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一种用于GaN HEMT栅极驱动器的栅源电压振荡与串扰集成抑制方法
An Integrated Suppression Method of Both Gate-Source Voltage Oscillation and Crosstalk for GaN HEMT Gate Driver
| 作者 | Lurenhang Wang · Xizhi Sun · Yishun Yan · Mingcheng Ma · Dianguo Xu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT 栅极驱动器 栅源极振荡 串扰 误导通 电力电子 开关速度 |
语言:
中文摘要
针对氮化镓（GaN）器件开关速度快、阈值电压低导致的栅源电压振荡及串扰问题，本文提出了一种集成抑制驱动电路（ISGD）。该方案有效解决了高频切换下的误导通及栅极击穿风险，提升了功率变换系统的可靠性与稳定性。
English Abstract
There are serious gate-source oscillation and crosstalk problems in the application of gallium nitride (GaN) devices characterized by faster switching speed and lower threshold, which causes misconduction and breakdown of the gate. A gate diver integrated suppression of gate-source oscillation and crosstalk for GaN HEMT (ISGD) is proposed in this article as the solution for these problems. An addi...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用成为趋势。该研究提出的栅极驱动集成抑制方案，能有效解决GaN在高频开关下的电磁干扰与误导通问题，对提升阳光电源组串式逆变器及微型逆变器的转换效率与可靠性具有重要参考价值。建议研发团队在下一代高频化、小型化功率模块设计中，引入此类先进驱动拓扑，以优化系统EMI性能并降低器件失效风险。