找到 78 条结果
SiC MOSFET:800V电动汽车空调压缩机的必然趋势
SiC MOSFETs: The Inevitable Trend for 800V Electric Vehicle Air Conditioning Compressors
He Xu · Lianjie Wang · Chushan Li · Wuhua Li 等6人 · IEEE Transactions on Vehicular Technology · 2024年9月
与传统燃油汽车不同,电动汽车的空调系统不仅要承担车厢的热管理,还要负责电池系统的热管理,甚至包括电机控制的热管理。对制冷和制热功率的高要求导致电动汽车的续航里程大幅减少。作为空调系统的核心,电动压缩机在电动汽车的热管理中起着至关重要的作用。本文表明,与硅绝缘栅双极型晶体管(Si IGBT)相比,碳化硅金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)更适用于 800V 电动汽车的电动压缩机。本文从系统能效、压缩机运行边界、噪声、振动与声振粗糙度(NVH)性能以及系统小型化趋势等方面...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,本论文关于SiC MOSFET在800V电动汽车空调压缩机中的应用研究,为我们在新能源电力电子领域的技术演进提供了重要参考价值。 首先,论文系统论证了SiC MOSFET相比传统Si IGBT在高压应用中的优势,这与阳光电源在光伏逆变器和储能变流器领域的技术路线高度契合。...
评估LCL滤波器光伏逆变器中谐振电流引起的可靠性退化
Evaluating the Reliability Degradation Caused by Resonant Current in Photovoltaic Inverters With LCL Filters
Xinyue Zhang · Jiacheng Sun · Zhongzheng Zhou · Zhen Kang 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年9月
随着光伏(PV)系统部署数量的不断增加,LCL 型并网逆变器因其卓越的谐波衰减能力而变得十分普遍。然而,传统的可靠性评估往往忽略了由控制回路不稳定或参数漂移引起的谐振电流的影响,而这种谐振电流会显著加速关键组件的老化。本文提出了一个全面的 LCL 型光伏逆变器可靠性评估框架,该框架能更好地反映实际运行条件。开发了一个电热模型,该模型考虑了与温度相关的功率损耗、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)热耦合以及电容器老化。采用蒙特卡罗模拟和威布尔分布来推导逆变器在年度任务剖面下的使用寿命。实验验证证实,谐振...
解读: 该研究对阳光电源SG系列光伏逆变器和ST储能变流器的可靠性设计具有重要价值。LCL滤波器谐振电流导致的IGBT热应力问题直接关联功率模块寿命,研究提出的电热耦合模型与雨流计数疲劳分析方法可应用于:1)SG系列逆变器功率模块热设计优化,通过主动阻尼控制抑制谐振电流,降低结温波动;2)ST储能变流器在频...
一种具有高可靠性的可配置SC型双源逆变器拓扑
A New Configurable SC-based Dual Source Inverter Topology with Improved Reliability
Mohammad Anas Anees · Saad Mekhilef · Marif Daula Siddique · Marizan Mubin 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年6月
本文提出了一种可配置的十五电平双电源中性点钳位逆变器拓扑结构,该拓扑对电源故障和开关故障具有可靠的应对能力。该拓扑有两个直流电源、四个电容,总共包含六个单向开关和四个双向开关。采用电平移相脉宽调制(PWM)来生成所需数量的电平。所提出的拓扑即使在出现电源故障和开关故障时,也能够令人满意地生成多电平输出波形。在PLECS中进行了功率损耗分析,以证明所提出的多电平逆变器(MLI)具有较高的效率。通过获取开关故障率,表明该MLI的可靠性得到了提高。此外,针对不同的故障情况进行了开关故障分析,以展示系统...
解读: 该可配置双源逆变器拓扑对阳光电源储能与充电产品线具有重要应用价值。其开关电容多电平技术可应用于ST系列储能变流器,通过冗余路径设计提升系统容错能力,在功率模块故障时维持降额运行,契合PowerTitan大型储能系统的高可靠性需求。双源架构适配光储融合场景,可优化ESS集成方案中的直流母线管理。十五电...
