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功率器件技术 宽禁带半导体 ★ 4.0

p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜在p-n异质结二极管中的光电特性及应用

Optoelectronic properties and application of _p_-type ultrawide bandgap Zn0.7Ni0.3O1+δ thin films in p–n heterojunction diodes

Zhi Yue Xu · Xian Sheng Wang · Zhi Xiang Wei · Gui Shan Liu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜的制备及其在p-n异质结二极管中的应用。通过调控氧含量,实现了稳定的p型导电性,薄膜表现出高透光率和宽光学带隙。基于该薄膜构建的p-n异质结二极管展现出良好的整流特性与室温下的近紫外发光,表明其在透明电子器件和深紫外光电器件中具有潜在应用价值。

解读: 该p型超宽带隙Zn0.7Ni0.3O1+δ薄膜研究对阳光电源的功率器件技术发展具有重要参考价值。其优异的光电特性和宽带隙特征可应用于SiC/GaN功率模块的优化设计,特别是在高温、高频应用场景中。这项技术可用于提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率密度与效率。对于电动汽车充电桩产品线,该材...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

抑制陷阱效应的氮化镓HEMT沟道温度测量与热阻表征模型

Trap-suppressed channel temperature measurement and thermal resistance characterization model for GaN HEMTs

Suzhou Laboratory · Qing Zhu · Ke Xu · Yue Hao · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)中陷阱效应对沟道温度测量的干扰问题,提出了一种抑制陷阱效应的沟道温度提取与热阻表征模型。该模型通过动态栅压调控技术有效抑制表面和界面陷阱的充放电行为,结合电学法精确提取稳态与瞬态沟道温度,并建立与陷阱密度相关的热阻解析模型。实验结果表明,该方法显著降低了传统电学测温中的误差,提升了高温工作条件下器件热特性的表征精度,为GaN HEMTs的热管理设计提供了可靠依据。

解读: 该GaN HEMT热阻精确表征技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中,GaN器件因高频高效特性被广泛采用,但陷阱效应导致的温度测量误差直接影响热管理设计可靠性。该模型通过动态栅压调控抑制陷阱充放电,可精确提取沟道温度,为阳光电源优化GaN功率模块散热设计、提升...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

基于源/漏隧道结接触实现漏极电流超过110 mA/mm的增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管

Enhancement-mode GaN/AlGaN p-channel field effect transistors with _I_ D **>** 110 mA/mm achieved through source/drain tunnel junction contacts

Zhaofeng Wang · Zhihong Liu · Xiaojin Chen · Xing Chen 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种采用源极/漏极隧道结接触技术实现高性能增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管的研究。通过优化Mg掺杂p型层结构与低温外延生长工艺,显著提升了空穴浓度与迁移率,实现了低电阻欧姆接触。器件在常温下表现出增强型工作特性,最大漏极电流密度超过110 mA/mm,跨导达15 mS/mm,亚阈值摆幅为120 mV/dec。该结果为宽禁带半导体p沟道器件的性能突破提供了有效路径。

解读: 该p沟道GaN器件技术对阳光电源功率电子产品具有重要应用价值。110 mA/mm的电流密度和增强型特性可应用于:1)ST储能变流器和PowerTitan系统的双向功率变换模块,p沟道与n沟道GaN器件互补配对可实现更高效的三电平拓扑和双向DC-DC变换;2)车载OBC和电机驱动系统,p沟道器件可简化...

