← 返回
10-kV 10-A SiC MOSFET的短路退化研究
Short-Circuit Degradation of 10-kV 10-A SiC MOSFET
| 作者 | Emanuel-Petre Eni · Szymon Bęczkowski · Stig Munk-Nielsen · Tamas Kerekes · Remus Teodorescu · Raghavendra Rao Juluri · Brian Julsgaard · Edward VanBrunt · Brett Hull · Shadi Sabri · David Grider · Christian Uhrenfeldt |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 短路 老化 功率器件 瞬态行为 可靠性 高压 |
语言:
中文摘要
本文研究了10-kV 10-A 4H-SiC MOSFET在6-kV直流母线电压下的短路退化行为。旨在分析器件在寿命周期内承受多次短路脉冲时的瞬态特性变化，为电力电子变换器的设计及故障保护策略提供理论依据。
English Abstract
The short-circuit behavior of power devices is highly relevant for converter design and fault protection. In this paper, the degradation during short circuit of a 10-kV 10-A 4H-SiC MOSFET is investigated at 6 kV dc-link voltage. The study aims to present the behavior of the device during short-circuit transients as it sustains increasing short-circuit pulses during its lifetime. As the short-circu...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源在高压光伏及储能系统（如PowerTitan系列）中对高压SiC器件的应用探索，理解超高压SiC MOSFET的短路失效机理至关重要。该研究揭示了器件在极端工况下的退化规律，对于优化逆变器及PCS的驱动保护电路、提升系统可靠性具有直接指导意义。建议研发团队参考该退化模型，在iSolarCloud智能运维平台中引入基于器件状态监测的故障预警算法，以应对高压宽禁带器件在长期运行中的可靠性挑战。