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通过超结结构增强高压LDMOS的抗ESD特性
Strengthen Anti-ESD Characteristics in an HV LDMOS With Superjunction Structures
Shen-Li Chen · Yi-Sheng Lai · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年5月
本文研究了45V高压n型横向扩散金属氧化物半导体(nLDMOS)的抗静电放电(ESD)能力。通过引入嵌入式超结(SJ)结构,在保持低导通电阻的同时,显著提升了器件的ESD鲁棒性,解决了高压功率器件在可靠性工程中的关键瓶颈。
解读: 该研究聚焦于功率半导体器件的底层可靠性设计,对阳光电源的核心产品线具有重要参考价值。高压LDMOS广泛应用于逆变器及充电桩的驱动电路与控制芯片中,增强其抗ESD能力可直接提升产品在复杂电磁环境下的现场可靠性,降低故障率。建议研发团队关注超结结构在降低导通损耗与提升鲁棒性之间的平衡,将其作为未来功率模...
通过镁掺杂工程平衡p-GaN栅极HEMT的阈值电压与导通电阻
Balancing Threshold Voltage and On-Resistance of p-GaN Gate HEMTs via Mg Doping Engineering
Zhanfei Han · Xiangdong Li · Jian Ji · Tao Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月
金属有机化学气相沉积(MOCVD)腔室中外延生长期间镁(Mg)的外扩散,给同时实现合适的阈值电压 ${V}_{\text {TH}}$ 和导通电阻 ${R}_{\text {ON}}$ 带来了重大挑战。在本研究中,通过在 p 型氮化镓(p - GaN)帽层和铝镓氮(AlGaN)势垒层之间插入厚度 ${t}_{\text {GaN}}$ 分别为 0 nm、5 nm、10 nm 的 GaN 层来调节 Mg 分布,我们发现:1)p - GaN 栅高电子迁移率晶体管(HEMT)的正向栅极泄漏电流与 ${...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项p-GaN栅极HEMT器件的Mg掺杂工程技术具有重要的战略价值。该研究通过在p-GaN帽层与AlGaN势垒层之间插入5nm GaN中间层,成功实现了阈值电压(2.25V)与导通电阻(9.04Ω·mm)的优化平衡,这直接契合了我们在光伏逆变器和储能变流器中对高性能功率器件...
用于抗ESD驱动应用的RESURF LDMOS器件的极高ESD失效电压
Extremely High ESD Failure Voltage of RESURF LDMOS Devices for ESD Resilient Driver Applications
Aakanksha Mishra · M. Monishmurali · B. Sampath Kumar · Shaik Ahamed Suzaad 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月
本研究报告了横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在传输线脉冲(TLP)特性中呈现出的极高静电放电(ESD)失效电压,同时探究了临界电压与细丝形成之间的关联。高失效电压能在高压(HV)输入/输出应用中为过电压应力提供额外保护,从而使器件对ESD损伤具备更强的抵抗力。本文详细研究了漂移区存在降低表面电场(RESURF)注入的LDMOS器件的ESD行为。此外,通过测量和三维工艺及器件仿真(3 - D TCAD),探讨了影响RESURF LDMOS器件高失效电压的漂移区设计和电场工程方法。
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于RESURF LDMOS器件超高ESD(静电放电)失效电压的研究具有重要的应用价值。在光伏逆变器和储能系统中,功率半导体器件是核心部件,其可靠性直接影响整机性能和寿命。LDMOS器件因其优异的高压特性,已广泛应用于我司逆变器的驱动电路和高压I/O接口中。 该研究通...
背接触界面复合对CZT(S,Se)薄膜太阳能电池效率的影响:一种理论视角
Impact of back-contact interface recombination on CZT(S,Se) thin-film solar cell efficiency: A theoretical perspective
Roya Charghande · Abdollah Abbas · Solar Energy · 2025年11月 · Vol.300
摘要:由于吸收层与金属背接触之间界面处的载流子损失所导致的效率退化,仍然是CZT(S,Se)薄膜光伏器件面临的主要限制因素——这是一种环境友好且地球储量丰富的黄铜矿型材料体系。本研究提出了一种理论框架,结合实验趋势与基于TCAD的数值模拟,系统地分析并缓解此类界面诱导的损耗。该模型引入了若干关键的界面物理现象,包括能带排列和非对称复合动力学,且无需依赖复杂的制备工艺。仿真结果表明,通过有针对性的界面优化——特别是利用势垒调控和钝化技术——可以显著降低非辐射复合并改善载流子收集效率。模型预测,优化...
