找到 276 条结果
三相四线共模电感分析与高频建模
Analysis and High-Frequency Model of Three-Phase Four-Wire Common Mode Chokes
Yujie Lan · Wei Chen · Qing He · Qingbin Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月
本文针对电磁干扰（EMI）滤波器中的关键组件——三相四线共模电感（4W-CMCs），提出了一种行为模型及参数提取技术。该模型充分考虑了由磁芯材料引起的电感非线性，旨在提升EMI滤波器设计精度及噪声仿真效率，为电力电子系统的电磁兼容性优化提供理论支撑。
解读: 共模电感是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及大功率充电桩EMI滤波器设计的核心器件。随着功率密度提升和开关频率提高，传统的线性模型已难以满足高频EMI抑制需求。本文提出的非线性高频建模方法，能够显著提升阳光电源在产品研发阶段的EMI仿真精度，减少样机调试次数，缩短研发周期。建议研发...
半桥电路中增强型氮化镓器件的不稳定性分析与振荡抑制
Instability Analysis and Oscillation Suppression of Enhancement-Mode GaN Devices in Half-Bridge Circuits
Kangping Wang · Xu Yang · Laili Wang · Praveen Jain · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年2月
本文分析了基于增强型氮化镓（GaN）晶体管的半桥电路中的不稳定性问题。这种不稳定性可能导致持续振荡，进而引发过电压、严重的电磁干扰（EMI），甚至导致器件击穿。研究指出，GaN器件在死区时间反向导通时处于饱和区，受寄生参数影响较大。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中对高功率密度和高效率的追求，GaN器件的应用日益广泛。本文研究的半桥电路振荡问题是提升系统可靠性的关键。建议研发团队在设计高频功率模块时，重点优化PCB布局以降低寄生参数，并针对GaN器件在死区时间的特性优化驱动电路设计，以抑制振荡并降低EMI，从而提...
一种用于性能、稳定性和高压抗扰性的紧凑型无变压器有源EMI滤波器量化设计指南
Quantified Design Guidelines of a Compact Transformerless Active EMI Filter for Performance, Stability, and High Voltage Immunity
Dongil Shin · Sangyeong Jeong · Jingook Kim · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年8月
本文提出并分析了一种采用推挽放大器的紧凑型无变压器共模有源EMI滤波器（AEF）。通过综合考虑性能、稳定性和高压瞬态抗扰度，推导出了量化设计准则。实验验证了该AEF在满足设计指标下的有效性。
解读: EMI抑制是阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统开发中的核心难点。随着功率密度提升和宽禁带半导体（SiC/GaN）的应用，高频EMI干扰日益严重。本文提出的无变压器有源EMI滤波器（AEF）方案，相比传统无源滤波器，能显著减小体积并提升高频段滤波性能，非常契合阳光...
一种抑制阻抗源DC-DC变换器电磁干扰的非周期调制方法
An Aperiodic Modulation Method to Mitigate Electromagnetic Interference in Impedance Source DC–DC Converters
Saad Ul Hasan · Graham. E. Town · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年9月
开关电源中快速的电压电流转换会产生电磁干扰（EMI）。采用宽禁带半导体器件虽能提升效率与功率密度，但会扩展干扰带宽。本文提出一种非周期调制方法，旨在降低阻抗源DC-DC变换器在开关频率谐波处的峰值干扰，从而优化电磁兼容性设计。
解读: 该研究针对宽禁带器件（SiC/GaN）应用中常见的EMI问题，提出了非周期调制方案，这对阳光电源的研发具有重要参考价值。在PowerTitan储能系统及组串式光伏逆变器中，随着功率密度提升和SiC器件的广泛应用，EMI合规性挑战日益严峻。该调制方法可直接应用于DC-DC变换级（如储能PCS的升压电路...
变开关频率PWM对DQ电流控制的影响及补偿方法
The Impact of VSFPWM on DQ Current Control and a Compensation Method
Qiao Li · Dong Jiang · Yechi Zhang · Zicheng Liu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
变开关频率脉宽调制（VSFPWM）通过预测模型动态调整载波频率，旨在降低开关损耗并抑制电磁干扰（EMI）。然而，该技术会引起电压源变换器数字DQ电流控制性能的退化。本文以L型并网变换器为研究对象，分析了其影响机理并提出了一种补偿方法。
解读: 该研究直接针对电力电子变换器的核心控制策略，对阳光电源的组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要价值。在追求高效率与低EMI的趋势下，变开关频率技术是优化产品损耗的关键。该补偿方法能有效解决VSFPWM带来的电流控制精度下降问题，提升逆变器在复杂电网环...
