Ke-Wei Wang · Kun Zhang · Chung-Pui Tung · Henry Shu-Hung Chung · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月

本文提出了一种用于功率MOSFET第三象限运行（同步整流）的新型线性控制方案，并将其应用于开关变换器的电磁干扰（EMI）抑制。该方案利用MOSFET在第三象限运行时的电压控制特性，通过线性化控制降低开关过程中的电压电流变化率，从而有效抑制差模（DM）EMI噪声。

解读: 该技术对阳光电源的电力电子变换器设计具有重要参考价值。在组串式逆变器、储能PCS以及充电桩产品中，EMI合规性是高功率密度设计的核心挑战。利用MOSFET线性区控制技术，可以在不增加额外无源滤波器体积的情况下，有效降低差模干扰，有助于进一步提升产品功率密度并优化散热设计。建议研发团队在小功率户用逆变...