功率半导体器件可靠性中热模型应用综述
Review on the Thermal Models Applications in the Reliability of Power Semiconductor Device
Jun Zhang · Huixian Shen · Haiyan Sun · Zhihuan Wang · IET Power Electronics · 2025年6月 · Vol.18
本文从热参数的角度,综述了功率半导体器件的健康状态监测、结温估计、寿命预测及热管理技术。通过建立精确的热模型,可有效反映器件内部的热行为,进而提升其运行可靠性。文中分析了不同热模型的适用性及其在实时监测与寿命评估中的应用,强调了热-寿命关联模型在预测器件退化过程中的关键作用,为功率电子系统的可靠性优化提供了理论支持。
解读: 该热模型综述对阳光电源功率器件可靠性提升具有重要价值。在ST储能变流器和SG光伏逆变器中,IGBT/SiC模块的结温估计与寿命预测是核心技术难点。文中的热-寿命关联模型可直接应用于PowerTitan储能系统的实时健康监测,通过精确热模型实现功率循环与温度循环下的退化预测,优化三电平拓扑的散热设计。...
五电平嵌套中点钳位变换器的开关开路故障容错运行
Open-Circuit Switch Fault-Tolerant Operation of Five-Level Nested Neutral Point Clamped Converter
Mahyar Hassanifar · Milad Shamouei-Milan · Kourosh Khalaj Monfared · Yousef Neyshabouri 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年1月
五电平嵌套中点钳位(5L-NNPC)变换器在可再生能源转换、并网系统及电机驱动中具有广泛应用前景。然而,任一开关发生开路故障(OCF)将导致逆变器停机。为此,本文提出一种包含故障检测、诊断与容错运行的综合容错策略。采用基于模型的双层方法实现故障开关的准确识别,并结合模型预测控制(MPC)与开关状态重构,实现故障后部分功率输出。针对故障后开关状态减少及相电压不平衡问题,自动调节多目标代价函数的权重因子,有效平衡飞跨电容电压。仿真与实验结果验证了所提方法在故障检测准确性及容错运行能力方面的有效性。
解读: 该五电平NNPC变换器容错技术对阳光电源多条产品线具有重要应用价值。在ST系列储能变流器中,所提出的基于MPC的故障诊断与容错策略可显著提升系统可靠性,实现IGBT开路故障后的降额运行,避免整机停机造成的经济损失。对于SG系列大功率光伏逆变器,五电平拓扑的容错能力可保障电站持续并网发电。在电动汽车驱...
基于多通道的二维递归融合图和LMCR模型的NPC型三电平逆变器故障诊断
A Fault Diagnosis Method for NPC Three-Level Inverters Based on Multi-Channel 2D Recurrence Fusion Maps and LMCR Model
毕贵红王小玲陈冬静赵四洪陈世语陈仕龙 · 高电压技术 · 2025年3月 · Vol.51
针对中点钳位型三电平逆变器在恶劣并网环境下IGBT易发生单管与双管故障、故障特征差异微弱导致识别精度低的问题,提出一种结合多通道二维递归融合图与轻量化多尺度残差网络(LMCR)的故障诊断方法。通过仿真获取三相电流信号,构造递归图并进行多通道融合以提取时序特征;将融合图输入LMCR模型,利用多级Inception结构与残差连接实现多尺度特征提取与梯度稳定。实验结果表明,该方法在无噪声下平均识别准确率达100%,含噪环境下仍达92.53%,具有优异的特征提取能力与抗噪性能。
解读: 该故障诊断方法对阳光电源的三电平拓扑产品线具有重要应用价值。特别适用于SG350/360HX等大功率光伏逆变器和ST储能变流器系列,可提升IGBT故障诊断的准确性和实时性。通过多通道递归融合图提取特征的创新方法,能有效解决阳光产品在复杂并网环境下的故障识别难题。该技术可集成到iSolarCloud平...