一种用于高可靠性和可扩展性有源EMI滤波器的定制集成电路
A Customized Integrated Circuit for Active EMI Filter With High Reliability and Scalability
Sangyeong Jeong · Junsik Park · Jingook Kim · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月
本文提出了一种通过定制集成电路（IC）实现的有源EMI滤波器（AEF），旨在降低传导电磁干扰噪声。该方案采用变压器隔离的前馈电流检测与补偿拓扑。通过低压IC器件设计，有效提升了AEF的可靠性与可扩展性。
解读: 电磁兼容性（EMC）是阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统在严苛电网环境下稳定运行的关键。该研究提出的定制化IC集成方案，相比传统分立器件构成的EMI滤波器，能显著减小体积并提升可靠性，特别适用于高功率密度产品。建议研发团队评估该IC方案在下一代高频化逆变器及PCS中的应用潜力，以优化...
半桥配置下SiC MOSFET电路寄生参数的测量
Measurement of Circuit Parasitics of SiC MOSFET in a Half-Bridge Configuration
Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
SiC MOSFET的快速开关瞬态虽降低了开关损耗，但会激发器件及电路寄生参数，导致振荡、器件应力增大、误导通、EMI问题及额外损耗。准确获取电路寄生参数是建立行为模型或解析模型以评估开关损耗及dv/dt、di/dt的关键。
解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）至关重要。随着公司产品向高功率密度和高开关频率演进，SiC器件的应用日益广泛。准确测量并建模电路寄生参数，能够有效优化PCB布局与驱动电路设计，抑制高频振荡带来的EMI干扰及电压尖峰，从而提升PowerTi...
集成屏蔽以抑制开关电场并降低共模噪声的PCB电感
PCB Inductor With Integrated Shielding to Contain Switching Electric Field and Reduce CM Noise
Tyler McGrew · Xingyu Chen · Qiang Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
随着功率半导体技术的发展，电源系统趋向小型化与高集成度。然而，开关噪声干扰敏感电路及EMI滤波器成为挑战。本文提出一种带集成屏蔽结构的PCB电感设计，旨在通过抑制开关电场耦合，有效降低共模（CM）噪声，提升高频功率变换器的电磁兼容性。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器、PowerTitan储能系统及充电桩产品具有重要意义。随着功率密度提升，高频开关带来的EMI问题日益突出，传统滤波器体积大且设计复杂。该PCB集成屏蔽电感技术可有效优化功率模块的电磁兼容设计，减少EMI滤波器体积，从而进一步提升产品功率密度。建议研发团队在下一代高频化...
集成栅极电压检测技术的SiC MOSFET有源栅极驱动IC
Active Gate Driver IC Integrating Gate Voltage Sensing Technique for SiC MOSFETs
Ting-Wei Wang · Ling-Chia Chen · Makoto Takamiya · Po-Hung Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年7月
碳化硅（SiC）MOSFET凭借高开关速度和低导通损耗优于传统硅器件。然而，高频开关易引发过冲、振荡及电磁干扰（EMI）问题。传统栅极驱动器因驱动强度固定，难以平衡过冲与开关损耗。本文提出一种集成栅极电压检测技术的有源栅极驱动IC，旨在优化SiC MOSFET的开关性能。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度和高频化演进，SiC器件的应用已成为主流。该有源栅极驱动技术能有效抑制SiC高频开关带来的电压尖峰与EMI，在提升系统效率的同时，显著增强功率模块的可靠性。建议研发团队关注该...
用于紧凑型开关电路的GHz带宽双线圈磁电流传感器
GHz-Bandwidth Twin-Coil Magnetic Current Sensors for Compact Switching Circuits
Yushi Wang · Zhaobo Zhang · Renze Yu · Saeed Jahdi 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
针对SiC和GaN功率变换器中电流开关瞬态的精确测量需求，本文提出了一种高带宽、高抗扰度且易于集成的磁电流传感器。该传感器旨在解决高EMI环境下传统磁线圈测量精度不足的问题，为宽禁带半导体器件的快速开关特性分析提供了有效的测试手段。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC和GaN功率器件，开关频率的提升带来了严峻的EMI挑战和瞬态电流测量难题。该技术对于研发阶段的功率模块性能评估、驱动电路优化及EMI抑制至关重要。建议研发团队将其应用于高频功率变换器的测试平台，以提升对快速开关瞬态的捕捉能力，...
