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一种具有亚纳秒级步进调节的多电平伪谐振开关电容栅极驱动集成电路
A Multilevel Pseudo-Resonant Switched-Capacitor Gate-Drive IC With Sub-Nanosecond Step Tuning
| 作者 | Yanqiao Li · Ziyu Xia · Jason T. Stauth |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年4月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 多电平 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 开关电容 栅极驱动 IC 多电平 能量回收 栅极回路电感 电力电子 集成电路 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种高度集成的开关电容(SC)栅极驱动集成电路,可实现栅极电压波形的多步进调节。通过利用飞跨电容传输和回收栅极能量,硬充电损耗可随SC转换器的步数显著降低。这种多电平调节技术还能有效利用寄生栅极回路电感,优化功率器件的开关性能。
English Abstract
This work presents a highly integrated switched-capacitor (SC) gate-drive integrated circuit that can provide tunable multistep driving of the gate voltage waveform. By using flying capacitors to deliver and recover the gate energy, hard-charging loss can be reduced by roughly the number of steps of the SC converter. The tuned multilevel operation can also leverage parasitic gate-loop inductance t...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线(尤其是组串式逆变器和PowerTitan储能系统)具有重要参考价值。随着SiC和GaN等宽禁带半导体在高性能逆变器中的广泛应用,栅极驱动电路的效率和开关速度成为提升整机功率密度的关键。该多电平驱动方案能有效降低开关损耗并抑制寄生参数影响,有助于进一步提升阳光电源产品的转换效率。建议研发团队关注该技术在下一代高频、高功率密度功率模块驱动电路中的应用,以优化系统热管理并提升EMI性能。