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一种基于电流检测的SiC MOSFET快速过流保护集成电路

A Fast Overcurrent Protection IC for SiC MOSFET Based on Current Detection

作者 Qiang Li · Yuan Yang · Yang Wen · Xue Tian · Yalan Li · Wei Xiang
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2024年5月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 SiC MOSFET 过流保护 集成电路 电流检测 开尔文源极 电力电子 快速保护
语言:

中文摘要

本文提出了一种针对SiC MOSFET的快速过流保护集成电路(IC)。该方案通过片外电阻感测SiC MOSFET开尔文源极与功率源极之间的电压,从而获取与漏极电流成正比的检测电压。通过比较该检测电压实现快速过流保护,有效提升了SiC器件在高频应用下的安全运行能力。

English Abstract

This letter proposes a fast overcurrent protection integrated circuit (IC) for silicon carbide (SiC) mosfet based on current detection. With the proposed protection IC, the voltage between the Kelvin source and power source of SiC mosfet is sensed through an off-chip resistance. Thus, a detection voltage proportional to the drain current of SiC mosfet is obtained. Comparing the detection voltage t...
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SunView 深度解读

随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,器件的可靠性保护至关重要。SiC器件因其高开关速度,对过流保护的响应时间要求极高。该研究提出的快速过流保护IC方案,能够有效缩短故障响应时间,降低短路应力,对于提升阳光电源核心功率模块的鲁棒性具有重要参考价值。建议研发团队评估该检测方案在现有高压SiC驱动电路中的集成可行性,以进一步优化系统故障保护策略。