一种同时消除EMI关键振荡并降低宽禁带功率半导体开关损耗的直接方法
Direct Approach of Simultaneously Eliminating EMI-Critical Oscillations and Decreasing Switching Losses for Wide Bandgap Power Semiconductors
Lars Middelstaedt · Jianjing Wang · Bernard H. Stark · Andreas Lindemann · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年11月
电力电子电路中普遍存在由换流单元谐振引起的振荡，这会增加电路应力并产生电磁干扰（EMI），在SiC和GaN等宽禁带半导体的高速开关电路中尤为突出。本文提出了一种通过有源门极驱动技术抑制振荡的新方法，在不牺牲开关速度的前提下，有效平衡了EMI抑制与开关损耗优化，提升了高频功率变换器的性能。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan系列储能PCS向高功率密度、高开关频率演进，SiC器件的应用已成为主流。该研究提出的有源门极驱动方案，能有效解决高频SiC应用中常见的电压尖峰与EMI难题，有助于进一步提升逆变器效率并简化滤波器设计。建议研发团...
在SiC基逆变器中使用反并联SiC SBD的准则
Criteria for Using Antiparallel SiC SBDs With SiC mosfets for SiC-Based Inverters
Koji Yamaguchi · Kenshiro Katsura · Tatsuro Yamada · Yukihiko Sato · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年1月
本文证实，在基于碳化硅（SiC）的逆变器中移除反并联SiC肖特基势垒二极管（SBD）不仅不会对逆变器损耗和电磁干扰（EMI）产生负面影响，反而能在多数情况下降低损耗并减少噪声排放，从而为提升功率密度提供了技术路径。
解读: 该研究对阳光电源的组串式光伏逆变器及PowerTitan系列储能变流器（PCS）具有重要指导意义。通过优化SiC功率模块的内部封装设计，去除冗余的SBD，不仅能降低物料成本，还能显著提升整机效率和功率密度，助力产品小型化。建议研发团队在下一代高频SiC逆变器设计中评估该方案，利用SiC MOSFET...
基于电流的共模有源EMI滤波器插入损耗分析与优化
Insertion Loss Analysis and Optimization of a Current Based Common-Mode Active EMI Filter
Jianrui Liu · Yechi Zhang · Dong Jiang · Xuan Zhao 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
有源电磁干扰滤波器（AEF）是抑制共模（CM）电磁干扰的有效手段。本文推导了反馈型电流传感电流补偿式AEF的精确闭环传递函数，并定义了衰减因子（AF）作为影响AEF抑制性能的关键参数，为电力电子系统的电磁兼容性设计提供了理论指导。
解读: 电磁兼容性（EMC）是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及大功率充电桩产品设计的核心挑战。随着功率密度提升和宽禁带半导体（SiC/GaN）的应用，高频EMI噪声抑制难度加大。传统的无源滤波器体积大且笨重，本文提出的有源EMI滤波器（AEF）技术能够显著减小滤波器体积，提升系统功率密度...
一种用于提升大功率SiC MOSFET模块开关性能的新型有源驱动电路
A Novel Active Gate Driver for Improving Switching Performance of High-Power SiC MOSFET Modules
Yuan Yang · Yang Wen · Yong Gao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年8月
碳化硅（SiC）MOSFET凭借高开关速度和低损耗优势，成为提升电力电子设备功率密度与效率的关键方案。然而，高开关速度易引发电压振荡、过冲、电磁干扰（EMI）及额外损耗。本文提出了一种新型有源栅极驱动器（AGD），旨在优化大功率SiC模块的开关特性。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司PowerTitan等大功率储能系统及组串式逆变器向更高功率密度演进，SiC器件的应用已成主流。该有源驱动技术能有效抑制SiC高速开关带来的EMI和电压尖峰，直接提升逆变器及PCS的可靠性与效率。建议研发团队关注该驱动方案在模块化大功率变换器中的集成潜...
半桥配置下SiC MOSFET关断软开关动态特性分析模型
Analytical Model to Study Turn-OFF Soft Switching Dynamics of SiC MOSFET in a Half-Bridge Configuration
Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月
SiC MOSFET具有极快的开关瞬态，虽能降低开关损耗，但易引发振荡、误导通及EMI问题。本文针对软开关变换器，研究了利用外部漏源电容抑制上述负面效应的分析模型，旨在优化SiC器件在高速开关下的动态性能与可靠性。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有重要指导意义。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高效率方向演进，SiC器件的应用已成为主流。该分析模型有助于研发团队精确评估SiC MOSFET在软开关（如LLC或移相全桥）下的关断动态，从而优化驱动电路设计，有效抑...
