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一种经实验验证的GaN HD-GIT晶体管行为模型
An Experimentally Verified Behavioral GaN HD-GIT Transistor Model
| 作者 | Ander Udabe · Igor Baraia-Etxaburu · David Garrido Diez |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 氮化镓 GaN HEMT HD-GIT 行为模型 电力电子 开关特性 |
语言:
中文摘要
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借优异的导通电阻和开关速度，成为硅（Si）和碳化硅（SiC）器件的有力竞争者。本文重点研究了商业化增强型GaN晶体管的建模方法，通过实验验证了HD-GIT晶体管的行为模型，为高频功率变换器的设计与仿真提供了精确的理论支撑。
English Abstract
Gallium Nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs), with their superior on-resistance and switching times, provide a promising alternative to Silicon (Si) and SiC devices. Commercially available normally offGaN transistors can be categorized into two main groups: hybrid transistors, which incorporate a Si mosfet, and e-mode transistors. The latter are the most promising GaN transisto...
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SunView 深度解读
GaN作为宽禁带半导体技术，是提升功率密度和转换效率的关键。对于阳光电源而言，该研究对户用光伏逆变器及小型化充电桩产品线具有重要参考价值。通过引入高精度的GaN行为模型，研发团队可在设计阶段更准确地评估高频开关损耗与电磁干扰（EMI），从而优化PCB布局与散热设计。建议在下一代高频、高功率密度户用逆变器及便携式储能产品中，积极探索GaN器件的应用，以实现更小的体积与更高的能效。