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卤化物钙钛矿中离子迁移诱导相变的原子尺度机理
Atomic-scale insights into ion migration-induced phase transition in halide perovskites
Zhou Li · Ruirong Bai · Weiqi Gao · Sanxia Yin 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127
本文通过原子尺度表征与理论模拟，揭示了卤化物钙钛矿中离子迁移驱动相变的微观机制。研究发现，卤素离子在晶格中的有序迁移引发局部应变和对称性破缺，进而触发结构相变。该过程与缺陷态演化密切相关，影响材料的光电性能稳定性。结果为理解钙钛矿材料的动态结构行为提供了原子层级的见解，并对其在光电器件中的应用具有指导意义。
解读: 该钙钛矿离子迁移相变机理研究对阳光电源光伏逆变器产品具有重要参考价值。钙钛矿太阳能电池作为新一代光伏技术，其离子迁移导致的相变和缺陷态演化直接影响组件长期稳定性和光电转换效率。研究揭示的原子尺度动态结构行为，可指导SG系列逆变器的MPPT算法优化，针对钙钛矿组件的特殊I-V特性曲线进行自适应跟踪。同...
单输入双输出数字门极驱动IC自动均衡两个并联SiC MOSFET的漏极电流变化
Single-Input Dual-Output Digital Gate Driver IC Automatically Equalizing Drain Current Variations of Two Parallel-Connected SiC MOSFETs
作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文提出了一种单输入、双输出数字栅极驱动器（DGD）集成电路，以解决两个并联碳化硅（SiC）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）中器件特性变化问题以及印刷电路板（PCB）上寄生电感变化问题。本文在全球范围内首次实现了以下所有目标：1）在栅极驱动器集成电路上完全集成两个传感器输出处理电路、两个数字栅极驱动器以及检测和均衡两个并联碳化硅 MOSFET 漏极电流变化所需的控制器；2）在闭环中均衡每个 MOSFET 漏极电流的直流和浪涌分量；3）在总共四种条件下进行漏极电流均衡的演示...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项单输入双输出数字栅极驱动IC技术具有重要的战略价值。在我们的大功率光伏逆变器和储能变流器产品中，SiC MOSFET并联应用已成为提升功率密度和效率的关键技术路径。当前业界面临的核心挑战正是该论文所针对的问题：器件特性差异和PCB寄生参数不一致导致的电流不均衡，这直接影...
基于RTL的单片集成逆变器用于采用β-Ga₂O₃ MOSFET的栅极驱动IC
Monolithically Integrated RTL-Based Inverters for Gate Driver IC Using β-Ga₂O₃ MOSFETs
Ganesh Mainali · Dhanu Chettri · Vishal Khandelwal · Glen Isaac Maciel García 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年9月
栅极驱动器通过提供快速开关所需的驱动电流，实现功率金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）与数字控制电路的接口连接。本研究展示了一种基于β - Ga₂O₃电阻 - 晶体管逻辑（RTL）反相器的单片集成栅极驱动器集成电路（IC），该集成电路采用增强型多指（MF）MOSFET和基于凹槽外延的电阻器。这款面积为0.785平方毫米的芯片以同相配置集成了两个RTL反相器，在15 V电源供电下，实现了11.9 V/V和12.2 V/V的电压增益，高/低噪声容限分别为3.4 V/1.3 V和3...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于β-Ga₂O₃材料的单片集成栅极驱动技术具有重要的战略参考价值。作为光伏逆变器和储能系统的核心部件，栅极驱动电路的性能直接影响系统的开关损耗、效率和可靠性。 该技术的主要价值在于实现了驱动电路与功率器件的单片集成。传统方案中，栅极驱动IC与功率MOSFET分离封装...