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高温碳化硅(SiC)功率器件的薄膜封装解决方案
Thin-Film Encapsulation Solution for High-Temperature SiC Power Devices
| 作者 | Rong Zhang · Zexin Liu · Kangyong Li · Li Fang · Yunchan Wu · Zhiqiang Wang · Kai Yang · Guoqing Xin |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带半导体 碳化硅 SiC功率器件 高温封装 聚对二甲苯HT Al2O3 薄膜封装 电力电子 |
语言:
中文摘要
宽禁带半导体如碳化硅（SiC）可在250°C以上高温运行，但现有封装技术限制在175°C以下，成为高温封装的瓶颈。本文提出一种创新的SiC功率器件高温封装方案，利用Parylene HT/Al2O3多层薄膜结构，有效提升了器件在极端高温环境下的可靠性与工作性能。
English Abstract
Wide bandgap semiconductors like silicon carbide (SiC) are capable to operate at temperature above 250 °C. However, current encapsulations cannot work at temperature above 175 °C, making high-temperature (≥250 °C) packaging of SiC devices still a challenge. This article introduces an innovative high-temperature packaging scheme for SiC power devices, utilizing a multilayered Parylene HT/Al2O3 comp...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高的战略价值。随着光伏逆变器和储能变流器（PCS）向高功率密度、小型化方向发展，SiC器件的应用已成为主流。目前PowerTitan及组串式逆变器在极端环境下的散热与封装是提升可靠性的关键。该多层薄膜封装技术能显著提升SiC模块的耐温极限，有助于阳光电源在高温、高湿等严苛工商业及地面电站场景下，进一步优化功率模块的热管理设计，提升产品寿命，并降低散热系统的体积与成本，是下一代高可靠性功率变换器的重要技术储备。