解读: 该CZT(S,Se)薄膜电池背接触界面优化研究对阳光电源SG系列光伏逆变器系统具有重要参考价值。研究揭示的界面钝化技术可提升组件效率至17%以上,直接影响逆变器MPPT算法优化策略和系统发电量。背接触复合损耗机理分析为阳光电源开发新一代高效组件适配型逆变器提供理论依据,特别是在1500V高压系统中,...
用于城市建筑应用的高密度光伏叠瓦组件遮阴损耗增强研究
Shading-loss enhancement of high-density photovoltaic shingled module for urban building applications
Juhwi Kim · Jaesung Ba · Rakhyun Jeong · Jaehyeong Le · Solar Energy · 2025年2月 · Vol.287
摘要 在叠瓦式光伏(PV)组件中,太阳能电池通过导电胶(ECA)被分离并以串联方式连接。由串联连接的电池条组成的叠瓦串具有高电压、低电流的特性,可降低电阻损耗,并实现比传统光伏组件空间损耗更低的高效光伏组件生产。然而,该方法存在对阴影更敏感的缺点,因为在分割过程中使用的太阳能电池条比传统光伏组件中的典型电池串更小且呈分段结构。在城市建筑环境中,遮阴现象较为普遍,因此必须解决遮阴问题。本文提出的串列交叉互连方法,是将一个或两个叠瓦串进行捆绑并以交叉方式排列。当模块底面25%面积被遮挡时,传统串列互...
解读: 该叠瓦组件串联交叉互联技术对阳光电源SG系列光伏逆变器的MPPT优化策略具有重要参考价值。传统叠瓦组件在25%遮挡时输出降至52%,新方法可延迟至41.6%遮挡才旁路,输出改善17%。这为城市建筑BIPV场景下的逆变器多路MPPT算法优化提供新思路,建议结合iSolarCloud平台的阴影识别功能,...
取代型多金属氧酸盐修饰的SnO₂用于增强界面接触以实现高效碳基全无机钙钛矿太阳能电池
Substituted polyoxometalate-modified SnO2 for enhanced interfacial contact for high-efficiency carbon-based all inorganic perovskite solar cells
Xueying Xua · Weilin Chena · Yinan Houc · Qunwei Tangb · Solar Energy · 2025年10月 · Vol.299
摘要 SnO₂在光伏应用中表现出三个关键特性:低温制备工艺、高导电性和优异的紫外光稳定性。这些优势使其成为高性能钙钛矿太阳能电池(PSCs)中一种理想的电荷传输材料。然而,基于SnO₂的PSCs仍面临巨大挑战,较差的界面接触和界面缺陷是导致器件效率损失和长期稳定性下降的重要因素。本研究通过将过渡金属取代的Keggin型多金属氧酸盐K₆H₄[SiW₉O₃₇{Ni(H₂O)}₃({SiW₉Ni₃})与SnO₂量子点进行策略性整合,在全无机CsPbI₂Br钙钛矿太阳能电池中实现了协同性的界面工程。Sn...
解读: 该SnO2基钙钛矿电池界面工程技术对阳光电源SG系列光伏逆变器的组件适配性优化具有重要参考价值。研究中SnO2@SiW9Ni3复合电子传输层通过增强电子迁移率提升导电性的机制,可启发我们在逆变器MPPT算法中针对新型高效组件的特性曲线进行优化。其界面缺陷钝化抑制非辐射复合的策略,与阳光电源在SiC/...
直流虚拟惯量与电压环稳定裕度解耦设计方法
Decoupling Design Method for DC Virtual Inertia and Voltage Loop Stability Margin
作者未知 · 中国电机工程学会热电联产 · 2025年9月 · Vol.2025
针对直流微电网中大虚拟惯量与高稳定裕度难以兼顾的难题,本文引入滤波器时间常数作为新自由度,揭示其与虚拟惯量及稳定裕度的关系;提出“虚拟电阻”概念实现二者解耦,便于工程量化实现;分析表明合理取值的虚拟电阻几乎不影响动态响应,却显著提升稳定裕度;仿真与实验验证了该方法有效性。
解读: 该文提出的虚拟电阻解耦设计方法可直接应用于阳光电源ST系列储能变流器(PCS)及PowerTitan液冷储能系统的DC侧惯量模拟与电压环稳定性优化,尤其适用于构网型光储系统在弱电网或孤岛运行场景。建议在iSolarCloud平台中集成该算法模块,用于PCS参数自整定与微电网稳定评估,提升组串式逆变器...
