← 返回
半桥配置下SiC MOSFET电路寄生参数的测量
Measurement of Circuit Parasitics of SiC MOSFET in a Half-Bridge Configuration
| 作者 | Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 电路寄生参数 开关暂态 开关损耗 EMI 行为建模 半桥配置 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET的快速开关瞬态虽降低了开关损耗，但会激发器件及电路寄生参数，导致振荡、器件应力增大、误导通、EMI问题及额外损耗。准确获取电路寄生参数是建立行为模型或解析模型以评估开关损耗及dv/dt、di/dt的关键。
English Abstract
Fast switching transient of SiC mosfet reduces switching loss. However, it excites device and circuit parasitics resulting in prolonged oscillation, high device stress, spurious turn on, EMI related issues, and higher switching loss. Behavioral or analytical models are used to estimate switching loss $(dv/dt)$, $(di/dt)$ rates, etc., and it requires the value of circuit parasitics as input. Measur...
S
SunView 深度解读
该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）至关重要。随着公司产品向高功率密度和高开关频率演进，SiC器件的应用日益广泛。准确测量并建模电路寄生参数，能够有效优化PCB布局与驱动电路设计，抑制高频振荡带来的EMI干扰及电压尖峰，从而提升PowerTitan等储能变流器及高压组串式逆变器的可靠性与效率。建议研发团队将此测量方法集成至功率模块的选型与验证流程中，以进一步优化系统级的电磁兼容性设计。