找到 28 条结果

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拓扑与电路 可靠性分析 有限元仿真 ★ 2.0

一种用于磁场能量收集的高效螺旋磁芯

A High-Efficiency Helical Core for Magnetic Field Energy Harvesting

Sheng Yuan · Yi Huang · Jiafeng Zhou · Qian Xu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年7月

针对高压基础设施无线传感器供电难题,本文提出并优化了一种新型螺旋磁芯线圈,用于高效收集大电流设备周边的磁场能量,为智能电网的自供电无线传感器提供了一种有效的能量获取解决方案。

解读: 该技术属于能量收集领域,主要应用于高压设备的自供电传感器,与阳光电源的iSolarCloud智能运维平台及大型电站运维存在潜在关联。通过在大型光伏电站或储能电站的高压汇流点部署此类自供电传感器,可实现对电流、温度等关键参数的无线监测,无需额外布线,降低运维成本。建议关注其在大型集中式逆变器或Powe...

光伏发电技术 SiC器件 ★ 5.0

MoS2/SiC异质结的能带对齐及其超高整流比和光伏效应

Band alignment of MoS2/SiC heterojunctions with ultrahigh rectifying ratio and photovoltaic effect

Binbin Ding · Qian Liu · Yu Zhou · Boyi Bai 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127

本文研究了MoS2/SiC异质结的能带对齐特性,该结构表现出极高的整流比和显著的光伏效应。通过精确调控界面特性,实现了优异的电学性能和光响应特性。实验结果表明,该异质结具有清晰的能带偏移和良好的载流子分离效率,在可见光至近红外波段展现出高效的光电转换能力。该研究为二维/宽禁带半导体异质结构在高性能光电器件中的应用提供了重要依据。

解读: 该MoS2/SiC异质结研究对阳光电源SiC功率器件应用具有重要参考价值。超高整流比特性可优化ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中的SiC MOSFET性能,降低反向漏电流,提升系统效率。能带工程方法为功率模块界面优化提供理论依据,可改善器件开关特性和热稳定性。光伏效应研究启发在三电平拓扑中探索...

控制与算法 PWM控制 充电桩 ★ 3.0

永磁同步电机伺服系统的非奇异滑模控制:一种新型快速固定时间方案

Nonsingular Sliding Mode Control of PMSM-Drive Servo Systems: A Novel Fast Fixed-Time Scheme

Simeng Song · Zhilin Liu · Shouzheng Yuan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

针对传统有限/固定时间控制在收敛速度、状态依赖性和控制精度方面的局限,本文提出了一种新型快速固定时间控制理论。该方法有效提升了永磁同步电机(PMSM)驱动伺服系统的动态响应性能与稳态精度,为高性能电机控制提供了更优的数学框架。

解读: 该研究聚焦于电机驱动的高性能控制算法,对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有参考价值。充电桩内部的功率模块及相关辅助系统常涉及电机控制或高精度伺服调节,该快速固定时间滑模控制方案有助于提升充电桩功率变换器的动态响应速度和抗扰动能力。建议研发团队关注该算法在复杂电网波动下的鲁棒性表现,并探索其在充电桩高频...

拓扑与电路 可靠性分析 故障诊断 ★ 2.0

架空输电线路下的磁场能量收集

Magnetic Field Energy Harvesting Under Overhead Power Lines

Sheng Yuan · Yi Huang · Jiafeng Zhou · Qian Xu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年11月

架空输电线路的状态监测对于提高电网可靠性、早期发现故障及确保输电容量至关重要。能量收集技术是实现自主供电无线传感器的有效方案。本文提出了一种新型领结型线圈,可直接安装在输电线路附近进行磁场能量捕获。

解读: 该技术主要针对输电网侧的无线传感器供电,与阳光电源核心产品(逆变器、储能)直接关联度较低。但从iSolarCloud智能运维平台角度看,该技术可为偏远地区或高压侧的传感器提供自供电方案,解决电池更换困难的问题,从而提升电网侧监测数据的实时性与覆盖率。建议关注其在大型地面光伏电站或储能电站内部高压汇集...

