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低温环境下电力电子元件综述
Review of Power Electronics Components at Cryogenic Temperatures
| 作者 | Handong Gui · Ruirui Chen · Jiahao Niu · Zheyu Zhang · Leon M. Tolbert · Fei Fred Wang · Benjamin J. Blalock · Daniel Costinett · Benjamin B. Choi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 SiC器件 |
| 相关度评分 | ★★ 2.0 / 5.0 |
| 关键词 | 低温环境 功率半导体器件 Si开关 宽禁带开关 集成电路 无源元件 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文综述了低温环境对电力电子系统各部件的影响，包括硅基及宽禁带半导体开关器件、集成电路及无源元件等。研究旨在为超导系统等低温应用场景下的电力电子系统设计提供理论支撑，探讨了极端温度对器件性能与可靠性的影响。
English Abstract
In order to apply power electronics systems to applications such as superconducting systems under cryogenic temperatures, it is necessary to investigate the characteristics of different parts in the power electronics system. This article reviews the influence of cryogenic temperature on power semiconductor devices including Si and wide bandgap switches, integrated circuits, passive components, int...
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SunView 深度解读
该研究探讨的低温电力电子技术目前主要应用于超导等前沿领域，与阳光电源现有的光伏逆变器、储能系统（如PowerTitan）及充电桩等常规环境产品线关联度较低。然而，随着未来极端环境（如高海拔、极寒地区）光储项目需求的增加，文中关于宽禁带半导体（SiC/GaN）在极端温度下的性能演变分析，可为公司研发团队优化逆变器功率模块的热管理设计及可靠性评估提供前瞻性参考，助力提升产品在严苛气候下的环境适应能力。