构网型控制及其在高压无变压器电池储能系统的实验验证
Grid-Forming Control and Experimental Validation for High Voltage Transformerless Battery Energy Storage System
Xiqi Wu · Shengbing Wu · Fuwen Wang · Chaofan Wei 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
与构网型(GFM)控制相结合的单装置大容量优势,有效助力高压无变压器电池储能系统(BESS)支撑电网频率和电压稳定。然而,故障期间处于限流模式下的变流器的暂态稳定特性及其为电网提供有效支撑的能力,与传统同步电机存在显著差异。因此,本文首先通过理论推导考虑限流模式的虚拟功角曲线,研究了高压和低压故障穿越发生时的暂态同步稳定性问题。然后,提出了应对电网电压跌落和上升时增强暂态同步稳定性的策略,并通过仿真结果进行了验证。此后,提出在功率反馈回路中嵌入自适应增益系数,以提高故障发生时快速低压支撑能力。更...
解读: 从阳光电源储能系统业务视角来看,该论文展示的高压直挂式储能系统构网型(GFM)控制技术具有重要战略价值。论文聚焦35kV/10MW/5MWh锂电储能工程项目的实际验证,这与我司PowerTitan等大型储能产品的技术路线高度契合,为高压直挂拓扑的工程化应用提供了关键理论支撑。 技术价值方面,构网型...
强效铯铜-铋氯双钙钛矿太阳能电池的设计与模拟:适用于高原地区且效率超过25%
Design and simulation of strong cesium copper–bismuth chloride double perovskite solar cells with an efficiency exceeding 25% for plateau areas
Weiqiang Yanga · Yan Jina · Wenjun Lia · Jiku Wangb 等5人 · Energy Conversion and Management · 2025年1月 · Vol.323
摘要 高原地区以其强烈的紫外辐射和较长的日照时间著称,是光伏产业的理想区域。由于紫外辐射的危害性以及铅的毒性,开发适用于高海拔环境的高效无铅钙钛矿太阳能电池至关重要。具有1.36 eV间接带隙和低毒性的铯铜-铋氯双钙钛矿可作为高效太阳能电池中吸收紫外和可见光的理想吸光材料。本研究采用密度泛函理论和太阳能电池电容模拟器,计算了铯铜-铋氯双钙钛矿的光电特性,并优化了器件性能。当电子传输层厚度为450 nm、钙钛矿层厚度为600 nm、空穴传输层厚度为30 nm,对应的载流子浓度分别为10^19、10...
解读: 该铯铜铋氯双钙钛矿电池技术对阳光电源高原光伏系统具有重要参考价值。其25.62%转换效率和400K高温下>20%效率保持率,为SG系列逆变器在高海拔强紫外环境的MPPT算法优化提供新思路。无铅、强抗UV特性契合高原电站长期可靠性需求,可指导iSolarCloud平台针对高原场景的发电预测模型改进。间...
基于GaN-on-Si技术的自兼容高压级联晶体管
Self-Compatible Transistors in GaN-on-Si Technology for High-Voltage Cascodes
Richard Reiner · Patrick Waltereit · Michael Basler · Daniel Grieshaber 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年11月
本研究介绍了基于硅基氮化铝镓/氮化镓(AlGaN/GaN-on-Si)技术的自兼容多级级联功率晶体管“模块”的设计与特性表征,该模块可实现模块化堆叠,适用于高压应用。与传统方法(如超级级联或多电平拓扑)不同,所提出的解决方案由堆叠的晶体管分段直接驱动,无需额外组件,如栅极控制网络或带电平转换的多个驱动器。这使得配置更加简单且成本更低。利用自兼容构建模块的概念,我们展示了直接驱动的多级级联器件,其中所有分段均采用相同结构。通过栅极绝缘层工程实现了对高度负阈值电压的关键要求,同时器件仿真证实了分段电...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于GaN-on-Si技术的自兼容级联功率晶体管方案具有重要的战略价值。该技术通过模块化"积木式"设计实现高压应用,与我们在光伏逆变器和储能变流器领域对高效率、高功率密度的持续追求高度契合。 技术的核心创新在于消除了传统级联拓扑中复杂的门极控制网络和多驱动器电平转换电...
