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宽禁带二极管超快反向恢复时间测量
Ultrafast Reverse Recovery Time Measurement for Wide-Bandgap Diodes
Daniel L. Mauch · Fred J. Zutavern · Jarod J. Delhotal · Michael P. King 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年12月
本文提出了一种测量宽禁带二极管亚纳秒级反向恢复时间的系统。该系统利用基于硅光导半导体开关（PCSS）和超短脉冲激光触发的电缆脉冲发生器，能够在0-1A正向偏置和0-10kV反向电压范围内，精确表征宽禁带材料二极管的反向恢复特性。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan储能系统中大规模应用SiC等宽禁带半导体器件，高频开关下的损耗与可靠性评估至关重要。该测量技术能精确表征器件在极端工况下的反向恢复特性，有助于优化逆变器及PCS的驱动电路设计，降低开关损耗，提升系统能效。建议研发团队关注该测试方法，以提升功率模块选型及...
各种4H-SiC MOSFET和JBS二极管C-V曲线中突降现象的调整
Adjustment of Abrupt Drops in the C-V Curves of Various 4H-SiC MOSFETs and JBS Diodes
Ruei-Ci Wu · Kung-Yen Lee · Pei-Chun Liao · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月
本研究表明，通过设计 P 型区域、N 型结型场效应晶体管（JFET）区域和 N 型漂移区域的浓度和结构，可以调节平面金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）和无 P 柱的结势垒肖特基（JBS）二极管的电容 - 电压（C - V）曲线中突变下降对应的电压。当上部 N 型区域的浓度远高于下部 N 型区域，且宽度比下方 N 型区域的宽度窄时，MOSFET 和 JBS 的 C - V 曲线均会出现突变下降。从测量结果来看，在本研究中，当上部 N 型区域的浓度是下部 N 型区域浓度的 5 ...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于4H-SiC MOSFET和JBS二极管C-V特性优化的研究具有重要的战略价值。碳化硅功率器件是光伏逆变器和储能变流器的核心组件，直接影响系统效率、功率密度和可靠性。 该研究通过精确设计P型区、N型JFET区和N型漂移区的掺杂浓度与结构，实现了对C-V曲线突降电压...