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宽禁带二极管超快反向恢复时间测量
Ultrafast Reverse Recovery Time Measurement for Wide-Bandgap Diodes
| 作者 | Daniel L. Mauch · Fred J. Zutavern · Jarod J. Delhotal · Michael P. King · Jason C. Neely · Isik C. Kizilyalli · Robert J. Kaplar |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 SiC器件 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带二极管 反向恢复时间 光导半导体开关 电缆脉冲发生器 电力电子 亚纳秒测量 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种测量宽禁带二极管亚纳秒级反向恢复时间的系统。该系统利用基于硅光导半导体开关（PCSS）和超短脉冲激光触发的电缆脉冲发生器，能够在0-1A正向偏置和0-10kV反向电压范围内，精确表征宽禁带材料二极管的反向恢复特性。
English Abstract
A system is presented that is capable of measuring subnanosecond reverse recovery times of diodes in wide-bandgap materials over a wide range of forward biases (0 – 1 A) and reverse voltages (0 – 10 kV). The system utilizes the step recovery technique and comprises a cable pulser based on a silicon (Si) Photoconductive Semiconductor Switch (PCSS) triggered with an Ultrashort Pulse Laser, a pulse c...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan储能系统中大规模应用SiC等宽禁带半导体器件，高频开关下的损耗与可靠性评估至关重要。该测量技术能精确表征器件在极端工况下的反向恢复特性，有助于优化逆变器及PCS的驱动电路设计，降低开关损耗，提升系统能效。建议研发团队关注该测试方法，以提升功率模块选型及驱动匹配的精准度，进一步增强产品在高频化趋势下的竞争力。