基于二极管断路开关的重频高压纳秒脉冲发生器
High-frequency high-voltage nanosecond pulse generator based on diode opening switch
袁琪 · 孙国祥 · 丁卫东 · 薛浩睿 等5人 · 高电压技术 · 2025年2月 · Vol.51
相较于电容储能型电路,电感储能型电路在高电压、快前沿、短脉宽、高重频输出及装置紧凑化方面具有显著优势,是低温等离子体驱动的有力候选方案。然而,受限于高频高功率断路开关与泵浦电路的设计难题,其实际应用报道较少。本文采用自研二极管断路开关(DOS),结合IGBT软开关技术与双脉冲变压器,构建正反向泵浦电路,研制出输出电压36 kV、上升沿6 ns、脉宽8.2 ns、重复频率3 kHz(75 Ω负载)的高压纳秒脉冲源,并成功驱动大气下板-板电极等离子体放电,为电感储能型脉冲源的设计提供了可行路径。
解读: 该电感储能型纳秒脉冲技术对阳光电源功率电子产品具有重要参考价值。文中IGBT软开关技术与双脉冲变压器的正反向泵浦设计,可借鉴至ST储能变流器的快速断路保护与能量双向流动控制,提升系统响应速度和安全性。二极管断路开关(DOS)的高频高功率特性,为SG光伏逆变器在直流侧故障隔离、SiC/GaN器件驱动电...
交错多相三电平直流-直流变换器的电流纹波预测与基于ZVS的变开关频率控制
Current Ripple Prediction and ZVS-Based Variable Switching Frequency Control for Interleaved Multiphase Three-Level DC–DC Converter
Zhigang Yao · Xinyu He · Ziheng Xiao · Fei Deng 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
对于高功率应用而言,交错式三电平直流 - 直流转换器是满足高电压和大电流需求的首选拓扑。然而,由于多个开关的耦合效应,电感电流并非标准的三角波形,这使得在近临界导通模式(near - CRM)下的分析和控制变得复杂。本文提出了一种电感电流纹波预测方法,并为交错式 <italic xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink">n</i> 相三电平直流 - 直流转换器...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项交错并联多相三电平DC-DC变换器技术具有显著的战略价值。该技术针对高功率应用场景,与我司光伏逆变器、储能变流器等核心产品的技术路线高度契合。 **技术价值分析**:论文提出的电感电流纹波统一预测方法解决了传统多相交错控制中分段占空比分析的复杂性问题,这对我司大功率1...
基于SiC导通比例与开关频率协同调控的Si/SiC混合器件综合热管理方法
A Comprehensive Thermal Management Method for Si/SiC Hybrid Devices Based on Coordinated Regulation of SiC Conduction Ratio and Switching Frequency
韩硕涂春鸣龙柳肖凡肖标郭祺 · 中国电机工程学报 · 2025年13月 · Vol.45
Si/SiC混合器件结合了Si IGBT载流能力强、成本低与SiC MOSFET高频、低开关损耗的优点,但在非平稳工况下存在结温波动不均及SiC MOSFET老化过快问题。现有热管理策略难以有效调节其内部温差。本文提出一种基于SiC导通比例DSiC与开关频率f协同调控的综合热管理方法,通过构建f-DSiC参数域并规划最短调节路径,实现双器件结温波动同步平滑。实验结果表明,相较变频控制,该方法使最大结温波动降低24.31%,显著提升器件寿命与热稳定性。
解读: 该Si/SiC混合器件热管理技术对阳光电源的储能变流器和大功率光伏逆变器产品线具有重要应用价值。通过SiC导通比例与开关频率的协同调控,可显著优化ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中的功率模块温控性能。这一方法能有效降低器件结温波动,提升PowerTitan等大型储能系统的可靠性和使用寿命。对于...
基于驱动电压主动切换的Si/SiC混合器件结温波动平滑控制
Smooth Control of Junction Temperature Fluctuation in Si/SiC Hybrid Devices Based on Active Switching of Gate Voltage
白丹涂春鸣龙柳肖凡肖标 · 电工技术学报 · 2025年1月 · Vol.40
Si/SiC混合器件兼具低成本与低损耗优势,是实现大容量、高可靠性电力电子装备的关键。然而,负载电流变化导致SiC MOSFET结温剧烈波动,限制了器件整体寿命提升。本文分析驱动电压对开关过程及损耗的影响,提出一种基于驱动电压主动切换的结温波动平滑控制策略。该策略在轻载时采用高损耗驱动模式以补偿温升,在重载时采用低损耗模式以抑制温升,显著平滑SiC MOSFET结温波动,减小其与Si IGBT的温差波动幅值。实验结果表明,所提方法可使SiC MOSFET结温波动降低30%以上,与Si IGBT的...
