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电动汽车驱动 ★ 4.0

SnO2薄膜上Ni肖特基接触的形成及准垂直型肖特基势垒二极管

Formation of Ni Schottky contact and quasi-vertical Schottky barrier diode on SnO2 thin film

Fengxin Liu · Qi Zhang · Yue Chen · Qiang Li 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

报道了在SnO2薄膜上形成的Ni肖特基接触及其准垂直型肖特基势垒二极管。通过材料生长与器件制备工艺优化,实现了良好的整流特性与低漏电流。该研究为宽禁带半导体器件的发展提供了实验依据和技术支持。

解读: 该SnO2基肖特基势垒二极管技术对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。Ni/SnO2肖特基接触的低漏电流和良好整流特性可应用于SG系列光伏逆变器和ST储能变流器的功率模块保护电路,作为快速恢复二极管替代方案。准垂直结构设计思路可借鉴至SiC/GaN器件封装优化,降低通态压降和开关损耗。SnO2宽禁...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于多通道结构的高电流密度GaN基P沟道FinFET演示

Demonstration of a GaN-based P-channel FinFET with high current density based on multi-channel structure

Xu Liu · Shengrui Xu · Tao Zhang · Hongchang Tao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于多通道结构的氮化镓(GaN)P沟道FinFET器件,实现了高漏极电流密度。通过精确设计鳍状沟道的几何结构与掺杂分布,有效提升了空穴载流子的输运特性与栅控能力。实验结果表明,该器件在常温下表现出良好的开关特性与饱和电流输出,最大漏极电流密度显著优于同类P型GaN器件。该结构为高性能GaN基互补逻辑电路的发展提供了可行的技术路径。

解读: 该GaN基P沟道FinFET技术对阳光电源的功率变换产品具有重要价值。多通道结构实现的高电流密度特性,可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度。作为互补逻辑电路的关键器件,该P型GaN器件有助于开发更高效的三电平拓扑结构,特别适用于车载OBC等对体积敏感的应用场景。其优异的开关特性...

光伏发电技术 储能系统 DAB ★ 5.0

考虑可交易绿色证书的光伏发电经济性评估与电网平价分析

Economic assessment and grid parity analysis of photovoltaic power generation considering tradable green certificate

Chizhong Wang · Heng Chen · Zhengwei Wang · Yue Gao 等5人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.382

可交易绿色证书(TGC)制度为中国推进光伏发电实现电网平价提供了新的机遇。本文建立了一个包含TGC对光伏(PV)项目经济可行性影响的光伏发电平准化度电成本(LCOE)评估模型。该模型针对中国独特的税收制度进行了优化,并应用于分析2022年中国各省份光伏发电的经济表现。随后,通过敏感性分析评估了光伏发电LCOE对不同影响因素的响应程度,识别出影响光伏项目经济效率的关键要素。最后,采用情景分析方法,计算在多种未来情景下各省份LCOE可能的下降路径,探讨在TGC制度框架下的成本降低潜力。研究结果表明,...

解读: 该研究对阳光电源光伏逆变器产品线(SG系列)及储能系统(ST系列PCS)具有重要战略意义。绿证机制下LCOE降低5.19%,验证了系统经济性优化方向。初始投资成本是主导因素,印证了我司1500V高压系统、SiC功率器件应用及MPPT优化技术的降本价值。建议结合iSolarCloud平台数据,针对各省...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 5.0

通过半导体基质进行载流子管理以实现高效自供电量子点红外探测器

Charge carrier management via semiconducting matrix for efficient self-powered quantum dot infrared photodetectors

Jianfeng DingXinying LiuYueyue GaoChen DongGentian YueFurui Tan · 半导体学报 · 2025年1月 · Vol.46

基于量子点(QD)的红外光电探测器在红外监测、成像和光通信方面具有广阔前景。然而,自供电QD器件的光电性能受限于其固有的离散载流子传输机制。本文通过在QD薄膜中构建半导体基质,实现高效的载流子转移与提取。选用p型CuSCN作为能级匹配的基质材料,与n型胶体PbS QD形成异质结。该PbS QD/CuSCN基质不仅促进纳米界面处的载流子分离与传输,还提供连续导电通道,显著提升载流子迁移率与收集效率。器件在808 nm下实现4.38×10¹² Jones的高比探测率和782 mA/W的响应度,优于纯...

解读: 该量子点红外探测技术对阳光电源光伏及储能系统具有重要应用价值。其载流子管理机制可启发SG系列逆变器的MPPT算法优化:通过构建高效载流子传输通道提升光伏组件弱光响应性能,特别是在808nm近红外波段的探测能力可用于组件热斑监测。异质结界面载流子分离机制可借鉴至SiC/GaN功率器件的栅极驱动设计,降...