功率器件技术 SiC器件 GaN器件 ★ 4.0

具有AlN超晶格背势垒的SiC衬底双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管

Double-channel AlGaN/GaN Schottky barrier diode with AlN super back barrier on SiC substrate

Tao Zhang · Junjie Yu · Heyuan Chen · Yachao Zhang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种在SiC衬底上制备的具有AlN超晶格背势垒结构的双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。通过引入AlN超晶格作为背势垒,有效抑制了二维电子气向衬底方向的扩展,增强了载流子 confinement 效应,提升了器件的反向阻断能力与正向导通性能。该结构实现了高击穿电压与低泄漏电流的优异平衡。实验结果表明,器件具有较低的开启电压和高电流密度,同时反向击穿电压显著提高。该设计为高性能GaN基功率二极管的发展提供了可行方案。

解读: 该双通道AlGaN/GaN肖特基二极管技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。AlN超晶格背势垒结构可显著提升GaN器件的击穿电压和导通特性,这对SG系列1500V光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频化设计至关重要。特别是在三电平拓扑中,该技术可用于优化快恢复二极管的性能,有助于提升系统效率和...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

具有高击穿电压和高温度灵敏度的614 MW/cm² AlGaN沟道肖特基势垒二极管

A 614 MW/cm2 AlGaN-channel Schottky barrier diode with high breakdown voltage and high temperature sensitivity

Heyuan Chen · Tao Zhang · Huake Su · Xiangdong Li 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于AlGaN沟道的高性能肖特基势垒二极管,其功率密度高达614 MW/cm²,兼具高击穿电压与优异的温度灵敏度。通过优化AlGaN材料结构与界面特性,器件在高温环境下表现出稳定的电学性能和良好的热响应特性,适用于高频、高功率及高温电子应用。实验结果表明,该二极管在反向击穿电压和正向导通特性之间实现了良好平衡,同时展现出显著的温度依赖性电流输运行为,为高温传感与高功率整流集成提供了新思路。

解读: 该AlGaN肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。614 MW/cm²的高功率密度特性可应用于SG系列高功率密度光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率模块设计,有助于提升功率密度和转换效率。其优异的高温特性对车载OBC和充电桩等高温工作环境下的器件选型提供新思路。该技术的温度灵敏特性...

电动汽车驱动 ★ 4.0

SnO2薄膜上Ni肖特基接触的形成及准垂直型肖特基势垒二极管

Formation of Ni Schottky contact and quasi-vertical Schottky barrier diode on SnO2 thin film

Fengxin Liu · Qi Zhang · Yue Chen · Qiang Li 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

报道了在SnO2薄膜上形成的Ni肖特基接触及其准垂直型肖特基势垒二极管。通过材料生长与器件制备工艺优化,实现了良好的整流特性与低漏电流。该研究为宽禁带半导体器件的发展提供了实验依据和技术支持。

解读: 该SnO2基肖特基势垒二极管技术对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。Ni/SnO2肖特基接触的低漏电流和良好整流特性可应用于SG系列光伏逆变器和ST储能变流器的功率模块保护电路,作为快速恢复二极管替代方案。准垂直结构设计思路可借鉴至SiC/GaN器件封装优化,降低通态压降和开关损耗。SnO2宽禁...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

缺陷演化对14 MeV中子辐照后AlGaN/GaN HEMT电学性能的影响

The impact of defect evolution on the electrical performance of AlGaN/GaN HEMT after 14-MeV neutron irradiation

Von Bardeleben · Van De Walle · China Machine Press · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

研究了14 MeV中子辐照及退火处理对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)电学性能与缺陷演化关系的影响。随着辐照注量增加,器件的漏极电流、跨导及载流子浓度显著下降,而反向栅泄漏电流上升。通过深能级瞬态谱技术分析发现,中子辐照引入了多个深能级缺陷,其浓度随注量增加而升高,且在退火过程中部分缺陷发生转化或湮灭。研究表明,位移损伤导致的点缺陷及其演化进程是电学性能退化的主要机制,为HEMT在辐射环境中的可靠性评估提供了重要依据。

解读: 该GaN HEMT中子辐照损伤机理研究对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。研究揭示的深能级缺陷演化规律可指导SG系列光伏逆变器、ST储能变流器及电动汽车驱动系统中GaN器件的可靠性设计。针对辐照引起的载流子浓度下降、栅泄漏增加等退化机制,可优化器件筛选标准和老化测试方案。退火处理对缺陷的修复效应...

