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拓扑与电路 SiC器件 IGBT 多电平 功率模块 ★ 4.0

一种采用专用调制策略的SiC MOSFET与Si IGBT混合模块化多电平变换器

A SiC MOSFET and Si IGBT Hybrid Modular Multilevel Converter With Specialized Modulation Scheme

作者 Tianxiang Yin · Chen Xu · Lei Lin · Kaiyuan Jing
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2020年12月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 SiC器件 IGBT 多电平 功率模块
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 SiC MOSFET Si IGBT 混合型 MMC 模块化多电平变换器 电力电子 调制策略 导通损耗
语言:

中文摘要

本文提出了一种SiC MOSFET与Si IGBT混合的模块化多电平变换器(MMC)拓扑。该方案旨在解决全SiC方案在高功率等级下成本过高及导通损耗较大的问题,通过结合SiC的高频特性与Si IGBT的低成本优势,优化了变换器的整体性能与经济性。

English Abstract

The utilization of silicon carbide (SiC) MOSFET instead of silicon (Si) IGBT can significantly improve the performance of many converters. However, a modular multilevel converter (MMC) completely based on the SiC MOSFET suffers from high cost and high conduction loss at the high power levels. To solve these issues, a SiC MOSFET and an Si IGBT hybrid MMC are proposed in this letter. In the new topo...
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SunView 深度解读

该混合拓扑对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。在高功率密度应用场景下,全SiC方案成本压力巨大,而混合拓扑通过在子模块中引入SiC器件,可在保持高效率的同时降低系统总成本。建议研发团队关注该调制策略在大型储能变流器(PCS)中的应用,以提升系统在复杂电网环境下的效率表现,并优化散热设计,从而进一步提升阳光电源在大功率变换领域的竞争优势。