解读: 该研究对阳光电源的SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率器件应用具有重要价值。Si/SiC混合器件方案可有效平衡成本与效率,特别适合大功率产品如SG350HX和PowerTitan。通过驱动电压主动切换技术,可显著改善SiC MOSFET的温度稳定性,这对提升产品可靠性和使用寿命具有积极意义。...
采用可选有源电流均衡的并联SiC MOSFET模块中降低过冲、振荡及dV/dt产生
Reduced Overshoots, Oscillations, and $dV/dt$ Generation in Parallel Connected SiC MOSFET Modules With Optional Active Current Balancing
Mason Parker · Sebastián Neira · Edward L. Horsley · Stephen Finney 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
与功率转换器中的硅绝缘栅双极型晶体管(IGBT)相比,碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)具有更高的开关速度、更小的滤波元件尺寸和更低的开关损耗。然而,可用的模块电流额定值、加剧的振荡开关行为、较大的漏源电压过冲以及较高的输出电压 $dV/dt$ 水平,都是其在中高功率应用中推广的限制因素。此前已证明,采用具有开关沿偏斜特性的器件间电感是一种在模块并联时限制电流不平衡的方法。本文表明,通过精确控制此类配置中各模块之间施加的时序偏斜,可以显著降低过冲、振荡以及输...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于并联SiC MOSFET模块的优化控制技术具有重要的应用价值。当前我们在大功率光伏逆变器和储能变流器产品中正面临功率等级提升与开关性能优化的双重挑战,该技术提供了一个切实可行的解决方案。 该研究通过精确控制并联模块间的时序偏移和器件间电感,在实现1600A大电流应...
通过加热抑制硅凝胶封装功率模块隔离沟道中的枝晶腐蚀
Impeding Dendritic Corrosion in Silicone Gel Potted Power Module Isolation Trenches by Heating
Juuso Rautio · Tommi J. Kärkkäinen · Markku Niemelä · Pertti Silventoinen 等7人 · IET Power Electronics · 2025年7月 · Vol.18
高湿度及腐蚀性气体环境可导致功率半导体模块隔离沟道内产生枝晶腐蚀,随时间推移,枝晶可能引发隔离区短路,造成器件失效。本文研究表明,适度加热可有效抑制商用硅凝胶封装功率模块中枝晶的生长,从而提升模块在恶劣环境下的长期可靠性。该方法无需改变现有封装结构,具有良好的工程应用前景。
解读: 该枝晶腐蚀抑制技术对阳光电源功率模块可靠性提升具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中,IGBT/SiC功率模块长期工作于高湿、盐雾等恶劣环境,隔离沟道枝晶腐蚀是导致模块失效的关键因素。研究提出的加热抑制方法可直接应用于现有封装结构:利用模块自身损耗或增设微功耗加热单元,将沟道温度维...
性能均衡的4H-SiC JBSFET:集成JBS二极管与VDMOSFET特性以实现可靠的1700V应用
Well-balanced 4H-SiC JBSFET: Integrating JBS diode and VDMOSFET characteristics for reliable 1700V applications
Chia-Lung Hung · Yi-Kai Hsiao · Jing-Neng Yao · Hao-Chung Kuo · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.226
摘要 由于具有更高的击穿电场和热导率,碳化硅(SiC)功率器件适用于高电压和高温应用。近年来,许多SiC肖特基势垒二极管(SBD)和垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET)已实现商业化生产。与硅基绝缘栅双极型晶体管(Si-IGBT)相比,SiC VDMOSFET固有的体二极管也可用作电感开关电源电路中的续流二极管,从而无需额外封装的二极管,这有助于降低成本并减小整体封装尺寸。然而,当作为续流二极管使用时,SiC VDMOSFET体二极管的双极载流子导通特性和少数载流子注入机制会...
解读: 该JBSFET技术对阳光电源具有重要应用价值。通过将JBS二极管与VDMOSFET单片集成,实现了5.2mΩ-cm²低导通电阻和快速反向恢复特性,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的三电平拓扑中,省去外置续流二极管,降低封装成本和体积。其1700V耐压等级和优异温度特性,特别适合电动...