电动汽车驱动 SiC器件 可靠性分析 ★ 4.0

不同P阱离子注入设计对1.2kV SiC MOSFET体二极管第三象限导通退化特性的影响研究

Degradation Evaluation for Ion Implantation Doping in 1.2kV SiC MOSFET Body Diode Under Third Quadrant Conduction

Xinbin Zhan · Yanjing He · Tongtong Xia · Song Yuan 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月

本文系统研究了不同P阱离子注入设计对1.2kV SiC MOSFET第三象限导通特性及浪涌可靠性的影响。通过调节峰值浓度与注入深度,设计了四种P阱结构(A–D),以调控P阱电阻及源漏电流传输。实验结果表明,P阱电阻增大导致浪涌能力下降,其中P阱A退化率达7.8%,P阱D最低为4.7%。当VGS=0V时,沟道与体二极管的并联导通路径削弱了P阱设计引起的源漏压降差异;关断沟道后浪涌能力进一步降低。重复浪涌测试表明,陷阱空穴累积与封装热机械疲劳是器件退化主因,而高能离子注入引入的深能级缺陷通过载流子俘...

解读: 该研究对阳光电源SiC器件应用具有重要指导价值。在ST储能变流器和电动汽车驱动系统中,SiC MOSFET频繁工作在第三象限导通模式(如能量回馈、制动工况),体二极管浪涌可靠性直接影响系统寿命。研究揭示P阱离子注入设计对浪涌能力的影响机制:优化P阱浓度分布可降低退化率至4.7%,为阳光电源功率模块选...

拓扑与电路 充电桩 功率模块 双向DC-DC ★ 2.0

强耦合同轴三线圈无线电能传输系统的中继线圈补偿优化

Compensation Optimization of the Relay Coil in a Strong Coupled Coaxial Three-Coil Wireless Power Transfer System

Xu Liu · Xiangyu Song · Xibo Yuan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

针对带中继线圈的无线电能传输(WPT)系统,通过调整中继线圈位置可提升传输距离、效率及容量。然而,非相邻线圈间的交叉耦合会导致系统谐振失效。本文研究了该系统的补偿优化方法,以解决交叉耦合带来的谐振偏移问题,提升系统整体传输性能。

解读: 该技术主要涉及无线电能传输(WPT)领域,与阳光电源目前的电动汽车充电桩业务具有潜在的技术关联。虽然阳光电源目前以有线直流快充为主,但随着电动汽车无线充电技术的标准化与商业化进程,该研究中关于多线圈耦合补偿与谐振优化的方法,可为未来布局大功率无线充电产品提供理论支撑。建议研发团队关注其在提升传输效率...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 储能系统 ★ 2.0

用于强耦合压电能量系统的偏置电压SSHI接口电路

Bias-Voltage-SSHI Interface Circuit for Strong Coupling Piezoelectric Energy Systems

Xing-Feng Shen · Tian-Chen Yuan · Jian Yang · Ruigang Song 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月

针对标准能量提取接口电路(SEH)在压电能量收集效率上的局限性,本文提出了一种偏置电压同步开关收集接口电路(BV-SSHI)。该电路通过单峰值电压检测开关与整流器配合,有效提升了压电能量系统的收集功率与效率,为微能源管理提供了新的拓扑方案。

解读: 该文献探讨的压电能量收集技术属于微能源管理范畴,与阳光电源目前主流的光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器等大功率电力电子产品线存在技术跨度。尽管其核心涉及高效率能量转换拓扑,但压电能量密度远低于光伏与储能应用。建议研发团队关注该电路中“偏置电压控制”与“同步开关”技术在低功耗传感器供...

拓扑与电路 双向DC-DC 储能变流器PCS 储能系统 ★ 5.0

一种具有耦合电感的扩展型高增益软开关双向DC-DC变换器

An Extendable High-Voltage Gain Soft-Switching Bidirectional DC–DC Converter With Coupled Inductor

Fan Yuan · Ruixiang Hao · Jingqi Song · Xiaojie You · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

本文提出了一种非隔离式可扩展软开关双向DC-DC变换器,适用于高电压增益和高功率应用。该变换器采用低压侧交错并联、高压侧串联的结构,有效降低了开关管和电容的电压应力,并实现了良好的电流均衡。

解读: 该拓扑结构在高压增益和高功率密度方面的优势,与阳光电源PowerTitan系列液冷储能系统及大型组串式逆变器(如SG320HX)的演进方向高度契合。其低电压应力特性有助于降低对功率器件(如IGBT或SiC模块)的耐压等级要求,从而优化系统成本并提升转换效率。建议研发团队评估该拓扑在储能变流器(PCS...

