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电动汽车驱动 SiC器件 功率模块 ★ 4.0

功率模块机械表征综述:挑战、进展与未来展望

An Overview of Mechanical Characterization for Power Module: Challenges, Advances, and Future Prospects

Peng Sun · Xiaofei Pan · Zheng Zeng · Yukai Huang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

受半导体技术尤其是碳化硅技术进步的推动,人们已开发出众多封装设计以满足各种应用需求。在这些功率模块投放市场之前,必须对其可靠性进行全面评估。机械特性表征是评估功率模块可靠性的一项重要手段,因为它与功率模块故障直接相关。通常在亚微米尺度上的机械分布及其差异给测量带来了巨大挑战。因此,在不损害功率模块功能和完整性的前提下,实现对机械信息的准确采样仍是机械特性表征领域不懈追求的目标。本文全面综述了功率模块机械特性表征的现有先进方法,包括直接测量法和非接触测量法。分析了变形机制以及相关的测量挑战。对各种...

解读: 功率模块作为光伏逆变器和储能变流器的核心部件,其可靠性直接影响系统的长期稳定运行和全生命周期成本。该论文聚焦功率模块机械特性表征技术,对阳光电源的产品开发和质量管控具有重要参考价值。 从业务视角看,随着碳化硅等第三代半导体在公司高功率密度逆变器产品中的广泛应用,功率模块封装面临更严峻的热机械应力挑...

电动汽车驱动 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 ★ 5.0

100 kW氮化镓牵引逆变器的系统性效率-密度协同优化:方法与集成

Systematic Efficiency-Density Co-Optimization of 100 kW GaN Traction Inverter: Methodology and Integration

Mingrui Zou · Peng Sun · Zheng Zeng · Yulei Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年7月

摘要:电动汽车牵引逆变器对高效率和高功率密度的追求与日俱增,这正加速包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在内的宽禁带器件的应用。由于碳化硅牵引逆变器的效率 - 密度边界已接近极限,采用氮化镓器件的牵引逆变器因具有更低的功率损耗和更高的开关速度,被视为一种极具前景的解决方案。本文聚焦于电动汽车应用的氮化镓牵引逆变器,提出了一种兼顾效率和功率密度目标协同优化的设计方法。基于所建立的包括功率损耗、直流母线纹波和热阻等设计关注点的数学模型,确定了氮化镓逆变器的效率 - 密度设计域,并通过帕累托前沿分析...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GaN牵引逆变器的效率-功率密度协同优化技术具有显著的跨领域应用价值。虽然该研究聚焦于电动汽车领域,但其核心方法论与我们在光伏逆变器、储能变流器等产品线的技术演进方向高度契合。 该论文突破了传统SiC器件的效率-密度边界,通过GaN器件实现99.3%峰值效率和62.1...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 4.0

基于宽带Rogowski线圈电流传感器的中压SiC MOSFET过流保护

Overcurrent Protection Enabled by Broadband Rogowski Coil Current Sensor for Medium-Voltage SiC MOSFET

Jiakun Gong · Yulei Wang · Liang Wang · Mingrui Zou 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

为确保耐用性有限的昂贵中压(MV)器件安全切换,基于罗氏线圈电流传感器(RCCS)的过流保护方案是一种很有前景的方法,具有响应速度快和电气隔离的特点。然而,要使罗氏线圈电流传感器同时具备高抗噪能力和高带宽性能存在固有矛盾。此外,积分器不理想的直流和低频特性会导致漂移和下垂误差。为应对上述挑战,本文研制了宽带罗氏线圈电流传感器,并将其集成到中压碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的过流保护电路中。基于传输线理论设计了新型线圈,以克服寄生元件对带宽的限制。所设计的...

解读: 从阳光电源的业务角度分析,这项基于罗氏线圈电流传感器的过流保护技术对我们的中压光伏逆变器和储能系统具有重要战略价值。随着1500V直流系统在大型地面电站的普及,以及储能系统向更高电压等级发展,中压SiC MOSFET正成为我们功率变换拓扑的核心器件。然而,这类器件价格昂贵且耐受能力有限,快速可靠的过...

电动汽车驱动 宽禁带半导体 ★ 5.0

具有高共模抑制比和强dv/dt抗扰性的灵活1.5 GHz探头隔离扩展技术,赋能下一代宽禁带测量

Flexible 1.5-GHz Probe Isolation Extension With High CMRR and Robust dv/dt Immunity Empowering Next-Generation WBG Measurement

Yulei Wang · Jiakun Gong · Zheng Zeng · Liang Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

下一代宽带隙(WBG)功率器件取得了进展,其特点是阻断电压更高、开关速度更快,这导致了超高 $dv/dt$ 的出现。这三个因素共同对未来高性能测量系统提出了严苛的性能要求。本文深入探讨了下一代 WBG 器件在低端和高端动态测试过程中遇到的挑战。基于此探讨,总结了未来电气隔离测试系统的性能要求,即扩展至中压水平的宽动态范围、至少 500 MHz 的最小测量带宽、在 100 MHz 时至少 50 dB 的共模抑制比(CMRR)以及超过 100 V/ns 的 $dv/dt$ 抗扰度。为了有效实现这些目...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项探针隔离扩展技术对我们在高性能宽禁带功率器件测试领域具有重要战略意义。随着公司在光伏逆变器和储能系统中大规模应用SiC MOSFET等新一代宽禁带器件,器件的开关速度已突破传统Si器件极限,dv/dt可达100V/ns以上,这给产品研发和质量管控中的精确测量带来严峻挑战...