找到 15 条结果

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拓扑与电路 双向DC-DC 储能变流器PCS 充电桩 ★ 5.0

基于参数等效与时域模型的宽电压范围双向谐振CLLC充电器设计方法

Design Methodology of Bidirectional Resonant CLLC Charger for Wide Voltage Range Based on Parameter Equivalent and Time Domain Model

Lie Zhao · Yunqing Pei · Laili Wang · Long Pei 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月

双向CLLC谐振变换器凭借软开关和双向功率流能力,在电池充电器和储能系统中极具潜力。传统CLLC设计多采用对称结构,但在宽电压范围应用中存在局限。本文提出了一种基于参数等效与时域模型的非对称设计方法,旨在优化宽电压范围下的变换效率与控制性能。

解读: 该技术直接契合阳光电源的核心业务。在PowerTitan/PowerStack储能系统及电动汽车充电桩产品线中,宽电压范围下的高效率双向DC-DC变换是提升系统能量密度的关键。通过采用非对称CLLC设计,可有效优化变换器在电池电压波动时的效率表现,减少开关损耗。建议研发团队将此参数等效建模方法应用于...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

碳化硅(SiC) MOSFET在极端高温下温度敏感电参数的调查与比较

Investigation and Comparison of Temperature-Sensitive Electrical Parameters of SiC mosfet at Extremely High Temperatures

Xiaohui Lu · Laili Wang · Qingshou Yang · Fengtao Yang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月

得益于碳化硅(SiC)材料的优异特性,SiC MOSFET可在极端高温及恶劣环境下运行。为确保电力电子系统的可靠性,本文研究了利用温度敏感电参数(TSEPs)进行在线结温监测的方法,旨在通过监测器件健康状态提升系统运行的安全性与稳定性。

解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更小体积演进,SiC器件的应用已成为主流。在高温环境下对SiC MOSFET进行精准的结温监测,是提升系统可靠性、实现预测性维护的关键。建议研发团队将TSEPs监测技术集...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 ★ 4.0

一种基于寄生电感的谐振开关电容变换器集成方法

An Integration Method of Resonant Switched-Capacitor Converters Based on Parasitic Inductance

Longyang Yu · Laili Wang · Bin Wu · Chengzi Yang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年12月

本文提出了一种新型集成方法,旨在增加PCB铜箔走线的寄生电感值,以解决其在低中频条件下无法满足谐振变换器零电流开关(ZCS)需求的问题,从而提升变换器的功率密度。

解读: 该技术通过优化PCB布局与寄生参数利用,直接提升功率密度,对阳光电源的组串式逆变器及户用储能系统(如PowerStack)中的DC-DC变换模块具有重要参考价值。在追求极致功率密度和小型化的产品设计中,利用寄生电感替代分立电感可有效降低物料成本并缩小体积。建议研发团队在下一代高功率密度变换器设计中,...

拓扑与电路 LLC谐振 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 5.0

一种基于时域模型的CLLC谐振变换器混合调制数字同步整流算法

A Time-Domain-Model-Based Digital Synchronous Rectification Algorithm for CLLC Resonant Converters Utilizing a Hybrid Modulation

Long Pei · Lixin Jia · Laili Wang · Lie Zhao 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月

针对双向CLLC谐振变换器,同步整流(SR)是降低整流侧导通损耗的关键技术。现有方法存在硬件复杂或控制精度不足的问题。本文提出一种数字无传感器SR算法,通过时域模型与混合调制策略,有效提升了变换器的效率与控制性能。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统(PowerTitan/PowerStack)及电动汽车充电桩业务具有重要价值。CLLC拓扑是双向DC-DC变换器的核心,通过该无传感器同步整流算法,可显著降低变换器在宽电压范围下的导通损耗,提升系统整体转换效率。建议研发团队将其集成至PCS控制平台,优化轻载及重载下的效率...

功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

面向高功率与高开关速度功率半导体封装的低频寄生电感客观表征方法

Objective-Based Low-Frequency Parasitic Inductance Characterization Method for Power Semiconductor Package With High Power and Switching Speed

Fengtao Yang · Laili Wang · Zizhen Cheng · Hongchang Cui 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月

本文提出了一种针对高功率、高开关速度功率半导体封装的寄生电感表征方法。随着开关速度提升,传统双脉冲测试法在测量微小寄生电感时精度受限。该方法旨在通过更客观的手段精确提取封装电感,这对优化功率模块设计、提升动态特性、加强热管理及保障绝缘安全具有重要意义。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率变换技术。在PowerTitan储能系统及组串式逆变器中,随着SiC等宽禁带半导体器件的广泛应用,开关频率不断提升,封装寄生电感成为制约效率与可靠性的关键瓶颈。该表征方法能帮助研发团队更精准地评估模块性能,优化功率回路布局,从而降低电压尖峰,提升系统在高频工作下的电...