拓扑与电路 DC-DC变换器 PWM控制 ★ 3.0

一种反激式变换器轻载降功耗控制新方案

A Novel Control Scheme for Light Load Power Reduction of Flyback Converter

Qifan Liu · Xi Jiang · Xiaowu Gong · Song Yuan 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

反激式变换器在轻载条件下的功耗优化是提升系统能效的关键。本文针对现有文献对轻载功耗研究不足的问题,提出了一种新型控制技术,旨在降低反激式变换器在轻载工况下的损耗,以满足日益增长的高能效设计需求。

解读: 反激式拓扑常用于阳光电源户用光伏逆变器的辅助电源(Auxiliary Power Supply)或小型充电桩的控制电路中。虽然阳光电源的核心产品(如PowerTitan、组串式逆变器)多采用LLC或三电平拓扑,但辅助电源的轻载效率直接影响整机的待机功耗和CEC/欧洲效率指标。该控制方案可优化辅助电源...

拓扑与电路 DC-DC变换器 PWM控制 储能变流器PCS ★ 4.0

具有原边同步关断控制的宽输出电压范围非对称半桥反激变换器

Wider Output Voltage Range Asymmetrical Half-Bridge Flyback Converter With Primary Side Synchronization Turn-Off Control

Qifan Liu · Xi Jiang · Song Yuan · Xiaowu Gong 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

非对称半桥反激(AHB-Flyback)拓扑在高功率输出及多变输出电压场景下表现优异。然而,单个开关周期内由功率器件控制的实际能量传输时间随输出电压变化,导致能量传输过程的精确控制变得复杂。该文提出了一种原边同步关断控制策略,以优化能量传输效率并提升变换器在宽电压范围下的性能。

解读: 该拓扑结构在宽电压范围下的高效能量转换特性,对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能系统(如PowerStack系列)具有重要参考价值。在户用场景中,光伏组件电压波动大且电池电压随SOC变化,AHB-Flyback拓扑通过优化原边控制,可有效提升DC-DC变换级的效率并降低开关损耗。建议研发团队关注该同...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

一种涵盖正向和反向运行的1.2-kV SiC MOSFET和JBSFET统一行为模型

A Unified Behavioral Model for 1.2-kV SiC MOSFETs and JBSFETs Covering Forward and Reverse Operations

Aijun Zhang · Yuming Zhang · Zhiyuan Qi · Yibo Zhang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

本文研究并对比了4H-SiC MOSFET与集成JBS二极管的JBSFET在第三象限及反向恢复特性方面的电气行为。为了进行全面比较,研究建立了一种统一的行为模型,能够准确描述这些器件在正向和反向工作模式下的性能,为高性能功率转换系统的设计提供理论支撑。

解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有极高价值。1.2kV SiC器件是公司组串式逆变器、PowerTitan储能系统及高压充电桩实现高效率、高功率密度的关键。JBSFET技术通过集成肖特基二极管优化了体二极管特性,能显著降低反向恢复损耗和导通损耗。建议研发团队利用该统一行为模型,在产品设计阶段进行更精确...

储能系统技术 储能系统 电池管理系统BMS 机器学习 ★ 5.0

基于深度域特征独立对齐网络的锂离子电池无标签数据健康状态估计

State of Health Estimation for Lithium-Ion Battery With Label-Free Data Based on Deep Domain Feature Independent Alignment Network

Chenxi Song · Haitao Yuan · Guangfeng Wang · Naxin Cui · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月

针对锂离子电池健康状态(SOH)估计中标签数据匮乏及工况差异导致的精度受限问题,本文提出了一种基于深度域特征独立对齐网络的无标签SOH估计方法,有效提升了跨场景下的电池健康状态评估能力。

解读: 该研究直接服务于阳光电源储能业务的核心痛点。在PowerTitan和PowerStack等大型储能系统中,电池全生命周期的健康状态监控是保障系统安全与运维收益的关键。该方法通过深度学习实现跨工况的无标签SOH估计,能够显著降低iSolarCloud平台对海量标注数据的依赖,提升电池资产的精细化管理水...

