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一种用于功率模块集成的集成式碳化硅CMOS栅极驱动器
An Integrated SiC CMOS Gate Driver for Power Module Integration
| 作者 | Matthew Barlow · Shamim Ahmed · A. Matt Francis · H. Alan Mantooth |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC CMOS 栅极驱动器 功率模块 高温 集成电路 驱动能力 |
语言:
中文摘要
随着高温功率器件的应用，高效运行所需的配套电路（如栅极驱动器）成为完整高温解决方案的关键。本文提出了一种采用1.2μm CMOS工艺设计的集成式碳化硅（SiC）栅极驱动器，通过引入可调驱动强度，实现了外部元件的最小化，提升了功率模块的集成度与高温适应性。
English Abstract
With high-temperature power devices available, the support circuitry required for efficient operation, such as a gate driver, is needed as part of a complete high-temperature solution. The design of an integrated silicon carbide (SiC) gate driver using a 1.2-μm complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process is presented. Adjustable drive strength is added to facilitate a minimal external c...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。在PowerTitan及PowerStack等储能系统和组串式光伏逆变器中，SiC功率器件的广泛应用已成为提升功率密度和效率的关键。集成式栅极驱动器能有效减小驱动回路寄生电感，抑制开关振荡，对于提升高频化逆变器及PCS的功率密度、降低高温环境下的散热压力至关重要。建议研发团队关注该集成方案在下一代高功率密度模块中的应用，以进一步优化系统体积并提升高温可靠性。