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具有有源自举和无限CMTI电平移位器的双NMOS氮化镓栅极驱动器，用于可配置dV/dt和MHz级运行
Dual-NMOS GaN Gate Driver With Active Bootstrap and Infinite-CMTI Level Shifter for Configurable dV/dt and MHz Operation
| 作者 | Yuhao Xiong · Xihao Liu · Wenxing Cao · Zhuoqi Guo · Zhongming Xue · Li Geng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 光伏逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN栅极驱动器 有源自举电路 CMTI 电平移位器 MHz级运行 电力电子 双NMOS |
语言:
中文摘要
本文提出了一种新型双NMOS氮化镓（GaN）栅极驱动器，集成了有源自举（BST）电路和高共模瞬态抗扰度（CMTI）电容式电平移位器（LS）。该设计利用双向NMOS BST开关对及专用控制电路，替代了传统PMOS方案，实现了更可靠的浮动栅极电压控制，支持MHz级高频开关及可配置的dV/dt，提升了功率变换器的效率与功率密度。
English Abstract
This letter proposes a novel dual-NMOS gallium-nitride gate driver integrating an active bootstrap (BST) and a high common-mode transient immunity (CMTI) capacitive level shifter (LS). Compared to conventional PMOS-based BST circuits requiring extra LSs, the proposed design utilizes bidirectional NMOS BST switch pairs with dedicated on-off control circuit, providing reliable floating gate voltage ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的高频化、高功率密度产品研发具有重要意义。随着光伏逆变器（尤其是组串式逆变器）和储能PCS向更高功率密度演进，GaN器件的应用已成趋势。该驱动器方案通过提升CMTI和实现MHz级开关，能有效解决高频切换下的电磁干扰和驱动可靠性问题，有助于优化阳光电源下一代小型化、高效率逆变器及储能变流器（如PowerTitan系列）的功率模块设计，提升系统整体转换效率。