控制与算法 模型预测控制MPC PWM控制 多电平 ★ 2.0

一种具有高计算效率的九相开绕组永磁同步电机鲁棒模型预测电流控制

Robust Model Predictive Current Control for a Nine-Phase Open-End Winding PMSM With High Computational Efficiency

Xiaolin Song · Haifeng Wang · Xiaoran Ma · Xibo Yuan 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月

针对九相开绕组永磁同步电机驱动系统中有限控制集模型预测控制(FCS-MPC)计算负担重及参数敏感的问题,本文提出了一种高计算效率的鲁棒FCS-MPC方案,有效降低了计算复杂度并提升了系统鲁棒性。

解读: 该文献聚焦于多相电机驱动的高级控制算法,虽然阳光电源目前的核心业务集中在光伏逆变器、储能PCS及风电变流器,与九相电机驱动存在差异,但其提出的“高计算效率模型预测控制”方法论对提升阳光电源风电变流器及大功率储能PCS的控制响应速度具有参考价值。在风电变流器领域,随着大功率风机对电机控制精度要求的提升...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

具有创纪录雪崩能量密度的1200V SiC结势垒肖特基二极管的高雪崩能力验证

Demonstration of High Avalanche Capability in 1200 V-Rated SiC Junction Barrier Schottky Diodes With Record Avalanche Energy Density

Yancong Liu · Xiaoyan Tang · Hao Yuan · Xuanjie Wang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年3月

本文展示了通过采用凹槽阳极和终端区域结构,实现具有创纪录单脉冲雪崩能量密度的4H-SiC结势垒肖特基二极管。通过有效缓解边界处的雪崩电流拥挤效应,实现了近乎均匀的雪崩击穿分布,显著提升了器件的雪崩可靠性。

解读: 该研究针对1200V SiC SBD器件的雪崩可靠性优化,对阳光电源的核心业务具有极高价值。在光伏组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)中,SiC器件已成为提升功率密度和效率的关键。该技术通过结构优化提升雪崩耐受能力,能直接增强逆变器在电网波动或极端工况下的鲁棒...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

高温存储应力

HTSS)对高压4H-SiC结势垒肖特基二极管退化的影响

Shuai Yang · Yuming Zhang · Qingwen Song · Xiaoyan Tang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年3月

本文研究了高温存储应力(HTSS,高达275°C)对高压4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管在空气环境下的热稳定性影响。通过详细分析HTSS测试后二极管电参数的漂移,揭示了其退化机制,为宽禁带半导体器件的长期可靠性评估提供了重要参考。

解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品(如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)中SiC功率模块的可靠性。随着公司产品向高功率密度、高工作温度方向迭代,SiC JBS二极管在极端环境下的退化机制研究至关重要。建议研发团队参考该HTSS测试方法,建立SiC器件的长期热应力失效模型,优化...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

用于增强电流平衡和降低寄生电感的SiC功率模块对称与交错端子布局

Symmetric and Staggered Terminal Layouts for Enhanced Current Balance and Reduced Parasitic Inductance in SiC Power Modules

Ying Wang · Xi Jiang · Song Yuan · Runze Ouyang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月

本文提出了一种用于4并联碳化硅(SiC)MOSFET半桥功率模块的全对称布局方案。该方案使模块内各功率回路在x轴、y轴及中心点均保持物理与电气对称,确保了各回路电感的一致性,从而实现了模块内部电流的均衡分配。

解读: 该技术对阳光电源的SiC组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)具有重要参考价值。随着公司产品向高功率密度和高开关频率演进,SiC器件的并联均流与寄生电感抑制是提升效率和可靠性的关键。该对称布局设计可直接应用于公司大功率SiC模块的封装优化,有助于降低开关损耗与电...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

通过瞬态热特性分析理解GaN HEMT在短路应力下的位错缺陷作用

Understanding the Role of Dislocation Defects of GaN HEMT under Short-Circuit Stress Through Transient Thermal Characterization

