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多晶In掺杂Sb2Te3薄膜中实现高功率因子用于可穿戴应用
Realization of high power factor in polycrystalline In doped Sb2Te3 thin films for wearable application
Wenyu Yang · Yiming Zhong · Dongwei Ao · Dong Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
深圳大学物理与光电工程学院，射频异质集成国家重点实验室，广东省和教育部光电子器件与系统重点实验室，深圳先进薄膜与应用深圳市重点实验室。本文报道了在多晶In掺杂Sb2Te3薄膜中实现高功率因子的研究成果，该材料体系具有优异的热电性能，适用于柔性可穿戴热电转换器件。通过调控In掺杂浓度，优化载流子浓度与迁移率，显著提升了电导率与塞贝克系数的协同效应，从而获得高功率因子。该工作为发展高性能、低成本的柔性热电材料提供了可行路径。
解读: 该In掺杂Sb2Te3薄膜热电材料技术对阳光电源产品具有潜在应用价值。在**SiC功率器件**散热管理方面，高功率因子热电材料可用于电机驱动器和车载OBC中的主动热管理，将器件废热转换为电能，提升系统效率。在**储能系统**温控方面，可集成于PowerTitan系统的电池热管理模块，利用温差发电辅助...
基于SiC功率器件的低电压应力、快速响应高精度软开关变换器
High-Precision Soft-Switching Converter With Low Voltage Stress and Fast Response Characteristics Based on SiC Power Devices
Jian Wei · Guangjuan Qiu · Baoquan Kou · Xiaobao Yang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年5月
由于无死区时间的特性，双降压拓扑结构在高精度应用中颇具吸引力，并且通过注入偏置电流来消除过零失真。然而，随着母线电压的升高，由于偏置电流运行的限制以及开关器件寄生参数的影响，很难保证电流响应速度和精度。因此，本文提出一种结合碳化硅（SiC）功率器件的低电压应力谐振双降压软开关拓扑结构，以实现快速响应和高精度。首先，介绍了偏置电流和软开关拓扑的原理。然后，结合偏置电流解耦以及零电流开关和零电压开关的实现，对控制策略进行了分析。此外，基于考虑寄生参数的谐振电路，阐述了影响电压和电流应力的因素。最后，...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于SiC器件的高精度软开关技术具有重要的应用价值。该技术采用谐振双Buck拓扑结合碳化硅功率器件，在500V母线电压下实现100kHz开关频率，有效解决了传统拓扑在高压应用中的响应速度和精度瓶颈问题。 对于光伏逆变器业务，该技术的无死区时间特性和偏置电流注入方案能够...