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多芯片SiC MOSFET功率模块中用于电流平衡的源极电感优化铜夹片键合方法

Cu Clip-Bonding Method With Optimized Source Inductance for Current Balancing in Multichip SiC MOSFET Power Module

作者 Laili Wang · Tongyu Zhang · Fengtao Yang · Dingkun Ma · Cheng Zhao · Yunqing Pei · Yongmei Gan
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2022年7月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 铜片键合 (Cu clip-bonding) SiC MOSFET 功率模块 电流均衡 源极电感 热耦合 封装
语言:

中文摘要

铜夹片键合(Cu clip-bonding)相比传统打线键合具有更低的电阻、电感及更高的可靠性。针对多芯片SiC MOSFET模块中存在的电流不均和热耦合挑战,本文提出了一种优化源极电感的新型铜夹片键合方法,有效提升了多芯片并联运行的性能与可靠性。

English Abstract

Cu clip-bonding is a promising packaging method for lower resistance, lower inductance, and higher reliability than wire-bonding. Previous studies only simply replace bond wires with Cu clips on an individual die. However, current sharing and thermal coupling issues among multichip modules are still big challenges in the clip-bonded silicon carbide (SiC) mosfet power module. In this article, a nov...
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SunView 深度解读

该技术直接关联阳光电源的核心功率器件封装工艺。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向高功率密度、高效率演进,SiC MOSFET的应用已成为主流。多芯片并联的电流均衡与热管理是提升模块可靠性的关键。建议研发团队关注该优化方法,将其应用于下一代高频、高功率密度逆变器及PCS功率模块设计中,以降低寄生电感,提升系统热稳定性,从而进一步优化阳光电源产品的整机效率与长期运行可靠性。