拓扑与电路 双向DC-DC 充电桩 储能变流器PCS ★ 5.0

基于时域模型的双向车载充电机LCCL谐振变换器分析与设计

Analysis and Design of LCCL Resonant Converter Based on Time-Domain Model for Bidirectional Onboard Charger Applications

Lie Zhao · Yunqing Pei · Laili Wang · Long Pei 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月

本文提出了一种新型双向LCCL谐振DC-DC变换器。通过用并联谐振电容替代CLLC的励磁电感,LCCL变换器在保持逆变侧零电压开关(ZVS)和整流侧零电流开关(ZCS)的同时,显著增强了电压增益调节能力,适用于双向车载充电机应用。

解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩业务及储能系统(如PowerStack/PowerTitan)具有重要参考价值。LCCL拓扑通过优化谐振网络,在宽电压范围内实现软开关,能有效提升车载充电机及储能PCS的功率密度与转换效率。建议研发团队评估该拓扑在提升充电桩宽范围输出能力方面的潜力,并探索其在小型化储...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

基于多晶金刚石的单面冷却SiC MOSFET功率器件增强型热电互连

Enhanced Thermal–Electrical Interconnect for Single-Sided Cooling SiC MOSFET Power Device Based on Polycrystalline Diamond

Tongyu Zhang · Laili Wang · Xin Zhang · Jin Zhang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月

碳化硅(SiC)MOSFET因其优异性能备受关注,但传统引线键合互连方式散热受限,且芯片尺寸减小加剧了热扩散问题。本文提出一种基于多晶金刚石的增强型热电互连技术,旨在提升单面冷却SiC MOSFET的散热能力,从而突破电流运行限制。

解读: 该技术直接针对SiC功率模块的散热瓶颈,对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要意义。随着功率密度不断提升,SiC器件的散热能力决定了系统的可靠性与功率等级。引入多晶金刚石互连技术可显著降低结温,提升模块热循环寿命,建议研发团队关注该材料在高性能SiC功率...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

将优化后的相变散热器直接集成到碳化硅功率模块中以提升高热通量下的热性能

Direct Integration of Optimized Phase-Change Heat Spreaders Into SiC Power Module for Thermal Performance Improvements Under High Heat Flux

Wei Mu · Laili Wang · Binyu Wang · Tongyu Zhang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

碳化硅(SiC)功率模块因其优异的半导体特性被广泛应用,但其芯片尺寸较小导致热通量密度极高。此外,材料间热膨胀系数的不匹配会产生重复的热机械应力。本文研究了将相变散热器直接集成至SiC功率模块的方案,旨在有效降低热阻并缓解热应力,从而提升高功率密度模块的散热性能与可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan系列储能PCS至关重要。随着公司产品向更高功率密度演进,SiC器件的高热通量散热成为瓶颈。引入相变散热器技术可显著降低模块结温,提升功率密度,同时缓解热循环带来的疲劳失效,直接提升产品在极端工况下的可靠性。建议研发团队关注该集成工艺的可制造性与成本...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

一种用于并联SiC JFET/Si MOSFET共源共栅结构的低成本新型拓扑以平衡开通电流与结温

A Low-Cost Novel Structure for Paralleled SiC JFET/Si MOSFET Cascodes to Balance Turn-on Current and Junction Temperature

Cheng Zhao · Laili Wang · Xu Yang · Yongmei Gan 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年12月

SiC JFET/Si MOSFET共源共栅结构(SSC)因其低导通电阻和快速开关特性在电力电子领域极具潜力。针对大电流应用中多SSC并联时,由于布局不对称导致的开通电流不平衡及结温差异问题,本文提出了一种低成本的新型结构,旨在优化并联器件间的电流分配,提升系统可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)具有重要参考价值。随着碳化硅(SiC)在光伏和储能领域的高频化应用,多管并联是提升功率密度的关键。该研究提出的电流平衡技术可有效解决并联器件因布局寄生参数不匹配导致的应力集中问题,有助于提升阳光电源大功率模...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种多芯片大功率模块温度分布不均的建模分析新方法及器件安全工作区

SOA)重新定义方法

Jianpeng Wang · Wenjie Chen · Jin Zhang · Meng Xu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

IGBT模块通常由多个并联芯片组成以满足电流需求。由于布局不对称,各芯片电热行为存在显著差异,导致单芯片过热风险增加。本文提出了一种建模分析多芯片模块温度分布不均的新方法,并据此重新定义了器件的安全工作区(SOA),以提升功率模块的可靠性。

解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统)中功率模块的可靠性设计。在大功率电力电子变换器中,IGBT模块的均流与热管理是决定产品寿命和功率密度的关键。通过该文提出的建模方法,研发团队可更精准地评估多芯片并联下的热应力,优化逆变器...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

多芯片SiC MOSFET功率模块中用于电流平衡的源极电感优化铜夹片键合方法

Cu Clip-Bonding Method With Optimized Source Inductance for Current Balancing in Multichip SiC MOSFET Power Module

Laili Wang · Tongyu Zhang · Fengtao Yang · Dingkun Ma 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月

铜夹片键合(Cu clip-bonding)相比传统打线键合具有更低的电阻、电感及更高的可靠性。针对多芯片SiC MOSFET模块中存在的电流不均和热耦合挑战,本文提出了一种优化源极电感的新型铜夹片键合方法,有效提升了多芯片并联运行的性能与可靠性。

解读: 该技术直接关联阳光电源的核心功率器件封装工艺。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向高功率密度、高效率演进,SiC MOSFET的应用已成为主流。多芯片并联的电流均衡与热管理是提升模块可靠性的关键。建议研发团队关注该优化方法,将其应用于下一代高频、高功率密度逆变器及PCS功率模块设...