光伏发电技术 储能系统 SiC器件 GaN器件 ★ 5.0

钙钛矿太阳能电池中阳离子不均匀性的调控策略

Manipulation strategy of cation inhomogeneity in perovskite solar cells

Jiale Sun1Xuxia Shai1Weitao chen1Shenchao Li1Jinlan He1Xinxing Liu2Dongmei He2Yue Yu2Jiangzhao Chen2 · 半导体学报 · 2025年1月 · Vol.46

近年来研究表明,A位阳离子在决定有机-无机卤化铅钙钛矿的光电及理化性质中起关键作用。混合阳离子钙钛矿(MCPs)作为吸光层已实现超过26%的高功率转换效率。引入多种阳离子可优化晶格容忍因子,提升结构稳定性并增强化学稳定性。然而,MCPs普遍存在元素与相分离现象,影响器件效率与工作寿命,该问题广泛存在于二维或三维结构中。因此,揭示非均匀性与相分离的成因并发展有效的纳米尺度调控策略,对提升钙钛矿太阳能电池性能至关重要。

解读: 该钙钛矿阳离子均匀性调控技术对阳光电源光伏产品线具有前瞻性参考价值。研究揭示的混合阳离子钙钛矿相分离机制及纳米尺度调控策略,可为SG系列光伏逆变器的MPPT算法优化提供理论支撑——通过理解组件材料微观不均匀性对光电转换效率的影响,优化最大功率点追踪精度。对于1500V高压系统,该技术提升的组件稳定性...

储能系统技术 储能系统 深度学习 强化学习 ★ 5.0

受脑启发的协作式自动发电控制与大规模电动汽车集成

Brain-Inspired Collaborative Automatic Generation Control With Large-Scale Electric Vehicles Integration

Zhihong Liu · Lei Xi · Yue Quan · Chen Cheng 等5人 · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2024年10月

分布式能源、负荷与储能设备具有间歇性和强随机性,接入电网后易引发显著的频率波动。现有基于多智能体协同神经网络的控制算法易遭遇灾难性遗忘问题,难以在强随机扰动下实现最优控制。本文提出一种基于正交权重修正策略网络更新的近端受脑启发策略优化(PBPO)算法,赋予网络类脑上下文感知能力,从而加速多区域协同控制的收敛速度,有效抑制电网严重随机扰动引起的频率波动。通过大规模电动汽车接入场景下的两个负荷频率控制模型仿真验证,所提PBPO算法在收敛速度、频率稳定性及控制性能方面均优于多种强化学习算法。

解读: 该脑启发协同控制技术对阳光电源储能与充电桩产品具有重要应用价值。针对PowerTitan大型储能系统参与电网AGC调频场景,PBPO算法的抗遗忘特性可显著提升多储能站点协同响应能力,解决ST系列储能变流器在强随机扰动下的频率稳定问题。对于新能源汽车业务,该算法可优化大规模充电桩V2G协同控制策略,实...

风电变流技术 储能系统 ★ 5.0

近似自适应分布鲁棒优化在能量与备用调度中的应用

Approximately Adaptive Distributionally Robust Optimization for Energy and Reserve Dispatch

Kaiping Qu · Yue Chen · Changhong Zhao · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2025年1月

本文提出两种用于含风电不确定性能量与备用调度的近似自适应分布鲁棒优化(AADRO)新范式。基于分段线性策略的AADRO(PLP-AADRO)将自适应优化的补偿决策近似为分段仿射调整,而基于分段价值函数的AADRO(PVF-AADRO)将二次补偿问题转化为多个分段线性问题。通过等概率原则实现对风电模糊集的高质量分段,使分布鲁棒二次成本约束可分解为解耦的分段约束,从而构建低迭代或非迭代模型。利用对偶理论和S-引理,将两阶段AADRO精确转化为含半定约束的可处理形式;PVF-AADRO中的分布鲁棒成本...

