找到 4 条结果
揭示有机光伏中的结构-性能关系：可解释的机器学习模型预测功率转换效率
Uncovering Structure–Performance Relationships in Organic Photovoltaics: Interpretable Machine Learning Model for Predicting the Power Conversion Efficiency
Yi Yang · Arowa Yasmeen · Ovidiu Daescu · IEEE Journal of Photovoltaics · 2025年8月
有机光伏（OPV）是一种颇具前景的光伏技术，但传统上候选分子的设计采用试错法，效率低下。然而，机器学习通过从大量的有机光伏材料数据集中学习，提供了一种基于数据的策略，有助于加速高性能有机光伏材料的发现和优化。在本研究中，我们使用极端梯度提升（XGBoost）模型，利用从哈佛光伏数据集（HOPV15）中提取的结构特征，来预测通过密度泛函理论计算得到的有机光伏供体材料的功率转换效率（PCE）。为了提高预测性能，我们基于随机森林和XGBoost的平均特征重要性得分，选择了最具信息价值的分子指纹。我们的...
解读: 该可解释机器学习模型对阳光电源光伏产品线具有重要参考价值。虽然研究聚焦有机光伏材料设计，但其核心方法论——通过机器学习建立结构-性能映射关系——可迁移至SG系列逆变器的功率器件选型优化。具体而言，可借鉴该模型框架建立GaN/SiC器件的结构参数（掺杂浓度、栅极结构等）与性能指标（导通损耗、开关速度）...
单片双向开关的物理结构、特性及应用：全面综述
Physical Structure, Characteristics, and Applications of Monolithic Bidirectional Switches: A Comprehensive Review
Guangyu Wang · Huiqing Wen · Wen Liu · Fan Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
双向开关（BiSs）具有优异的特性，在导通期间允许双向电流流动，关断时能够承受双向电压。然而，传统的双向开关通常由单向分立器件组合实现，例如两个有源器件和两个二极管的串联与反并联连接。由于导通状态下的电压偏移，这些传统双向开关的器件尺寸相对较大，且存在较大的导通损耗。随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带（WBG）半导体材料的普及，迫切需要设计出导通压降更低、导通损耗更小、器件尺寸更小，从而功率密度更高的双向开关。因此，通过将多个功率晶体管集成到单个芯片中，基于宽禁带半导体材料的单片式双...
解读: 单片式双向开关（MBS）技术对阳光电源在光伏逆变器、储能系统等核心产品领域具有重要战略价值。该技术基于SiC和GaN等宽禁带半导体材料，通过将多个功率晶体管集成于单一芯片，能够显著降低导通压降和传导损耗，这直接契合我司提升系统效率和功率密度的技术路线。 从业务应用角度看，MBS技术在我司三大核心领...
低损耗MOS可控存储载流子二极管
Low-Loss MOS-Controllable Stored-Carrier Diode
Hiroshi Suzuki · Tomoyuki Miyoshi · Takashi Hirao · Yusuke Takada 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月
我们先前提出了一种金属氧化物半导体可控存储载流子二极管（MOSD），以突破传统 p - n 二极管在导通损耗和开关损耗之间的折衷问题。这种 MOSD 的结构是在阳极区域添加一个 n 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），用于动态控制存储载流子密度。本研究的仿真结果表明，由于深 p⁻ 层完全覆盖 MOS 栅极，与 MOSFET 中的栅控体二极管相比，我们的 MOSD 的开关损耗能够充分降低。窄单元宽度和电子阻挡层（EBL）分别是我们 MOSD 的特性，它们也分别增强了开关损耗和正向电压...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项MOS可控储载二极管（MOSD）技术对我们在光伏逆变器和储能变流器领域具有重要的战略价值。该技术通过在阳极区集成n沟道MOSFET来动态控制载流子密度，成功突破了传统p-n二极管导通损耗与开关损耗之间的固有矛盾，这正是我们高功率密度产品设计中长期面临的核心瓶颈。 从技...
基于贝叶斯优化的具有目标击穿电压的硅雪崩光电二极管设计与优化
Design and Optimization of Silicon Avalanche Photodiodes With Desired Breakdown Voltage Using Bayesian Optimization
Sara Ghazvini · Gerd Schuppener · Wenjuan Fan · Srinath Ramaswamy 等5人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月
在本研究中，我们引入了一种创新的优化方法，用于雪崩光电二极管（APD）的设计与优化，该方法结合了解析计算、贝叶斯优化（BO）和技术计算机辅助设计（TCAD）模拟。待优化的参数包括 p 区和 i 区的厚度及掺杂浓度。我们的方法旨在使 APD 满足特定的击穿电压（BV）要求，同时实现卓越的性能特征，如增益、响应度和带宽。通过贝叶斯优化，我们能够高效地探索设计空间，以确定最优配置。与以往的研究相比，优化后的 APD 性能得到了提升，在具备所需击穿电压的同时，拥有更高的响应度、增益和截止频率。优化过程成...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，该论文提出的雪崩光电二极管（APD）优化设计方法具有一定的技术参考价值，但与核心业务的直接关联度有限。 **技术关联性分析** 雪崩光电二极管主要应用于光通信和光探测领域，而阳光电源的主营业务集中在功率电子和能源转换系统。尽管如此，该研究中采用的**贝叶斯优化方法**和...