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一种用于消除桥臂配置中寄生导通的新型RCD电平转换器
A Novel RCD Level Shifter for Elimination of Spurious Turn-on in the Bridge-Leg Configuration
Jianjing Wang · Henry Shu-Hung Chung · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年2月
随着桥臂配置中开关速度和功率等级的提升，同步开关中的寄生触发脉冲易超过阈值电压，导致寄生导通。消除该现象对于防止开关损耗过大、自激振荡及桥臂直通至关重要。本文提出了一种新型RCD电平转换器，旨在有效抑制桥臂配置中的寄生导通问题。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器和PowerTitan储能系统）具有重要意义。随着SiC和GaN等宽禁带半导体在高性能逆变器中的广泛应用，开关频率不断提高，桥臂寄生导通带来的直通风险和损耗问题日益突出。该新型RCD电平转换器方案可优化驱动电路设计，提升高频功率模块的可靠性与效率。建议...
具有有源自举和无限CMTI电平移位器的双NMOS氮化镓栅极驱动器，用于可配置dV/dt和MHz级运行
Dual-NMOS GaN Gate Driver With Active Bootstrap and Infinite-CMTI Level Shifter for Configurable dV/dt and MHz Operation
Yuhao Xiong · Xihao Liu · Wenxing Cao · Zhuoqi Guo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
本文提出了一种新型双NMOS氮化镓（GaN）栅极驱动器，集成了有源自举（BST）电路和高共模瞬态抗扰度（CMTI）电容式电平移位器（LS）。该设计利用双向NMOS BST开关对及专用控制电路，替代了传统PMOS方案，实现了更可靠的浮动栅极电压控制，支持MHz级高频开关及可配置的dV/dt，提升了功率变换器的效率与功率密度。
解读: 该技术对阳光电源的高频化、高功率密度产品研发具有重要意义。随着光伏逆变器（尤其是组串式逆变器）和储能PCS向更高功率密度演进，GaN器件的应用已成趋势。该驱动器方案通过提升CMTI和实现MHz级开关，能有效解决高频切换下的电磁干扰和驱动可靠性问题，有助于优化阳光电源下一代小型化、高效率逆变器及储能变...