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功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

并联SiC MOSFET不平衡开关电流与损耗的定量分析模型

A Quantitative Analytical Model of Paralleled SiC MOSFETs for Calculating Unbalanced Switching Currents and Energy

Jianwei Lv · Cai Chen · Yiyang Yan · Baihan Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

并联SiC MOSFET间的不均匀动态电流会导致开关损耗失衡,影响电路可靠性。本文提出了一种定量评估并联SiC MOSFET开关过程中动态电流不平衡的分析模型,旨在解决现有建模方法在精度与计算复杂度方面的挑战,为电力电子电路的设计与应用提供理论支撑。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的高功率密度产品设计。在PowerTitan储能系统及大功率组串式/集中式光伏逆变器中,SiC MOSFET的并联应用是提升效率和减小体积的关键。该定量模型能够帮助研发团队在设计阶段精确评估电流不平衡带来的热应力分布,优化驱动电路布局与参数匹配,从而提升功率模块在极端工况下的...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

并联SiC MOSFET在第三象限运行下的浪涌电流分布

Surge Current Distribution in Paralleled SiC MOSFETs Under Third-Quadrant Operation

Man Zhang · Helong Li · Zhiqing Yang · Shuang Zhao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

本文研究了并联SiC MOSFET在第一和第三象限运行时的浪涌电流承受能力。针对第三象限运行模式下浪涌电流分布缺乏深入研究的问题,文章建立了一个SiC MOSFET源漏电阻模型,分析了并联器件间的电流不平衡机制,为提升功率模块的鲁棒性提供了理论依据。

解读: 该研究对阳光电源的SiC应用至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向高功率密度、高效率演进,SiC MOSFET被广泛采用。第三象限运行常出现在逆变器死区时间或双向DC-DC变换器中,浪涌电流分布不均直接影响功率模块的可靠性与寿命。建议研发团队利用该模型优化并联驱动电路设计...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

用于并联SiC MOSFET动态电流精确测量的增强型di/dt-RC传感结构

Enhanced di/dt-RC Sensing Structure for Accurate Dynamic Current Measurement in Paralleled SiC MOSFETs

Che-Wei Chang · Dong Dong · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年7月

并联SiC MOSFET是提升大功率应用电流能力的经济方案,但动态电流不平衡会导致损耗分布不均及热失效风险。本文提出一种增强型di/dt-RC传感结构,旨在实现对高di/dt动态电流的精确监测,从而为并联器件的电流均衡与保护提供技术支撑。

解读: 该技术对阳光电源的高功率密度产品线(如PowerTitan储能系统、组串式光伏逆变器及风电变流器)具有重要意义。随着公司产品向更高功率等级和SiC技术路线演进,并联SiC MOSFET的应用日益广泛。该传感结构能有效解决并联器件间的动态电流不平衡问题,提升功率模块的可靠性与热管理水平。建议研发团队关...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

并联GaN器件误触发振荡的机理分析与抑制

Mechanism Analysis and Oscillation Suppression of the False Triggering Oscillation for Parallel-Connected GaN Devices

Jian Chen · Ziyang Wang · Wensheng Song · Hao Yue 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

氮化镓(GaN)器件凭借高开关速度和低导通电阻优势被广泛应用,但其快速开关特性易引发误触发振荡,导致电压过冲、严重电磁干扰甚至器件损坏。本文深入分析了并联GaN器件误触发振荡的物理机理,并提出了相应的抑制策略,以提升电力电子系统的稳定性和可靠性。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用成为技术演进的重要方向。并联GaN器件的误触发振荡直接影响系统电磁兼容性(EMC)和功率模块的可靠性。该研究对于优化阳光电源高频逆变器及充电模块的驱动电路设计、改善PCB布局及寄生参数抑制具有重要指导意义。建议...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 拓扑与电路 ★ 4.0

谐振脉冲功率变换器中并联SiC MOSFET的电流均衡研究

Current Balancing of Paralleled SiC mosfets for a Resonant Pulsed Power Converter

Qunfang Wu · Mengqi Wang · Weiyang Zhou · Xiaoming Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月

针对并联SiC MOSFET在脉冲功率变换器中因器件参数失配及电路布局不对称导致的电流不平衡问题,本文提出了一种被动均衡方案。通过引入耦合电感替代传统谐振电感,有效实现了并联器件间的电流自动均衡,提升了高功率密度变换器的可靠性与性能。

解读: 该技术对阳光电源的功率变换产品具有重要参考价值。在PowerTitan等大功率储能变流器(PCS)及组串式光伏逆变器中,为了实现高功率密度,SiC器件的并联应用日益广泛。该文提出的耦合电感均衡方案,能够有效解决多模块并联时的电流不均问题,降低器件应力,提升系统可靠性。建议研发团队在后续高频、高功率密...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

栅极回路电感不匹配对并联SiC MOSFET阈值电压离散性演变及电流分配的影响

Influence of Mismatched Gate Loop Inductance on Threshold Dispersity Evolution and Current Sharing of Parallel SiC MOSFETs

Lei Tang · Huaping Jiang · Xiaohan Zhong · Yihan Huang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年5月

在大功率应用中,SiC MOSFET并联技术至关重要。然而,栅极电路的不对称性会导致栅极电感不匹配,进而引发电流不平衡。本文深入研究了阈值电压离散性的演变规律及其对并联器件电流分配的影响,为提升高功率密度电力电子系统的可靠性提供了理论支撑。

解读: 该研究直接关系到阳光电源大功率组串式逆变器(如SG系列)及大型储能系统(如PowerTitan系列)的核心功率模块设计。随着SiC器件在光储产品中的广泛应用,并联均流与长期可靠性是提升系统功率密度和效率的关键。该文献关于栅极回路电感对阈值电压漂移及电流不平衡影响的分析,对优化阳光电源功率模块的PCB...