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用于并联SiC MOSFET动态电流精确测量的增强型di/dt-RC传感结构
Enhanced di/dt-RC Sensing Structure for Accurate Dynamic Current Measurement in Paralleled SiC MOSFETs
| 作者 | Che-Wei Chang · Dong Dong |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 并联器件 电流检测 di/dt 动态电流分配 电力电子 电流测量 |
语言:
中文摘要
并联SiC MOSFET是提升大功率应用电流能力的经济方案，但动态电流不平衡会导致损耗分布不均及热失效风险。本文提出一种增强型di/dt-RC传感结构，旨在实现对高di/dt动态电流的精确监测，从而为并联器件的电流均衡与保护提供技术支撑。
English Abstract
Paralleling SiC mosfets offers a cost-effective way to increase current capability for high-power applications. However, unbalanced dynamic current sharing among paralleled devices can result in uneven losses and thermal distribution, potentially causing device failure. To monitor or actively balance the currents, a current sensor capable of tracking high-di/dt dynamic currents is required. Existi...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的高功率密度产品线（如PowerTitan储能系统、组串式光伏逆变器及风电变流器）具有重要意义。随着公司产品向更高功率等级和SiC技术路线演进，并联SiC MOSFET的应用日益广泛。该传感结构能有效解决并联器件间的动态电流不平衡问题，提升功率模块的可靠性与热管理水平。建议研发团队关注该传感结构的集成化设计，将其应用于下一代高频、高功率密度逆变器及PCS的驱动保护电路中，以优化系统效率并降低器件失效风险。