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SiC功率MOSFET温度敏感电参数研究
An Investigation of Temperature-Sensitive Electrical Parameters for SiC Power MOSFETs
| 作者 | Jose Ortiz Gonzalez · Olayiwola Alatise · Ji Hu · Li Ran · Philip A. Mawby |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 温度敏感电参数 结温 开关速率 栅极电流平台 电力电子 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文研究了SiC MOSFET的动态温度敏感电参数（TSEP）。研究表明，在特定工况下，开通期间的漏极电流变化率（dID/dt）与栅极电流平台（IGP）的耦合可作为有效的TSEP。由于负温度系数效应，这两个参数均随结温升高而增加。
English Abstract
This paper examines dynamic temperature-sensitive electrical parameters (TSEPs) for SiC MOSFETs. It is shown that the switching rate of the output current (dID S/dt) coupled with the gate current plateau (IG P) during turn-ON could be an effective TSEP under specific operating conditions. Both parameters increase with the junction temperature of the device as a result of the negative temperature c...
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SunView 深度解读
SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器和储能PCS功率密度的核心技术。该研究提出的基于dID/dt和IGP的结温监测方法，可直接应用于阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统。通过在iSolarCloud平台集成此类在线结温监测算法，可实现对功率模块的实时健康状态（SOH）评估与故障预警，从而提升系统在极端工况下的可靠性，并优化散热设计，降低系统运维成本。