解读: 该研究提出的近似自适应分布鲁棒优化方法对阳光电源储能系统的调度优化具有重要应用价值。特别是对PowerTitan大型储能系统和ST系列储能变流器的能量管理系统(EMS),可通过PLP-AADRO方法优化储能与风电联合调度策略,提升系统经济性。该方法能够有效处理风电出力不确定性,通过分段线性策略实现储...

储能系统技术 储能系统 构网型GFM ★ 5.0

系统强度约束下的构网型储能规划在可再生能源电力系统中的应用

System Strength Constrained Grid-Forming Energy Storage Planning in Renewable Power Systems

Yun Liu · Yue Chen · Huanhai Xin · Jingzhe Tu 等6人 · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2024年11月

随着基于逆变器的可再生能源逐步替代同步发电机,现代电力系统的系统强度显著下降,可能引发小信号稳定性问题。构网型换流器储能系统虽在提升系统强度方面具有灵活性和有效性,但其规划阶段的经济性与系统强度支撑能力协同优化仍缺乏研究。本文提出一种考虑系统强度约束的构网型储能优化规划方法,以实现期望的小信号稳定裕度。基于广义短路比框架,量化储能容量与位置对系统强度的影响,并构建含特征值约束的选址定容优化模型。考虑有无候选站点数量限制两种场景,设计基于二次支撑函数的迭代优化算法求解。在改进的IEEE 39节点和...

解读: 该研究对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统的构网型GFM控制技术具有重要应用价值。文中提出的基于广义短路比的储能选址定容优化方法,可直接应用于阳光电源储能系统规划方案设计,通过量化储能容量与位置对系统强度的贡献,优化PowerTitan在弱电网场景下的配置策略。特征值约束的...

光伏发电技术 储能系统 DAB ★ 5.0

考虑可交易绿色证书的光伏发电经济性评估与电网平价分析

Economic assessment and grid parity analysis of photovoltaic power generation considering tradable green certificate

Chizhong Wang · Heng Chen · Zhengwei Wang · Yue Gao 等5人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.382

可交易绿色证书(TGC)制度为中国推进光伏发电实现电网平价提供了新的机遇。本文建立了一个包含TGC对光伏(PV)项目经济可行性影响的光伏发电平准化度电成本(LCOE)评估模型。该模型针对中国独特的税收制度进行了优化,并应用于分析2022年中国各省份光伏发电的经济表现。随后,通过敏感性分析评估了光伏发电LCOE对不同影响因素的响应程度,识别出影响光伏项目经济效率的关键要素。最后,采用情景分析方法,计算在多种未来情景下各省份LCOE可能的下降路径,探讨在TGC制度框架下的成本降低潜力。研究结果表明,...

解读: 该研究对阳光电源光伏逆变器产品线(SG系列)及储能系统(ST系列PCS)具有重要战略意义。绿证机制下LCOE降低5.19%,验证了系统经济性优化方向。初始投资成本是主导因素,印证了我司1500V高压系统、SiC功率器件应用及MPPT优化技术的降本价值。建议结合iSolarCloud平台数据,针对各省...

光伏发电技术 可靠性分析 ★ 5.0

钠诱导的掺钨氧化铟薄膜及异质结太阳能电池在湿热环境中的退化

Sodium-induced degradation of tungsten doped indium oxide film and HJT solar cells in damp-heat environment

Yunren Luo · Jianhua Shi · Shuyi Chen · Haodong Chen 等14人 · Solar Energy · 2025年1月 · Vol.296

摘要 硅异质结(HJT)太阳能电池的可靠性是延长其光伏系统寿命的关键。钠被认为是使用钠钙玻璃封装的光伏组件性能衰减的主要因素之一。本研究探讨了在湿热条件(DH,85 °C和85%相对湿度)下,未封装HJT太阳能电池因NaHCO₃引起的退化行为。Na⁺和H₂O在IWO薄膜晶界处的化学吸附可促进氧化铟向氢氧化铟的转化,导致载流子迁移率下降以及晶界势垒升高。此外,Na⁺穿过IWO薄膜扩散至HJT太阳能电池的钝化层,会恶化nc-Si:H的钝化效果,从而引起HJT太阳能电池效率的降低。研究发现,具有大晶粒...

