15-kV SiC SGTO晶闸管在重复性极端脉冲过流条件下的失效模式

Failure Modes of 15-kV SiC SGTO Thyristors During Repetitive Extreme Pulsed Overcurrent Conditions

作者	James A. Schrock · Emily A. Hirsch · Shelby Lacouture · Mitchell D. Kelley · Argenis V. Bilbao · William B. Ray · Stephen B. Bayne · Michael Giesselmann · Heather O'Brien · Aderinto Ogunniyi
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2016年1月
技术分类	功率器件技术
技术标签	SiC器件宽禁带半导体可靠性分析功率模块
相关度评分	★★★★ 4.0 / 5.0
关键词	SiC SGTO晶闸管 15-kV 功率密度重复过电流失效模式中压电力电子

语言:

中文摘要

SiC SGTO晶闸管是提升中压电力电子设备功率密度的先进方案。为使其在工业应用中替代传统Si晶闸管，必须深入研究其特性及失效机理。本文针对两款15-kV SiC SGTO晶闸管在重复性过流条件下的失效模式进行了实验评估与分析。

English Abstract

SiC SGTO thyristors are an advanced solution for increasing the power density of medium voltage power electronics. However, for these devices to replace Si thyristor technology in industrial applications their characteristics and failure modes must be understood. This letter presents the failure modes of two 15-kV SiC SGTO thyristors during repetitive overcurrent conditions. The devices were evalu...

SunView 深度解读

随着阳光电源在大型地面光伏电站及中压储能系统（如PowerTitan系列）中对功率密度和效率要求的不断提升，SiC器件的应用已成为技术演进的关键。15-kV SiC SGTO作为超高压宽禁带器件，未来有望应用于中压直挂式储能系统或高压直流输电接口。本文研究的重复性过流失效模式对阳光电源功率模块的选型、驱动保护电路设计及热管理策略具有重要参考价值。建议研发团队关注该类器件的鲁棒性测试，以优化高压变流器在极端工况下的可靠性设计。