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兆瓦级应用中降低滤波需求的变换器拓扑：由1000Hz运行的IGBT桥与并联部分额定高频SiC MOSFET桥构成
Converter Topology for Megawatt Scale Applications With Reduced Filtering Requirements, Formed of IGBT Bridge Operating in the 000 Hz Region With Parallel Part-Rated High-Frequency SiC MOSFET Bridge
| 作者 | Ning Li · Marlee Basurto Macavilca · Chenqi Wu · Stephen Finney · Paul D. Judge |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年1月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | IGBT SiC器件 功率模块 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 并联混合变换器 IGBT SiC MOSFET 兆瓦级 滤波需求 电力电子 效率 |
语言:
中文摘要
本文研究了一种并联混合变换器（PHC），由共直流母线的硅基IGBT桥和部分额定碳化硅（SiC）MOSFET桥并联组成。IGBT桥处理大部分功率并以低频开关以保证效率，而SiC MOSFET桥负责补偿谐波，从而在降低滤波需求的同时提升系统整体性能。
English Abstract
This article investigates the design and control of the parallel-hybrid converter (PHC), which consists of parallel connection of a silicon insulated gate bipolar transistor (IGBT) bridge and a partially rated silicon carbide (SiC) mosfets bridge with a shared dc bus. The IGBT bridge processes the bulk of the power, while switching at a low frequency to maximize efficiency, while the SiC mosfets b...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的兆瓦级储能系统（如PowerTitan系列）及大功率集中式光伏逆变器具有重要参考价值。通过IGBT与SiC的混合并联，可在不显著增加成本的前提下，利用SiC的高频特性优化输出电流质量，从而减小磁性元件体积，提升功率密度。建议研发团队评估该拓扑在大型储能PCS中的应用潜力，以应对未来更高功率密度和更严苛电网接入标准的需求，同时通过SiC的引入进一步降低系统损耗，提升整机效率。