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并联SiC MOSFET在第三象限运行下的浪涌电流分布
Surge Current Distribution in Paralleled SiC MOSFETs Under Third-Quadrant Operation
| 作者 | Man Zhang · Helong Li · Zhiqing Yang · Shuang Zhao · Xiongfei Wang · Lijian Ding |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 浪涌电流 并联器件 第三象限运行 源漏电阻 电流分配 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文研究了并联SiC MOSFET在第一和第三象限运行时的浪涌电流承受能力。针对第三象限运行模式下浪涌电流分布缺乏深入研究的问题，文章建立了一个SiC MOSFET源漏电阻模型，分析了并联器件间的电流不平衡机制，为提升功率模块的鲁棒性提供了理论依据。
English Abstract
Surge current capability of paralleled silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor-field-effect transistors (mosfets) operating in both first and third quadrants is required in various applications. The surge current distribution in paralleled SiC mosfets during third quadrant operation needs further investigations. This article, therefore, establishes a source–drain resistance model of SiC mo...
S
SunView 深度解读
该研究对阳光电源的SiC应用至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向高功率密度、高效率演进，SiC MOSFET被广泛采用。第三象限运行常出现在逆变器死区时间或双向DC-DC变换器中，浪涌电流分布不均直接影响功率模块的可靠性与寿命。建议研发团队利用该模型优化并联驱动电路设计，并在功率模块封装设计中平衡寄生参数，以提升产品在极端工况下的浪涌耐受能力，确保系统长期运行的稳定性。