基于系统环境数据统计特性的戴维南等效参数辨识
Thévenin Equivalent Parameters Identification Based on Statistical Characteristics of System Ambient Data
Boying Zhou · Chen Shen · Kexuan Tang · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年9月
本文提出一种基于电力系统随机响应统计特性的戴维南等效参数(TEP)辨识新方法。该方法利用稳态下系统的自然随机波动数据,结合滑动窗口技术计算电压、电流与功率间的灵敏度参数,实现高精度、强鲁棒性的TEP辨识。不同于传统方法,本方法无需大扰动或人工注入信号,仅依赖系统固有波动,并支持基于本地电压、电流和功率测量的分布式实施,具有较高的工程应用价值。理论分析表明,该方法在低信噪比、测量不同步和数据共线性情况下仍具良好鲁棒性,仿真结果验证了其在多种实际场景下的有效性。
解读: 该戴维南等效参数辨识技术对阳光电源储能与光伏产品具有重要应用价值。在PowerTitan大型储能系统中,可基于本地电压电流测量实时辨识电网等效阻抗,无需注入扰动信号即可评估并网点强度,为ST系列储能变流器的GFM/GFL控制模式自适应切换提供依据。在SG系列光伏逆变器中,该方法可利用自然功率波动识别...
基于Bi2O2Se/CdSe垂直型II类异质结的宽带、高性能自供电光电探测器
Broadband, High-performance, and Self-Powered Photodetector based on a Bi2O2Se/CdSe vertical type-II heterojunction
Qianjin Wang · Qicheng Zhang · Peizhi Yang · Yingkai Liu 等5人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年11月
目前,基于 Bi₂O₂Se 的光电探测器存在响应度低、探测灵敏度有限以及宽带光响应能力不足等问题,这极大地阻碍了其在高性能光电器件中的实际应用。为克服这些局限,本研究设计并制备了一种基于垂直堆叠 Bi₂O₂Se/CdSe 异质结的宽带(300 - 1300 nm)高性能光电探测器。在 560 nm 光照和 5 V 偏置电压下,该器件表现出 6.18×10³ A/W 的高响应度、1.46×10⁴ 的开关比以及 1.95×10¹⁴ Jones 的比探测率。值得注意的是,即使在零偏置条件下,该器件仍能...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,该Bi₂O₂Se/CdSe异质结自供电光电探测器技术展现出与我司核心业务领域的多维度协同潜力。 **直接应用价值**:该器件在零偏压条件下仍保持1.99 A/W的响应度和2.52×10³的开关比,其自供电特性与我司分布式光伏和储能系统的智能监控需求高度契合。在光伏电站的组...
通过隧穿过程工程实现非易失性存储器件的低功耗
Low power consumption of non-volatile memory device by tunneling process engineering
Fucheng Wang · Mengmeng Chu · Jingwen Chen · Zhong Pan 等8人 · Solid-State Electronics · 2025年6月 · Vol.226
摘要 与Si3N4和Al2O3相比,采用热氧化工艺生长的SiO2作为隧穿层具有带隙大、与硅片表面界面接触良好等优点,能够有效解决金属-绝缘体-半导体(MIS)器件的漏电流问题。本研究探讨了优化SiO2隧穿层对SiO2/HfAlOx/Al2O3结构MIS器件工作电压的影响。结果表明,随着隧穿层厚度的减小,器件的工作电压随之降低,在隧穿层厚度为1.5 nm时,最低工作电压仅为12 V。此外,我们发现当在850 °C N2气氛中对1.5 nm厚的SiO2隧穿层进行退火处理时,薄膜表面会产生针孔,此时器...
解读: 该非易失性存储器低功耗技术对阳光电源储能系统具有重要参考价值。通过优化SiO2隧穿层厚度至1.5nm可将工作电压降至12V,这一低压运行特性可应用于ST系列PCS的辅助电源管理和PowerTitan储能系统的状态存储模块,降低待机功耗。MIS结构的低漏电特性与我们三电平拓扑中的SiC/GaN器件栅极...