大功率双面冷却模块中大面积SiC MOSFET的电热分析
Electrothermal Analysis of a Double-Side Cooling Power Module With Large-Area SiC MOSFETs
Yi Jiang · Cancan Li · Liming Che · Yizhuo Dong 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2024年11月
与传统的硅绝缘栅双极型晶体管(IGBT)相比,碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的芯片面积通常较小。大面积(10×10 毫米)碳化硅 MOSFET 的性能有待研究。本文对大面积碳化硅 MOSFET 与常规尺寸(5×5 毫米)碳化硅 MOSFET 并联时的电热特性进行了分析。结果表明,与常规尺寸芯片相比,大面积芯片优化了封装参数,减轻了电流不平衡问题,并且在双面冷却(DSC)模块中具有更好的热性能。制作了采用大面积芯片的 SOT - 227 模块,并对该模块的...
解读: 从阳光电源的业务角度分析,这项关于大面积SiC MOSFET双面冷却功率模块的研究具有重要的战略价值。SiC功率器件是我们光伏逆变器和储能变流器的核心部件,直接影响系统的功率密度、效率和可靠性。 该研究提出的10×10mm大面积SiC MOSFET相比传统5×5mm芯片并联方案,在多个维度展现出显...
一种用于具有随机材料和几何参数的球栅阵列电子封装的克里金代理模型
A Kriging Surrogate Model for Ball Grid Array Electronic Packaging With Stochastic Material and Geometrical Parameters
Liu Chu · Jiajia Shi · Eduardo Souza de Cursi · Journal of Electronic Packaging · 2025年1月 · Vol.147
球栅阵列(BGA)因其体积小、集成度高,在汽车工业中具有显著优势,是一种前景广阔的电子封装技术。然而,汽车运行环境较其他应用更为复杂,主要表现为发动机引起的振动和路面不平导致的振荡。电子封装结构的共振频率对系统可靠性和安全性至关重要。本文针对材料参数与几何尺寸存在随机性的BGA封装结构,提出一种基于克里金法的代理模型,有效提升了不确定性条件下结构动态响应分析的效率与精度。
解读: 该克里金代理模型技术对阳光电源功率电子产品的可靠性设计具有重要价值。在ST系列储能变流器和车载OBC充电机中,IGBT/SiC功率模块的BGA封装面临温度循环和机械振动双重应力,其焊点疲劳失效是关键可靠性瓶颈。该方法可高效评估材料参数(焊料弹性模量、CTE)和几何参数(焊球直径、间距)随机性对共振频...
功率模块杂散电感提取方法:全面综述与分析
Stray Inductance Extraction Methods for Power Modules: A Comprehensive Review and Analysis
Mingyu Yang · Yikang Xiao · Shiqi Ji · Wenhao Xie 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
换流电路的杂散电感对功率半导体器件的开关过程有显著影响。本文对半桥功率模块中的杂散电感提取进行了全面研究。在回顾了包括电磁仿真、开关瞬态提取和静态测量等现有方法后,我们提出了一个新的视角,即根据二极管和有源开关的不同位置确定了六条不同的换流路径。我们的研究结果表明,这些路径的杂散电感存在 9% - 17% 的差异,这凸显了针对特定路径进行分析以实现精确提取的重要性。我们进一步对基于矢量网络分析仪的测量方法补充了直接阻抗测量方法,并分析了夹具补偿的局限性。这些观点为电力电子应用中的高精度杂散电感表...
解读: 从阳光电源的核心业务视角来看,这项关于功率模块杂散电感精确提取的研究具有重要的工程应用价值。在光伏逆变器和储能变流器中,IGBT/SiC功率模块的开关特性直接影响系统效率、电磁兼容性和可靠性。该论文揭示的换流路径差异导致9%-17%的杂散电感偏差,这一发现对我们优化高功率密度逆变器设计至关重要。 ...
变换器PWM开关
CPS):一种新的PWM开关概念
作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
脉宽调制(PWM)是现代电力电子技术中的一个基础概念,通常通过对功率半导体器件(如金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)或绝缘栅双极型晶体管(IGBT))进行高频开关操作并控制占空比来实现。本文介绍了一种全新的PWM开关概念:变换器PWM开关(CPS)。与传统的PWM开关不同,CPS利用变换器的一个端口来实现PWM开关的功能,而其额外的端口则用于提供或吸收功率,从而催生了一类新的变换器拓扑结构,即基于CPS的变换器。本文详细讨论了所提出的CPS的定义和推导过程。为了展示这一概念...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,转换器PWM开关(CPS)概念代表了功率变换技术的重要创新方向。该技术突破了传统PWM开关仅依赖单一功率器件高频开关的局限,通过将变换器的一个端口作为PWM开关使用,而其他端口用于功率传输,为新型拓扑结构的开发提供了理论基础。 对于阳光电源的核心业务,CPS技术具有显著的...
