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一种基于晶闸管结构的低功耗解调电路，用于高可靠性和短路电流抑制
A Thyristor-Structured-Based Low-Power Demodulator Circuit for High Reliability and Short-Circuit Current Reduction
| 作者 | Donggeon Chae · Wanyeong Jung · Kihyun Kim · Wonil Seok · Minseob Shim |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带器件 碳化硅 (SiC) 氮化镓 (GaN) 栅极驱动电路 短路电流 可靠性 功率密度 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带（WBG）器件凭借高开关频率和高功率密度优势，广泛应用于高压电力电子系统。然而，多器件并联系统面临源极电压波动大及驱动电路可靠性挑战。本文提出一种基于晶闸管结构的解调电路，旨在提升驱动可靠性并有效抑制短路电流。
English Abstract
Wide-bandgap (WBG) devices, such as silicon carbide and gallium nitride, offer higher switching frequencies and power density compared to traditional silicon insulated gate bipolar transistors, making them suited for high-voltage and high-power-density applications. However, in systems with multiple WBG devices, large variations in source voltages of each gate driver circuit not only necessitate s...
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SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的核心产品竞争力。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向更高功率密度和更高电压等级（如1500V/2000V系统）演进，SiC器件的应用已成主流。该解调电路提出的短路电流抑制技术，能显著提升驱动电路在极端工况下的鲁棒性，有效降低功率模块失效风险。建议研发团队关注该拓扑在下一代高频、高压逆变器驱动板中的应用，以提升系统整体可靠性，并优化iSolarCloud在故障预警层面的数据模型，实现对功率器件早期失效的精准诊断。