拓扑与电路 LLC谐振 DC-DC变换器 功率模块 ★ 5.0

带同步整流的LLC DC-DC变换器电路参数的精确分析与设计

Accurate Analysis and Design of the Circuit Parameters of LLC DC–DC Converter With Synchronous Rectification

Xiang Zhou · Laili Wang · Yongmei Gan · Huan Luo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年12月

在高负载电流的LLC DC-DC变换器中,同步整流(SR)常用于降低二次侧损耗。漏源电压检测法因其无损、低成本和小体积的优势被广泛应用。然而,随着负载电流增加,SR开关在关断阶段的电压振荡问题日益严重。本文针对该问题进行了深入分析,并提出了电路参数的优化设计方法,以提升变换器效率与可靠性。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心产品线,特别是户用光伏逆变器、组串式逆变器以及储能变流器(PCS)。LLC拓扑是实现高功率密度和高效率的关键,而同步整流(SR)的精确控制是提升整机效率的核心。针对高负载下的电压振荡问题进行优化,有助于提升阳光电源产品在满载工况下的热管理性能和可靠性,减少电磁干扰(EM...

可靠性与测试 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

基于一种对运行条件低敏感的新型特征参数的多芯片IGBT模块芯片失效原位诊断

In Situ Diagnosis for IGBT Chip Failure in Multichip IGBT Modules Based on a Newly Defined Characteristic Parameter Low-Sensitive to Operation Conditions

Jianpeng Wang · Wenjie Chen · Yuwei Wu · Yi Liu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月

为实现高电流容量,IGBT模块通常由多个并联芯片组成。单个芯片的键合线疲劳会导致模块性能逐渐退化,最终引发系统灾难性故障。本文提出了一种针对多芯片IGBT模块中键合线失效的原位诊断方法,通过定义一种对运行条件不敏感的特征参数,实现了对特定芯片故障的精准识别,有效提升了功率模块的可靠性。

解读: 该研究直接关联阳光电源核心产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)中功率模块的寿命管理。IGBT作为逆变器和PCS的核心功率器件,其键合线疲劳是导致设备失效的主要原因之一。该诊断方法可集成至iSolarCloud智能运维平台,通过实时监测特征参数,实现对功率模块健康状态的预测性维护,降低...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种用于4H-SiC MOSFET动态表征及超高结温电力电子变换器开发的紧凑型交错封装方法

Compact-Interleaved Packaging Method of Power Module With Dynamic Characterization of 4H-SiC MOSFET and Development of Power Electronic Converter at Extremely High Junction Temperature

Fengtao Yang · Laili Wang · Hang Kong · Mengyu Zhu 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月

本文针对现有封装技术限制SiC器件高温应用的问题,提出了一种新型气密性金属封装方法。该方法通过优化结构实现了4H-SiC MOSFET在超高结温下的动态表征,并成功开发了相应的电力电子变换器,为提升SiC器件在极端高温环境下的可靠性与功率密度提供了技术路径。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更小体积演进,SiC器件的结温管理成为提升系统效率的关键。该封装方法有助于解决SiC器件在高温高频工况下的寄生参数与散热瓶颈,直接支撑公司下一代高功率密度逆变器及PCS产品...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

一种基于Qdesat转移检测且具有鲁棒dv/dt抗扰性的高压SiC MOSFET超快短路保护方案

An Ultrafast Short-Circuit Protection for High-Voltage SiC MOSFETs Based on Qdesat-Transfer Detection With Robust dv/dt Noise Immunity

Qiling Chen · Hong Zhang · Dingkun Ma · Tianshu Yuan 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月

本文提出了一种针对高压(>3.3 kV)SiC MOSFET的超快短路保护(SCP)方案。通过引入基于Qdesat转移的传感机制,该方案在面对高dv/dt噪声时表现出极强的抗扰性。该方法利用高dv/dt期间转移的Qdesat间接检测漏源电压降幅,从而判断MOSFET是否处于正常导通状态。

解读: 该技术对于阳光电源的高压功率变换产品至关重要。随着公司在大型地面光伏电站及高压储能系统(如PowerTitan系列)中逐步引入更高电压等级的SiC器件,短路保护的响应速度与抗干扰能力直接决定了系统的可靠性。该方案提出的Qdesat转移检测技术能有效解决高压SiC器件在高频开关下的误触发问题,建议研发...