易于制造的类互补柔性反相器集成体异质结有机薄膜晶体管具有平衡的电子和空穴迁移率
Easily Manufactured Complementary-Like Flexible Inverters Integrating Bulk Heterojunction Organic Thin-Film Transistors With Well-Balanced Electron and Hole Mobilities
Haitian Wei · Zebing Fang · Yijie Lin · Zhenxiang Yan 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年11月
逻辑电路是从离散有机薄膜晶体管(OTFT)向集成电路(IC)发展的关键环节。开发低功耗且易于制造的逻辑电路是新兴柔性和可穿戴电子设备面临的一项重大挑战。在这项工作中,我们提出了一种通过简便制造工艺实现柔性逆变器的策略。该逆变器将两个相同的双极型OTFT串联集成,通过对栅极电介质和本体异质结沟道进行优化来提升其性能。采用聚苯乙烯(PS)/聚甲基丙烯酸甲酯双层栅极电介质,以兼顾OTFT的迁移率和工作电压。此外,提出并优化了由二元聚合物半导体组成的本体异质结沟道,以实现平衡的电子和空穴迁移率。优化后的...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项有机薄膜晶体管(OTFT)柔性逆变器技术虽然聚焦于微电子集成电路领域,但其核心创新理念对我司产品线具有启发性参考价值。 该研究通过双层栅介质工程和体异质结沟道优化,实现了电子和空穴迁移率的高度平衡(5.41×10⁻²和6.08×10⁻² cm²/V·s),构建出增益高...
基于准电流源逆变器的高速无刷直流电机无传感器启动及换相误差补偿策略
Sensorless Starting and Commutation Error Compensation Strategy for High-Speed Brushless DC Motors Based on Quasi-Current Source Inverter
Yanfei Cao · Jiawei Li · Shenxiao Zheng · Wei Chen 等5人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年3月
针对高速无刷直流电机(BLDCM)无传感器启动过程中因速度估计偏差导致换相错误的问题,本文提出一种基于准电流源逆变器(QCSI)的恒流升频加速启动方法。该方法通过控制电感电流保持恒定,使电机以恒定转矩加速,并设计加速步数以实现电机的自同步运行切换。此外,针对QCSI驱动的高速无刷直流电机,提出一种考虑电压钳位的换相误差补偿策略。该策略计算由二极管电压钳位引起的相位超前角,完善换相误差来源,提高换相误差模型的精度,从而获得更准确的换相误差补偿角。实验结果表明,所提出的启动方法可实现电机可靠的三段式...
解读: 该无传感器启动与换相误差补偿技术对阳光电源储能与充电桩产品线具有重要应用价值。在ST系列储能变流器的风机冷却系统中,准电流源逆变器拓扑可降低高速BLDCM驱动成本,滑模观测器结合虚拟电阻的反电动势估算方法可提升无位置传感器控制精度,减少换相误差导致的转矩脉动与噪声。该技术同样适用于充电桩散热风机及P...
中国海拔4650米处长空气间隙放电通道曲折度研究
Study on the tortuosity of long air gap discharge channels at an altitude of 4650 m in China
Li Cai · Haohao Jin · Changzhi Peng · Mengyuan Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年12月
高海拔下气压、温度和湿度的变化影响长空气间隙的放电特性及放电通道曲折度的变异。本研究在海拔4650 m的西藏地区开展实验,分析不同电极类型(棒、球、环形电晕平面)和间隙距离下的放电电压、电流及光学图像。结果表明,偏转角φ与弯曲角β服从正态分布,间隙距离和电极类型均影响曲折程度。通过K-means聚类分析识别出放电通道发展的三阶段模式。该海拔下平均偏转角为12.7°,标准差±10.0°,高海拔数据分布更分散,概率密度曲线更宽。研究结果为高海拔环境下的空气放电模拟与高电压工程提供了重要数据支持。
解读: 该高海拔长空气间隙放电特性研究对阳光电源高原型产品设计具有重要价值。研究揭示的4650m海拔下放电通道曲折度特征(平均偏转角12.7°±10.0°)及三阶段放电模式,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高原型产品开发。针对西藏、青海等高海拔光储电站,该数据支持优化母排间距设计、绝缘配...
锂离子电池高倍率放电老化机理与解析建模:侧重于正极集流体溶解与颗粒断裂
Mechanism and analytical modeling of high-rate discharge aging in lithium-ion batteries: Emphasizing cathode current collector dissolution and particle fracture
Jingbo Han · Guoliang Li · Chong Zhu · Yansong Wang 等7人 · Applied Energy · 2025年9月 · Vol.393
摘要 以LiMnxNiyCozO2(NMC)为正极材料的能量型电池因其优异的能量密度特性,被广泛应用于电动汽车(EV)中。随着高功率应用场景的不断增加,研究能量型电池在高倍率放电条件下的老化机理,并对老化现象进行定量分析,已成为一项至关重要的任务。本研究首先在1C、2C和3C三种放电倍率下开展了加速老化实验,并结合多种宏观与微观测试技术,对电池老化的物理过程进行了系统深入的分析。结果表明,正极集流体溶解、铝元素在负极的沉积以及正极颗粒的破裂是导致容量衰减的主要原因。此外,通过将改进的巴特勒-伏尔...