Xi Jiang · Yue Wu · Song Yuan · Xiangdong Li 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在高压短路应力下易发生快速失效。研究表明,衬底界面的位错缺陷在诱导器件退化和热击穿失效中起关键作用。本文探讨了短路应力下位错缺陷的形成机制及其对热性能的影响。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能系统中对高功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用潜力巨大。本文揭示的位错缺陷与短路热失效机制,对公司研发团队在GaN功率模块的选型、驱动保护电路设计及热管理方案优化具有重要参考价值。建议在产品开发中引入该瞬态热特性分析方法,以提升高频化、小型化产品的可靠性设...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

皮秒级4H-SiC二极管雪崩整形器演示:电压上升率达11.14 kV/ns,峰值功率密度达62 MW/cm²

Demonstration of Picosecond 4H-SiC Diode Avalanche Shaper With Voltage Rise Rate of 11.14 kV/ns and Peak Power Density of 62 MW/cm^2

Yu Zhou · Xiaoyan Tang · Qingwen Song · Chao Han 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

本文首次实验演示并表征了一种具有新型p+/p-/n+多层外延结构的高性能皮秒级4H-SiC二极管雪崩整形器(DAS)。通过连续多层外延晶圆生长技术制备,实现了极高的电压上升率和功率密度,为高频、高压脉冲功率应用提供了新的技术路径。

解读: 该研究展示了SiC材料在极端开关速度和功率密度下的潜力,对阳光电源的核心业务具有重要参考价值。首先,在组串式光伏逆变器和PowerTitan储能系统中,SiC器件的应用已成为提升功率密度和效率的关键,该技术有助于进一步优化高频开关电路设计。其次,在电动汽车充电桩领域,极高的电压上升率可用于开发更高效...

电动汽车驱动 ★ 5.0

一种用于反激变换器轻载功率降低的新型控制方案

A Novel Control Scheme for Light Load Power Reduction of Flyback Converter

Qifan Liu · Xi Jiang · Xiaowu Gong · Song Yuan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

降低功耗是反激式转换器设计与开发中的首要考虑因素。然而,现有文献尚未对反激式转换器在轻载情况下的功耗进行广泛研究。鉴于反激式转换器的快速普及,有必要开发一种在轻载条件下降低反激式转换器功耗的新技术。本文介绍了一种采用平均功率降低策略的反激式转换器新型功率损耗降低方法。采用台积电 0.5 微米双极 - 互补金属氧化物半导体 - 双扩散金属氧化物半导体(BCD)混合信号工艺制造了一款控制集成电路,并通过一个 15 瓦/15 伏的原型实验测试板进行了验证。

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项反激变换器轻载功耗降低技术具有显著的应用价值。反激变换器作为辅助电源广泛应用于我司光伏逆变器、储能变流器等核心产品中,为控制电路、通信模块、传感器等提供低压供电。在实际运行场景中,这些辅助电源长期处于轻载或待机状态,其能效直接影响系统整体待机功耗和能效等级认证。 该论...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 5.0

4H-SiC电荷平衡浮动结势垒肖特基二极管的高Baliga品质因数验证

Demonstration of 4H-SiC Charge Balance Floating Junction Barrier Schottky Diode With High Baliga Figure of Merit

Jingyu Li · Qingwen Song · Hao Yuan · Fengyu Du 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年4月

降低比导通电阻(Ron,sp)和提高击穿电压(BV)是碳化硅(SiC)功率器件的主要目标。本文基于电荷平衡理论建立了多层浮空结器件模型,并通过实验验证了一种优化的4H - SiC浮空结肖特基势垒二极管(CB - FJJBS)。利用电荷平衡理论,该器件实现了更均衡的电场(EF)分布,从而改善了其击穿特性。值得注意的是,该器件的巴利加优值(BFOM,即4V<sup>2</sup>/Ron,sp)达到12.1GW/cm²,比导通电阻(Ron,sp)为4.9mΩ·cm²,击穿电压(BV)为3.85kV,...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项4H-SiC电荷平衡浮结势垒肖特基二极管技术具有重要的战略价值。该器件实现了12.1 GW/cm²的Baliga品质因数,导通电阻仅4.9 mΩ·cm²,击穿电压达3.85 kV,这些指标直接关系到我们核心产品的性能提升空间。 在光伏逆变器应用中,该技术的低导通电阻特...

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