← 返回
基于FPGA的电力电子变换器SiC MOSFET瞬态行为实时仿真等效开关模型
An Equivalent Switching Model for FPGA-Based Real-Time Simulation of SiC MOSFET Transient Behaviors in Power Electronic Converters
| 作者 | Shinan Wang · Xizheng Guo · Kai Li · Yongjie Yin · Zonghui Sun · Xiaojie You |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 实时仿真 FPGA 瞬态行为 电力电子变换器 开关结电容 栅极驱动电路 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种创新的SiC MOSFET瞬态行为模型，旨在实现电力电子变换器的小步长实时仿真（RTS）。该模型将MOSFET表示为等效电导，并考虑了开关结电容及栅极驱动电路对开关瞬态行为的影响，显著提升了仿真精度与效率。
English Abstract
To enable accurate real-time simulation (RTS) of power electronic converters with small time-step, an innovative transient behavior model for SiC mosfets is proposed in this article. The model represents the mosfet as an equivalent conductance and considers the effects of the switching junction capacitance as well as the gate drive circuit, on the transient behavior of the switching device. By con...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率器件，提升功率模块的研发效率与可靠性至关重要。该模型通过FPGA实现高精度实时仿真，能够有效辅助研发团队在产品设计阶段精确评估SiC器件的开关损耗与电磁干扰（EMI）特性，缩短开发周期。建议将此仿真模型集成至研发仿真平台，优化高频化逆变器及PCS的驱动电路设计，从而进一步提升产品功率密度与转换效率，确保在复杂工况下的系统稳定性。