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具有准欧姆导通特性的双栅单片双向GaN开关的自反向阻断控制
Self-Reverse-Blocking Control of Dual-Gate Monolithic Bidirectional GaN Switch With Quasi-Ohmic on-State Characteristic
| 作者 | |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 日期未知 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN 单片双向开关 自反向阻断 准欧姆特性 电力电子 栅极控制 电力变换 |
语言:
中文摘要
电流源整流器和逆变器等拓扑结构需要具备双向电压阻断和单向电流导通能力的开关器件。本文研究了双栅单片双向GaN开关（MBDS），通过优化双栅控制策略实现自反向阻断（SRB）特性，并改善了其准欧姆导通行为，旨在简化驱动电路设计并提升功率密度。
English Abstract
Converter topologies such as current-source rectifiers and inverters require switching devices with bipolar voltage blocking and unidirectional current conduction capability. Recently available dual-gate GaN monolithic bidirectional switches (MBDSs) can mimic such self-reverse-blocking (SRB) behavior if the MBDS’ two gates are controlled accordingly, but thus need twice the number of gate signals ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的下一代高功率密度产品具有重要意义。GaN作为宽禁带半导体，在户用光伏逆变器和小型化储能PCS中具有显著的效率提升潜力。MBDS器件通过单片集成实现双向阻断，可大幅简化电流源型拓扑或双向DC-DC变换器的电路设计，减少器件数量，从而提升系统功率密度并降低成本。建议研发团队关注该器件在微型逆变器及高频充电桩模块中的应用，重点评估其在高温环境下的可靠性与驱动电路的抗干扰能力，以加速其在阳光电源产品线中的工程化落地。