解读: 该研究揭示HJT电池在湿热环境下钠离子诱导的IWO薄膜降解机制,对阳光电源SG系列光伏逆变器系统可靠性设计具有重要参考价值。研究发现大晶粒IWO薄膜可显著降低效率衰减(从71.4%降至36.6%),为iSolarCloud平台的组件衰减预测模型提供理论依据。建议在逆变器MPPT算法中加入组件湿热老化...

电动汽车驱动 ★ 4.0

一种用于最大化无人机辅助移动边缘计算中计算速率的动态优化框架

A Dynamic Optimization Framework for Computation Rate Maximization in UAV-Assisted Mobile Edge Computing

Yang Chen · Dechang Pi · Shengxiang Yang · Yue Xu 等6人 · IEEE Transactions on Vehicular Technology · 2025年3月

移动边缘计算(MEC)显著提升了物联网(IoT)设备的计算能力并降低了其能耗,是云计算的重要补充。将无人机(UAV)应用于MEC系统可有效缓解偏远地区通信设施不足或损坏的问题,进一步拓展MEC的应用范围。本文针对动态环境下的无人机辅助无线供能MEC系统提出了一个系统模型,目标是最大化用户设备的计算速率。由于动态环境下优化目标的复杂性,我们提出了一种基于群体智能的优化框架,并配备应对环境变化的机制,旨在增强静态和动态环境下的种群多样性,以克服过早收敛问题。我们将粒子群优化算法和和声搜索算法集成到所...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项无人机辅助移动边缘计算(UAV-MEC)技术为分布式新能源系统的智能化管理提供了创新思路。当前,阳光电源在光伏电站、储能系统及综合能源解决方案中面临着偏远地区通信基础设施不足、实时数据处理能力受限等挑战,该技术恰好针对这些痛点提供了解决方案。 该论文提出的动态优化框架...

光伏发电技术 ★ 5.0

新型低热损光伏光热集热器耦合吸收式制冷系统的性能分析

Performance analysis of novel low heat loss photovoltaic thermal collector coupled absorption cooling systems

Ken Chen · Xue Liab · Kongfu Huab · Junjie Chen 等10人 · Solar Energy · 2025年1月 · Vol.300

摘要 太阳能光伏/光热(PV/T)集热器驱动的吸收式制冷系统具有同时发电和制冷的潜力。然而,传统的平板式PV/T集热器存在显著的热损失,特别是辐射和对流损失,导致其难以达到有效驱动吸收式制冷机所需的中高温出口温度。因此,这类系统通常需要辅助热源,从而降低了整体效率和经济可行性。为克服这些局限性,本研究提出并实验验证了两种新型低热损平板式PV/T集热器设计:低发射率PV/T集热器和真空低发射率PV/T集热器。这两种设计通过集成低发射率太阳能电池和真空中间层,在无需聚光或太阳跟踪系统的情况下有效抑制...

