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基于多通道结构的高电流密度GaN基P沟道FinFET演示
Demonstration of a GaN-based P-channel FinFET with high current density based on multi-channel structure
Xu Liu · Shengrui Xu · Tao Zhang · Hongchang Tao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年5月 · Vol.126
本文报道了一种基于多通道结构的氮化镓（GaN）P沟道FinFET器件，实现了高漏极电流密度。通过精确设计鳍状沟道的几何结构与掺杂分布，有效提升了空穴载流子的输运特性与栅控能力。实验结果表明，该器件在常温下表现出良好的开关特性与饱和电流输出，最大漏极电流密度显著优于同类P型GaN器件。该结构为高性能GaN基互补逻辑电路的发展提供了可行的技术路径。
解读: 该GaN基P沟道FinFET技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。多通道结构实现的高电流密度特性,可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。作为互补逻辑电路的关键器件,该P型GaN器件有助于开发更高效的三电平拓扑结构,特别适用于车载OBC等对体积敏感的应用场景。其优异的开关特性...
具有高击穿电压和高温度灵敏度的614 MW/cm² AlGaN沟道肖特基势垒二极管
A 614 MW/cm2 AlGaN-channel Schottky barrier diode with high breakdown voltage and high temperature sensitivity
Heyuan Chen · Tao Zhang · Huake Su · Xiangdong Li 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
本文报道了一种基于AlGaN沟道的高性能肖特基势垒二极管，其功率密度高达614 MW/cm²，兼具高击穿电压与优异的温度灵敏度。通过优化AlGaN材料结构与界面特性，器件在高温环境下表现出稳定的电学性能和良好的热响应特性，适用于高频、高功率及高温电子应用。实验结果表明，该二极管在反向击穿电压和正向导通特性之间实现了良好平衡，同时展现出显著的温度依赖性电流输运行为，为高温传感与高功率整流集成提供了新思路。
解读: 该AlGaN肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。614 MW/cm²的高功率密度特性可应用于SG系列高功率密度光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率模块设计，有助于提升功率密度和转换效率。其优异的高温特性对车载OBC和充电桩等高温工作环境下的器件选型提供新思路。该技术的温度灵敏特性...
基于改进开关模型的SiC MOSFET超低关断损耗现象研究
Investigation on Ultralow Turn-off Losses Phenomenon for SiC MOSFETs With Improved Switching Model
Yue Xie · Cai Chen · Yiyang Yan · Zhizhao Huang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月
传统SiC MOSFET开关模型在小驱动电阻和小负载电流条件下无法精确预测关断损耗，原因在于未考虑SiC MOSFET在二极管进入续流状态前关闭沟道的特殊情况。本文提出了一种改进的SiC MOSFET关断模型，以解决这一预测偏差问题。
解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器实现高功率密度和高效率的核心器件。该研究提出的改进开关模型能更精准地评估器件在轻载及特定驱动条件下的损耗，有助于优化逆变器和PCS的驱动电路设计，提升整机效率。建议研发团队将该模型集成至仿真平台，以优化高...
电容耦合电能传输系统共享信道上的全双工通信
Full-Duplex Communication on the Shared Channel of a Capacitively Coupled Power Transfer System
Yu-Gang Su · Wei Zhou · Aiguo Patrick Hu · Chun-Sen Tang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年4月
本文提出了一种新型电容耦合电能传输（CCPT）系统，实现了功率与信号在共享信道上的全双工传输。通过建立功率与信号通道的频域模型，分析了信道传输特性及功率流对信号传输的影响，为无线电能传输系统中的数据通信提供了理论基础。
解读: 该技术在无线电能传输领域具有前瞻性，对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有潜在参考价值。随着无线充电技术的演进，在功率传输的同时实现高效全双工通信，可优化充电桩与电动汽车间的BMS数据交互，提升用户体验。此外，该技术在储能系统内部模块间通信或特定工业场景下的非接触式能量与信号传输中亦有应用潜力，建议研发...