解读: 该研究揭示的高倍率放电老化机制对阳光电源储能系统具有重要价值。针对正极集流体溶解、颗粒破裂等衰减机理,可优化PowerTitan储能系统的BMS热管理策略和充放电曲线设计。所建立的电化学-热-老化耦合模型可集成至iSolarCloud平台,实现全生命周期SOH精准预测和预防性维护。对ST系列PCS的...
关于无机载流子传输层对钙钛矿太阳能电池性能影响的模拟研究
Simulation study on the impact of inorganic carrier transport layers on perovskite solar cell performance
Jianghao Liuabcd1 · Maiwulangjiang Adiliabcd1 · Hao Pan · Guofu Hou 等7人 · Solar Energy · 2025年3月 · Vol.288
摘要 钙钛矿太阳能电池(PSC)由于具有高吸收系数、低激子结合能和高载流子迁移率等优异特性,目前处于光伏研究的前沿。为了提升器件性能,不仅需要考虑缺陷态和界面态,还必须关注各功能层的材料特性及其能级排列。本研究采用wx-AMPS仿真软件,探讨了具有不同能带结构和载流子迁移率的载流子传输层对PSC性能的影响。模拟参数包括:温度300 K、1.5 AM光源、界面复合速率为10^7 cm⁻²,以及辅助陷阱隧穿模式。结果表明,降低能垒高度并提高载流子迁移率可显著提升电池的转换效率。优化后的模拟实现了28...
解读: 该钙钛矿电池载流子传输层优化研究对阳光电源光伏逆变器产品具有前瞻价值。研究中28.95%的电池效率提升和能级匹配优化思路,可启发SG系列逆变器的MPPT算法改进,通过精准追踪高效电池的输出特性曲线,降低失配损耗。载流子迁移率提升对应更低内阻,与公司1500V系统的低损耗设计理念契合。此外,无机传输层...
一种用于硅/碳化硅混合开关的主动串扰抑制门极驱动电路
An Active Crosstalk Suppression Gate Driver Circuit for Si/SiC Hybrid Switch
作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
由并联的硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)组成的混合开关(HyS),近年来因其高效率和低成本而受到越来越多的关注。然而,由于器件特性的独特表现和差异,HyS 在运行过程中产生的串扰会显著降低系统可靠性。为解决串扰问题,本文分析了 HyS 中的串扰效应,并建立了 HyS 的串扰模型。设计了一种栅极驱动电路来抑制 HyS 中的串扰,并详细阐述了其工作原理。该驱动电路简化了硬件设计,同时有效解决了 HyS 中的串扰问题。L...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项Si/SiC混合开关的有源串扰抑制技术具有重要的战略价值。当前光伏逆变器和储能变流器正面临效率提升与成本控制的双重压力,纯SiC方案虽然性能优异但成本居高不下,而Si IGBT与SiC MOSFET并联的混合开关方案恰好提供了一条兼顾性能与经济性的技术路径。 该论文针...
高K介质包裹GaN环栅场效应管在IoT系统中的高频器件设计与分析
Design and Analysis of High-K Wrapped GaN GAA FET as High-Frequency Device in IOT Systems
Sneha Singh · Rudra Sankar Dhar · Amit Banerjee · Vinay Gupta · IEEE Access · 2025年4月
基于氮化镓GaN的栅堆叠GS环绕栅场效应管GAA FET因其卓越材料特性如高电子迁移率、宽禁带和优越热稳定性,成为下一代节能电子设备有前途候选。本研究聚焦GaN基GAA FET的直流和交流性能评估,结合高k介电间隔层和源漏欠覆盖工程。直流分析参数如亚阈值斜率、阈值电压、漏电流、泄漏电流和电流比。相比所提2nm技术节点IRDS2025,关态泄漏电流降低约95%、开关比提升约606%。此外,亚阈值摆幅优化约65mV/decade,表明卓越泄漏控制和开关性能。交流分析评估关键品质因数包括跨导、截止频率...
解读: 该GaN器件技术对阳光电源功率半导体研发具有重要参考价值。阳光在储能变流器和光伏逆变器中应用GaN器件追求更高开关频率和更低损耗。该研究的高k介质间隔层和欠覆盖设计可启发阳光GaN功率器件优化,降低寄生电容,提升开关速度103%。在高频应用中,该器件的低亚阈值摆幅(65mV/decade)和高开关比...
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