解读: 该低热损PV/T集热器技术为阳光电源光储冷联供系统提供创新方向。可结合SG系列光伏逆变器与ST储能系统,构建高效三联供方案:PV/T组件同步输出电能(经逆变器并网)和中高温热能(驱动吸收式制冷),配合储能系统削峰填谷。真空低发射率设计使集热器在80-110°C工况下热损降低75.7%,显著提升系统太...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 5.0

通过半导体基质进行载流子管理以实现高效自供电量子点红外探测器

Charge carrier management via semiconducting matrix for efficient self-powered quantum dot infrared photodetectors

Jianfeng DingXinying LiuYueyue GaoChen DongGentian YueFurui Tan · 半导体学报 · 2025年1月 · Vol.46

基于量子点(QD)的红外光电探测器在红外监测、成像和光通信方面具有广阔前景。然而,自供电QD器件的光电性能受限于其固有的离散载流子传输机制。本文通过在QD薄膜中构建半导体基质,实现高效的载流子转移与提取。选用p型CuSCN作为能级匹配的基质材料,与n型胶体PbS QD形成异质结。该PbS QD/CuSCN基质不仅促进纳米界面处的载流子分离与传输,还提供连续导电通道,显著提升载流子迁移率与收集效率。器件在808 nm下实现4.38×10¹² Jones的高比探测率和782 mA/W的响应度,优于纯...

解读: 该量子点红外探测技术对阳光电源光伏及储能系统具有重要应用价值。其载流子管理机制可启发SG系列逆变器的MPPT算法优化:通过构建高效载流子传输通道提升光伏组件弱光响应性能,特别是在808nm近红外波段的探测能力可用于组件热斑监测。异质结界面载流子分离机制可借鉴至SiC/GaN功率器件的栅极驱动设计,降...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

通过瞬态热表征理解短路应力下GaN HEMT位错缺陷的作用

Understanding the Role of Dislocation Defects of GaN HEMT under Short-Circuit Stress Through Transient Thermal Characterization

Xi Jiang · Yue Wu · Song Yuan · Xiangdong Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

摘要:氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在高母线电压条件下承受反复短路(SC)应力后容易迅速失效。衬底界面处的位错缺陷在引发器件退化和热击穿失效方面起着关键作用。然而,短路应力下位错缺陷的形成机制及其对氮化镓高电子迁移率晶体管短路能力的影响仍不明确。本文提出一种基于瞬态热阻表征的新方法,用于监测氮化镓高电子迁移率晶体管器件内部位错缺陷的演变。同时,建立了一个热模型来阐明位错缺陷对器件热特性的影响。通过分析短路应力前后氮化镓高电子迁移率晶体管的结构函数,将先前难以察觉的缺陷累积转化...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于GaN HEMT器件短路应力下位错缺陷演化的研究具有重要的战略价值。GaN功率器件因其高开关频率、低导通损耗和高功率密度特性,正逐步成为我司光伏逆变器和储能变流器的核心功率开关选择,特别是在高压大功率应用场景中。 该研究揭示的位错缺陷累积机制直接关系到产品可靠性这...

电动汽车驱动 SiC器件 多电平 ★ 5.0

一种用于中压电力牵引驱动的100 kHz内并联Si+SiC混合多电平变换器的设计与验证

Design and Validation of a 100 kHz Inner-Paralleled Si+SiC Hybrid Multilevel Converter for Medium-Voltage Electric Traction Drives

Feng Guo · Fei Diao · Zhuxuan Ma · Pengyu Lai 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年8月

本文针对 3 kV 直流母线的电力牵引驱动系统,设计并开发了一种新型的带有内部并联(IP)半桥(HB)的中压(MV)混合式多电平逆变器。在该提出的混合式拓扑结构中,每相由一个有源中性点钳位(ANPC)三电平(3 - L)单元和一个 IP 单元组成,其中 ANPC 三电平单元采用工作在基频的 3.3 kV 硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGBT),而 IP 单元采用定制的 3.3 kV H 桥碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET),工作频率为 50 kHz。通过线...

解读: 该100kHz Si+SiC混合多电平技术对阳光电源多条产品线具有重要应用价值。在新能源汽车业务中,可直接应用于电机驱动系统,高频运行特性能显著提升功率密度,降低车载系统体积重量。对于ST系列储能变流器和SG光伏逆变器,内并联混合拓扑可优化现有三电平方案,通过Si/SiC器件协同工作实现开关损耗与成...