一种基于改进型GaN HEMT开关模型的动态死区时间自适应调整方法
A High-Efficiency Dynamic Inverter Dead-Time Adjustment Method Based on an Improved GaN HEMTs Switching Model
Yi Zhang · Cai Chen · Yue Xie · Teng Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月
得益于快速开关特性，氮化镓（GaN）HEMT被广泛应用于高频功率变换器。然而，GaN器件的关断时间与工作条件（如负载电流）高度相关，差异可达20倍以上。使用固定死区时间会导致效率降低或直通风险。本文提出了一种基于改进开关模型的动态死区时间调整方法，以提升变换器效率。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要价值。随着高频化趋势，GaN器件的应用能显著减小体积并提升功率密度。然而，GaN的死区敏感性是制约效率的关键瓶颈。通过引入动态死区调整算法，可有效降低开关损耗，提升整机效率，同时增强系统在高频运行下的可靠性。建议研发团队在下一代高功率密度户用...
混合封装SiC功率模块中寄生电容对传导EMI及开关损耗的综合分析与优化
Comprehensive Analysis and Optimization of Parasitic Capacitance on Conducted EMI and Switching Losses in Hybrid-Packaged SiC Power Modules
Yifan Zhang · Yue Xie · Cai Chen · Xinyue Guo 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月
宽禁带（WBG）器件的高开关速度为功率模块发展带来突破，但寄生参数在高频切换下加剧了功率损耗与电磁干扰（EMI）问题。本文提出了一种具有超低寄生参数的1200V/24A SiC半桥功率模块，旨在优化开关性能并抑制EMI。
解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线的技术迭代。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成必然。通过优化功率模块的寄生电容，不仅能显著降低开关损耗，提升整机效率，还能有效解决高频化带来的EMI合规性难题，降低滤波器设计...
基于直流母线电压解耦的整流电流调节的无电解电容永磁同步电机驱动谐波抑制
Harmonic Suppression Based on Rectified Current Regulation With DC-Link Voltage Decoupling for Electrolytic Capacitorless PMSM Drives
Dawei Ding · Hui Xie · Binxing Li · Gaolin Wang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月
本文针对无电解电容永磁同步电机驱动系统，提出了一种基于直流母线电压解耦的整流电流调节（RCR-DVD）策略，以提升网侧电流的谐波抑制性能。通过建立RCR驱动的小信号模型，揭示了谐波干扰的产生机理，并验证了该策略在优化电能质量方面的有效性。
解读: 该文献探讨的无电解电容驱动技术及谐波抑制策略，主要应用于电机驱动领域。对于阳光电源而言，其核心价值在于“功率变换环节的电容优化”与“电能质量控制”。在阳光电源的电动汽车充电桩及部分工业变频产品中，通过先进的控制算法（如RCR-DVD）替代大体积电解电容，有助于提升功率密度并延长系统寿命。建议研发团队...
基于改进型GaN HEMT模型的GaN基TCM变换器死区时间能量损耗分析
Analysis of Dead-Time Energy Loss in GaN-Based TCM Converters With an Improved GaN HEMT Model
Yi Zhang · Wenzhe Xu · Yue Xie · Teng Liu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月
针对GaN基三角电流模式（TCM）应用，死区时间对开关损耗影响显著。现有GaN HEMT模型多关注开关过程，缺乏对死区效应的充分考虑。本文分析了死区时间过长或不足下的开关瞬态特性，并提出改进模型以准确评估能量损耗。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型储能PCS中对高功率密度和高效率的追求，GaN器件的应用日益广泛。TCM（三角电流模式）是实现高频软开关的关键技术，但死区时间控制直接影响效率上限。本文提出的改进型GaN模型有助于研发团队在设计高频DC-DC变换器时，更精确地优化死区参数，从而降低开关损耗，提升整机...
基于容错策略的模块化轮毂电机开路故障及非对称绕组运行下的电磁-热特性改善
Improvement of Electromagnetic-Thermal Characteristics in a Modular In-Wheel Motor Under Open-Circuit Faults and Asymmetric Working Winding Operations Based on Fault-Tolerant Strategy
Yue Tang · William Cai · Ying Xie · Feng Chai 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文研究了多单元模块化轮毂电机在开路故障及容错运行下的电磁与热特性。针对故障导致绕组空间不对称引发的性能下降及局部过热问题，提出了优化容错控制策略，旨在提升电机在故障状态下的利用率与功率密度，并改善电磁-热耦合性能。
解读: 该研究聚焦于电机驱动系统的容错控制与多物理场耦合分析，对阳光电源的电动汽车充电桩及相关电力电子驱动技术具有参考价值。虽然阳光电源核心业务为光伏与储能，但其在电力电子拓扑、热管理及故障诊断方面的技术积累与本文相通。建议将文中提出的电磁-热耦合仿真方法及容错控制逻辑，应用于充电桩功率模块的可靠性设计，或...