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| 作者 | Zhiqiang Wang · Xiaojie Shi · Leon M. Tolbert · Fei Wang · Zhenxian Liang · Daniel Costinett · Benjamin J. Blalock |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块 绝缘体上硅 (SOI) 栅极驱动器 高温 功率密度 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种用于高温、高功率密度应用的高集成度碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。设计并制造了一种可在200°C环境温度下工作的基于绝缘体上硅（SOI）的栅极驱动器，并测试了其在不同温度下的驱动电流能力。
English Abstract
This paper presents a board-level integrated silicon carbide (SiC) mosfet power module for high temperature and high power density application. Specifically, a silicon-on-insulator (SOI)-based gate driver capable of operating at 200 °C ambient temperature is designed and fabricated. The sourcing and sinking current capability of the gate driver are tested under various ambient temperatures. Also, ...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的战略价值。随着光伏逆变器和储能变流器（如PowerTitan、ST系列PCS）向更高功率密度和更小体积演进，高温运行能力是提升系统集成度的关键。SOI基栅极驱动技术能够有效解决SiC器件在高温环境下的驱动可靠性问题，有助于阳光电源在极端工况下提升逆变器效率并简化散热设计。建议研发团队关注该模块的封装集成工艺，以优化下一代组串式逆变器及储能PCS的功率密度表现。