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基于MOSFET线性反向运行的DM EMI抑制有源桥式整流器
Active Bridge Rectifier With DM EMI Reduction Based on Linear Reverse Operation of MOSFETs
| 作者 | Ke-Wei Wang · Kun Zhang · Chung-Pui Tung · Henry Shu-Hung Chung |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年3月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | PFC整流 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 有源桥式整流器 MOSFET 第三象限运行 EMI抑制 开关变换器 线性控制 同步整流 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种用于功率MOSFET第三象限运行（同步整流）的新型线性控制方案，并将其应用于开关变换器的电磁干扰（EMI）抑制。该方案利用MOSFET在第三象限运行时的电压控制特性，通过线性化控制降低开关过程中的电压电流变化率，从而有效抑制差模（DM）EMI噪声。
English Abstract
A new linear control scheme for operating power MOSFETs in the third quadrant (i.e., synchronous rectifier (SR) operation) is proposed and applied to electromagnetic interference (EMI) mitigation of switching converters. MOSFETs operating in the third quadrant exhibit electrical characteristics equivalent to a voltage-controlled voltage source between the gate-source and the drain-source voltages....
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的电力电子变换器设计具有重要参考价值。在组串式逆变器、储能PCS以及充电桩产品中，EMI合规性是高功率密度设计的核心挑战。利用MOSFET线性区控制技术，可以在不增加额外无源滤波器体积的情况下，有效降低差模干扰，有助于进一步提升产品功率密度并优化散热设计。建议研发团队在小功率户用逆变器或充电桩的PFC级进行试点应用，以验证其在降低滤波器成本和提升电磁兼容性方面的潜力。