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一种用于4H-SiC MOSFET动态表征及超高结温电力电子变换器开发的紧凑型交错封装方法
Compact-Interleaved Packaging Method of Power Module With Dynamic Characterization of 4H-SiC MOSFET and Development of Power Electronic Converter at Extremely High Junction Temperature
| 作者 | Fengtao Yang · Laili Wang · Hang Kong · Mengyu Zhu · Xingshuo Liu · Xiaohui Lu · Mengjie Qin · Tongyu Zhang · Yongmei Gan · Lixin Jia |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 4H-SiC MOSFET 功率模块 封装技术 高结温 动态特性表征 电力电子变换器 |
语言:
中文摘要
本文针对现有封装技术限制SiC器件高温应用的问题，提出了一种新型气密性金属封装方法。该方法通过优化结构实现了4H-SiC MOSFET在超高结温下的动态表征，并成功开发了相应的电力电子变换器，为提升SiC器件在极端高温环境下的可靠性与功率密度提供了技术路径。
English Abstract
Due to the outstanding material properties, silicon carbide (SiC) power device is the most promising alternative to silicon devices and can work at higher junction temperature. However, existing packaging technologies obstruct the use of SiC devices at high temperature and impede the continued exploration of SiC devices in high-temperature applications. This article proposes a novel hermetic metal...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更小体积演进，SiC器件的结温管理成为提升系统效率的关键。该封装方法有助于解决SiC器件在高温高频工况下的寄生参数与散热瓶颈，直接支撑公司下一代高功率密度逆变器及PCS产品的研发。建议研发团队关注该封装工艺的量产可行性，并将其引入到高压储能变流器的功率模块设计中，以提升系统在极端环境下的热稳定性和可靠性。