基于参数优化的LCC-S型磁耦合无线电能传输系统EMI抑制方法
EMI Suppression Method for LCC-S MC-WPT Systems by Parameter Optimization
Pengqi Deng · Chunsen Tang · Min Sun · Zhe Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
磁耦合无线电能传输（MC-WPT）系统中的励磁电流谐波及开关噪声会通过耦合线圈产生电磁干扰（EMI）。本文从参数设计角度提出了一种干扰源抑制方法，通过优化参数设计，有效降低了原边和副边耦合线圈电流的总谐波失真（THD），从而抑制了EMI水平。
解读: 该研究聚焦于无线电能传输（WPT）系统的EMI抑制，这对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有前瞻性参考价值。随着大功率无线充电技术的演进，电磁兼容性是产品认证与市场准入的关键。虽然目前阳光电源主营业务以有线充电桩为主，但该文提出的基于参数优化的谐波抑制策略，可迁移至公司现有的高频DC-DC变换器或充电桩...
一种用于EMI分析的多芯片功率模块寄生电容高效提取方法
An Efficient Capacitance Extraction Method for Multichip Power Modules for EMI Analysis
Jaewon Rhee · Sanguk Lee · Seungmin Ha · Changmin Lee 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
本文针对多芯片功率模块（MCPMs）提出了一种高效的寄生电容提取方法。在汽车逆变器等高频开关应用中，准确提取寄生参数对电磁干扰（EMI）分析至关重要。该方法特别适用于集成了多个半桥单元的多桥MCPM结构，旨在解决复杂模块内部寄生参数表征的难题，从而提升电力电子系统的可靠性与EMI设计水平。
解读: 该研究对阳光电源的功率器件选型与模块化设计具有重要参考价值。在阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，高功率密度设计往往伴随着复杂的电磁兼容挑战。通过该方法精确提取多芯片功率模块的寄生电容，可优化PCB布局与驱动电路设计，有效抑制高频开关过程中的EM...
基于MOSFET线性反向运行的DM EMI抑制有源桥式整流器
Active Bridge Rectifier With DM EMI Reduction Based on Linear Reverse Operation of MOSFETs
Ke-Wei Wang · Kun Zhang · Chung-Pui Tung · Henry Shu-Hung Chung · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
本文提出了一种用于功率MOSFET第三象限运行（同步整流）的新型线性控制方案，并将其应用于开关变换器的电磁干扰（EMI）抑制。该方案利用MOSFET在第三象限运行时的电压控制特性，通过线性化控制降低开关过程中的电压电流变化率，从而有效抑制差模（DM）EMI噪声。
解读: 该技术对阳光电源的电力电子变换器设计具有重要参考价值。在组串式逆变器、储能PCS以及充电桩产品中，EMI合规性是高功率密度设计的核心挑战。利用MOSFET线性区控制技术，可以在不增加额外无源滤波器体积的情况下，有效降低差模干扰，有助于进一步提升产品功率密度并优化散热设计。建议研发团队在小功率户用逆变...
通过混沌PWM技术降低共模电感以实现紧凑型EMI滤波器设计
A Compact EMI Filter Design by Reducing the Common-Mode Inductance With Chaotic PWM Technique
Hong Li · Yuhang Ding · Chongmo Zhang · Zhichang Yang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年1月
无源EMI滤波器（PEF）是解决电力变换器电磁干扰的主要手段，但其共模电感体积大、成本高，限制了高功率密度变换器的发展。本文提出利用混沌PWM技术优化EMI频谱，从而减小共模电感体积，在满足电磁兼容标准的同时提升系统功率密度。
解读: 该技术对阳光电源的高功率密度产品线至关重要。在组串式逆变器（如SG系列）和储能变流器（如PowerTitan/PowerStack）中，EMI滤波器往往占据较大的空间和重量。引入混沌PWM技术可有效降低共模电感体积，从而进一步提升整机功率密度，降低材料成本。建议研发团队在下一代高频化逆变器设计中评估...
串联谐振变换器中集成磁件的外部磁场最小化
External Magnetic Field Minimization for the Integrated Magnetics in Series Resonant Converter
Jinxu Yang · Xinke Wu · Faheem Muhammad · Zhijiang Deng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年1月
谐振DC-DC变换器因开关损耗低、EMI特性优良，在高效率应用中备受青睐。然而，在车载充电器等宽输出电压范围应用中，谐振电感体积较大，限制了功率密度的提升。本文重点研究了集成磁件的外部磁场最小化设计方法，旨在优化磁性元件布局，提升变换器整体功率密度。
解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩及储能系统（如PowerStack/PowerTitan中的DC-DC环节）具有重要意义。通过集成磁件的磁场优化，可有效减小磁性元件体积，提升整机功率密度，这对于追求高集成度和紧凑型设计的户用及工商业储能PCS至关重要。建议研发团队关注该集成磁设计方法，以降低EMI干...
第 6 / 14 页