一种面向功率半导体器件的在线换流器级老化故障模式分离方法
An Online Converter-Level Wear-Out Failure Mode Separation Method for Power Semiconductor Devices
Yingzhou Peng · Kaichun Wang · Xing Wei · Zhikang Shuai 等5人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年10月
引线键合功率半导体器件有两种主要的与封装相关的老化模式:键合线脱落和焊点退化。在运行的功率变换器中区分这两种老化模式非常重要,这样可以定位退化点,并分别监测老化过程。因此,这有助于实现功率半导体器件封装的优化设计以及开发更精确的寿命模型。本文重点研究功率器件运行时主要老化模式的分离问题。通过变换器级导通电压测量电路,获取功率器件输出电流 - 电压(I - V)特性曲线上的两个点,从而实现功率变换器中所有功率器件老化模式的分离。与传统方法相比,该方法是一种在线解决方案,从变换器层面来看适用于不同类...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项功率半导体器件在线失效模式分离技术具有重要的战略价值。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,IGBT、MOSFET等功率器件是决定系统可靠性和寿命的关键部件。该技术能够在设备运行状态下区分键合线脱落和焊层退化两种主要失效模式,这为我们实现预测性维护和精准故障定位提供了新...
用于射频功率放大器芯片散热增强的快速散热器拓扑优化
Fast Heatsink Topology Optimization for RF Power Amplifier Chip Heat Dissipation Enhancement
Huazhi Xiang · Jialong Fu · Yaocheng Shang · Daniele Inserra 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年3月
本文提出了一种基于热阻网络模型的射频功率放大器电路散热器快速拓扑优化算法方法。该方法能够在将温度控制在允许范围内的同时,实现散热器的轻量化设计。在散热器的设计区域采用了固体各向同性材料惩罚(SIMP)方法,同时通过热阻网络模型来表征射频功率放大器电路对散热的影响。该方法的主要优势在于避免了使用传统的有限元法(FEM)对整个芯片/散热结构进行热仿真,传统方法需要很长的仿真时间和大量的计算工作。相反,热阻网络计算方法提供了一种非常快速且足够准确的温度分布分析工具,在优化程序中使用时可加快散热器结构设...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对射频功率放大器芯片的快速散热器拓扑优化技术具有显著的跨领域应用价值。尽管研究对象是射频功率放大器,但其核心方法论——基于热阻网络模型的拓扑优化算法——与我司光伏逆变器和储能变流器中的功率半导体散热设计需求高度契合。 该技术的核心价值在于突破了传统有限元仿真的计算瓶...
通过引入介质材料抑制微波器件中的多极效应
Suppressing the Multipactor in Microwave Devices by Introducing the Dielectric Material
Yonggui Zhai · Rui Wang · Hongguang Wang · Meng Cao 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
本研究提出了一种通过集成介电材料来抑制航天器用高功率微波器件中二次电子倍增效应的方法。利用CST微波工作室对电磁场进行数值分析,同时通过自主开发的三维粒子模拟(PIC)代码准确预测二次电子倍增阈值。系统研究了介电材料的几何参数和材料特性对二次电子倍增的影响。仿真结果表明,当介电材料的宽度与平行板或矩形波导的宽度相匹配时,增加介电材料的厚度和相对介电常数会增强射频(RF)电场的幅度,同时二次电子倍增阈值降低。相反,当介电材料的宽度小于波导宽度时,射频电场幅度降低,导致二次电子倍增阈值升高。值得注意...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文虽聚焦于航天领域微波器件的多载子倍增效应抑制,但其核心技术原理对我司高功率电力电子设备具有重要借鉴价值。多载子倍增现象本质上是高频高压环境下的电子雪崩效应,这与光伏逆变器、储能变流器等产品在大功率开关过程中面临的局部放电和绝缘击穿挑战存在物理机制上的相似性。 该研究...
第 3 / 4 页