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一种涵盖正向和反向运行的1.2-kV SiC MOSFET和JBSFET统一行为模型
A Unified Behavioral Model for 1.2-kV SiC MOSFETs and JBSFETs Covering Forward and Reverse Operations
| 作者 | Aijun Zhang · Yuming Zhang · Zhiyuan Qi · Yibo Zhang · Zedong Xue · Hao Yuan · Xiaoyan Tang · Qingwen Song |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 预计 2026年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 4H-SiC MOSFET JBSFET 第三象限 反向恢复 行为模型 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文研究并对比了4H-SiC MOSFET与集成JBS二极管的JBSFET在第三象限及反向恢复特性方面的电气行为。为了进行全面比较，研究建立了一种统一的行为模型，能够准确描述这些器件在正向和反向工作模式下的性能，为高性能功率转换系统的设计提供理论支撑。
English Abstract
This study investigates and compares the electrical behaviors of 4H-silicon carbide (4H-SiC) metal-oxide-semiconductor field effect transistor (mosfet) and monolithic integration of the junction barrier-controlled Schottky diode (JBS) with the SiC mosfet (JBSFET), focusing on the third quadrant and reverse recovery characteristics. To give a comprehensive comparison, it is necessary to establish a...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心产品线具有极高价值。1.2kV SiC器件是公司组串式逆变器、PowerTitan储能系统及高压充电桩实现高效率、高功率密度的关键。JBSFET技术通过集成肖特基二极管优化了体二极管特性，能显著降低反向恢复损耗和导通损耗。建议研发团队利用该统一行为模型，在产品设计阶段进行更精确的损耗仿真与热管理优化，特别是在高频化趋势下，提升逆变器和PCS在复杂工况下的转换效率与可靠性，进一步巩固公司在宽禁带半导体应用领域的领先地位。