中可能出现的硅MOSFET雪崩击穿问题，并优化开关性能。
English Abstract
The cascode structure is widely used for high-voltage normally-on wide-bandgap devices. However, the interaction between the high-voltage normally-on device and the low-voltage normally-off Si MOSFET may induce undesired features. This paper analyzes the voltage distribution principle during the turn-off transition as well as the zero-voltage-switching (ZVS) principle during the turn-on transition...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能系统（如PowerStack）中对高功率密度和高效率的需求日益增长，GaN器件的应用潜力巨大。级联GaN结构是目前实现高压应用的主流方案，但其可靠性（如Si MOSFET雪崩风险）是工程化落地的关键。本文提出的ZVS实现策略和电压应力优化方法，对阳光电源研发团队优化高频变换器拓扑、提升产品转换效率及降低EMI噪声具有重要的指导意义。建议在下一代高频紧凑型逆变器设计中，重点评估该控制策略对降低功率模块损耗的实际贡献。