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宽禁带器件动态特性表征方法
Methodology for Wide Band-Gap Device Dynamic Characterization
| 作者 | Zheyu Zhang · Ben Guo · Fei Fred Wang · Edward A. Jones · Leon M. Tolbert · Benjamin J. Blalock |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 SiC器件 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带半导体 双脉冲测试 动态特性表征 开关损耗 串扰 功率器件 V-I对齐 |
语言:
中文摘要
双脉冲测试(DPT)是评估功率器件动态特性的主流方法。针对宽禁带(WBG)器件的高开关速度特性,测试结果对电压与电流的对齐精度高度敏感。此外,由Cdv/dt引起的直通电流(串扰)会显著影响非工作管的开关损耗,本文旨在优化相关测试方法。
English Abstract
The double pulse test (DPT) is a widely accepted method to evaluate the dynamic behavior of power devices. Considering the high switching-speed capability of wide band-gap devices, the test results are very sensitive to the alignment of voltage and current (V–I) measurements. Also, because of the shoot-through current induced by Cdv/dt (i.e., cross-talk), the switching losses of the nonoperating s...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC MOSFET,器件的高频开关特性对系统效率和电磁兼容性至关重要。本文提出的高精度动态表征方法,能有效解决宽禁带器件在快速开关过程中的测量误差及串扰问题,有助于提升研发团队对功率模块损耗评估的准确性。建议将该方法集成至公司功率器件实验室的测试标准中,以优化SiC驱动电路设计,进一步提升逆变器及PCS产品的功率密度与转换效率。