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基于数据手册的GaN HEMT全特性解析模型及死区时间优化
An Accurate Datasheet-Based Full-Characteristics Analytical Model of GaN HEMTs for Deadtime Optimization
| 作者 | |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 日期未知 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT 死区时间优化 电力电子 反向特性 解析模型 桥式变换器 开关损耗 |
语言:
中文摘要
氮化镓（GaN）HEMT凭借高效率和高功率密度成为新一代电力电子系统的核心。由于其独特的反向导通特性，GaN器件的反向压降远高于传统二极管，导致死区损耗显著。本文提出了一种基于数据手册的GaN HEMT全特性解析模型，旨在实现死区时间的精确优化，从而提升转换器效率。
English Abstract
The gallium nitride high electron mobility transistors (GaN HEMTs) are a superior candidate for the new-generation power electronics systems with higher efficiency and power density. However, due to the unique reverse characteristics, the reverse voltage drop of GaN HEMTs is much higher than that of diode. The deadtime loss in GaN-based bridge converters will be comparable to switching losses if t...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度和高效率的极致追求，GaN器件的应用前景广阔。该模型通过数据手册即可实现死区时间的精确优化，能够有效降低GaN基拓扑在开关过程中的损耗，提升产品能效。建议研发团队在开发下一代高频紧凑型组串式逆变器或微型逆变器时，引入该解析模型以优化驱动策略，解决GaN器件反向导通损耗大的痛点，从而在保持高开关频率的同时进一步缩小散热器体积，提升产品竞争力。