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通过超结结构增强高压LDMOS的抗ESD特性
Strengthen Anti-ESD Characteristics in an HV LDMOS With Superjunction Structures
| 作者 | Shen-Li Chen · Yi-Sheng Lai |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 高压 LDMOS 超结 ESD 电力电子 可靠性工程 导通电阻 半导体器件 |
语言:
中文摘要
本文研究了45V高压n型横向扩散金属氧化物半导体（nLDMOS）的抗静电放电（ESD）能力。通过引入嵌入式超结（SJ）结构，在保持低导通电阻的同时，显著提升了器件的ESD鲁棒性，解决了高压功率器件在可靠性工程中的关键瓶颈。
English Abstract
In general, the antielectrostatic discharge (ESD) ability of a high voltage (HV) mosfet device will be very low if it is not optimized through the addition of reliability engineering. Accordingly, in this paper, some embedded superjunction (SJ) device under tests (DUTs) of 45-V HV n-channel lateral-diffused MOS (nLDMOS) are developed, which offer a low on-resistance as compared with the traditiona...
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SunView 深度解读
该研究聚焦于功率半导体器件的底层可靠性设计，对阳光电源的核心产品线具有重要参考价值。高压LDMOS广泛应用于逆变器及充电桩的驱动电路与控制芯片中，增强其抗ESD能力可直接提升产品在复杂电磁环境下的现场可靠性，降低故障率。建议研发团队关注超结结构在降低导通损耗与提升鲁棒性之间的平衡，将其作为未来功率模块选型及驱动电路设计的技术储备，以优化组串式逆变器及电动汽车充电桩的控制板卡稳定性。